CRC Press, 2016. — 391 p. — ISBN: 978-1-4987-2260-5. Ionizing Radiation Effects in Electronics: From Memories to Imagers delivers comprehensive coverage of the effects of ionizing radiation on state-of-the-art semiconductor devices. The book also offers valuable insight into modern radiation-hardening techniques. The text begins by providing important background information on...
Rev. A. — Texas Instruments, 2019. — 115 p. Our radiation handbook for electronics is your comprehensive guide to radiation effects for electronics. Building on decades of knowledge from TI’s expert teams, this 100+ page e-book features the latest design considerations for engineers who work on space, industrial and/or terrestrial applications. Regardless of your design...
River Publishers, 2018. — 418 p. — (River Publishers Series in Electronic Materials and Devices). — 978-87-7022-020-0. Rad-hard Semiconductor Memories is intended for researchers and professionals interested in understanding how to design and make a preliminary evaluation of rad-hard semiconductor memories, making leverage on standard CMOS manufacturing processes available from...
Springer, 2002. — 422 p. — ISBN: 978-3-662-04974-7. In the modern semiconductor industry, there is a growing need to understand and combat potential radiation damage problems. Space applications are an obvious case, but, beyond that, today's device and circuit fabrication rely on increasing numbers of processing steps that involve an aggressive environment where inadvertant...
Willey, 2020. — 380 p. — ISBN: 9781119966340. This book teaches the fundamentals of radiation environments and their effects on electronic components, as well as how to design, lay out, and test cost-effective hardened semiconductor chips not only for today’s space systems but for commercial terrestrial applications as well. It provides a historical perspective, the fundamental...
Wiley, 2015. — 285 p. — ISBN: 978-1-118-47929-2. This book provides the reader with knowledge on a wide variety of radiation fields and their effects on the electronic devices and systems. The author covers faults and failures in ULSI devices induced by a wide variety of radiation fields, including electrons, alpha-rays, muons, gamma rays, neutrons and heavy ions. Readers will...
World Scientific, 2010. — 379 p. — ISBN: 978-981-4277-10-5. This book focuses on reliability and radiation effects in compound semiconductors, which have evolved rapidly during the last 15 years. It starts with first principles, and shows how advances in device design and manufacturing have suppressed many of the older reliability mechanisms. It is the first book that...
MDPI, 2019. — 208 p. — ISBN: 978-3-03921-280-4. Printed Edition of the Special Issue Published in Electronics. Research on radiation tolerant electronics has increased rapidly over the last few years, resulting in many interesting approaches to model radiation effects and design radiation hardened integrated circuits and embedded systems. This research is strongly driven by the...
World Scientific, 1999. — 184 p. — (International Series on Advances in Solid State Electronics and Technology). — ISBN: 981-02-3326-4. This volume is intended to serve as an updated critical guide to the extensive literature on the basic physical mechanisms controlling the radiation and reliability responses of MOS oxides. The last such guide was Ionizing Radiation Effects in...
CRC Press, 2015. — 706 p. — ISBN: 978-1-4665-6311-7. CMOS: Front-End Electronics for Radiation Sensors offers a comprehensive introduction to integrated front-end electronics for radiation detectors, focusing on devices that capture individual particles or photons and are used in nuclear and high energy physics, space instrumentation, medical physics, homeland security, and...
World Scientific, 2004. — 335 p. — ISBN: 981-238-940-7. This book provides a detailed treatment of radiation effects in electronic devices, including effects at the material, device, and circuit levels. The emphasis is on transient effects caused by single ionizing particles (single-event effects and soft errors) and effects produced by the cumulative energy deposited by the...
Consultants Bureau, 1977. — 280 p. — ISBN: 978-1-4684-9069-5. The term 'radiation-induced defects' refers to relatively stable lattice imperfections, produced by high-energy particles. Since single crystals are perfect bodies, their electrical and optical properties are strongly influenced by radiation-induced defects. Extensive studies on the influence of high-energy radiation...
Springer, 2019. — 402 p. — ISBN: 978-3-030-04660-6. This book provides readers with invaluable overviews and updates of the most important topics in the radiation-effects field, enabling them to face significant challenges in the quest for the insertion of ever-higher density and higher performance electronic components in satellite systems. Readers will benefit from the...
СПб.: СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2022. — 44 с. Рассмотрено влияние радиационных процессов на элементную базу микроэлектроники (МОП) и биполярные ИМС. Приведён анализ физических процессов при ионизирующем облучении МОП-структур Si-SiO2. Изучаются модели накопления объёмного заряда и поверхностных состояний во время и после ионизирующего облучения. Рассмотрено влияние технологических...
Монография. — Москва: Атомиздат, 1969. — 312 с. В монографии обобщены и изложены на уровне последних достижений результаты исследований природы эффектов, возникающих в полупроводниках и полупроводниковых приборах под действием ионизирующего излучения. Книга представляет большой научный интерес, так как одной из актуальных проблем новой техники является создание полупроводниковых...
Монография. — Москва: Атомиздат, 1969. — 312 с. В монографии обобщены и изложены на уровне последних достижений результаты исследований природы эффектов, возникающих в полупроводниках и полупроводниковых приборах под действием ионизирующего излучения. Книга представляет большой научный интерес, так как одной из актуальных проблем новой техники является создание полупроводниковых...
М.: Научно-образовательный центр Московского региона в области фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения. Московский государственный институт электроники и математики, 2000. - 102 с. Основным содержанием учебного пособия является рассмотрение вопросов влияния радиации, создающей структурные дефекты, на основные параметры...
Учебное пособие. — Москва: МГИЭМ, 2002. — 46 с. Учебное пособие по дисциплине «Радиационная стойкость изделий электронной техники». Основным содержанием учебного пособия является: рассмотрение вопросов влияния радиации на интегральные микросхемы; рассмотрение вопросов воздействия импульсного рентгеновского излучения; рассмотрение методов испытаний изделий электронной техники на...
Учебное пособие. — Москва: МГИЭМ, 2002. — 46 с. Учебное пособие по дисциплине «Радиационная стойкость изделий электронной техники». Основным содержанием учебного пособия является: рассмотрение вопросов влияния радиации на интегральные микросхемы; рассмотрение вопросов воздействия импульсного рентгеновского излучения; рассмотрение методов испытаний изделий электронной техники на...
М.: Научно-образовательный центр Московского региона в области фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения. Московский государственный институт электроники и математики, 2001. - 70 с.
В настоящем учебном пособии рассмотрены радиационные эффекты, происходящие в полевых транзисторах, выпрямительных диодах, солнечных батареях. Основным...
М.: Атомиздат, 1971. — 120 с. В книге рассмотрено влияние ионизирующих излучений на электрофизические характеристики материалов, используемых для изготовления радиодеталей. Основное внимание уделяется теоретическим и экспериментальным исследованиям характера изменения параметров материалов в условиях импульсного и непрерывного γ- и нейтронного излучений. Приведены результаты...
Монография. — Минск: Наука и техника, 1986. — 256 с. В монографии обобщены результаты исследований советских и зарубежных ученых, полученные при изучении воздействия проникающей радиации на интегральные микросхемы и их элементы. Рассматриваются радиационные нарушения в интегральных микросхемах на основе биполярных и униполярных транзисторов, при этом учитываются как...
Монография. — Минск: Наука и техника, 1978. — 232 с. В книге на уровне последних достижений советских и зарубежных ученых обобщены результаты изучения радиационных эффектов, возникающих в полупроводниковых приборах различных классов при воздействии на них проникающих излучений. Деградация параметров полупроводниковых приборов при облучении рассматривается с единой точки зрения,...
Монография. — Минск: Наука и техника, 1978. — 232 с. В книге на уровне последних достижений советских и зарубежных ученых обобщены результаты изучения радиационных эффектов, возникающих в полупроводниковых приборах различных классов при воздействии на них проникающих излучений. Деградация параметров полупроводниковых приборов при облучении рассматривается с единой точки зрения,...
Лабораторный практикум. — М.: МИСиС, 1987. — 116 с. Приведено описание семи лабораторных работ по спецкурсу "Основы радиационной технологии микроэлектроники" для студентов специальности 0629. В работах изучаются физические основы новых процессов радиационной технологии, позволяющие эффективно управлять статическими и динамическими параметрами биполярных диодных и транзисторных...
Лабораторный практикум. — М.: МИСиС, 1987. — 116 с. Приведено описание семи лабораторных работ по спецкурсу "Основы радиационной технологии микроэлектроники" для студентов специальности 0629. В работах изучаются физические основы новых процессов радиационной технологии, позволяющие эффективно управлять статическими и динамическими параметрами биполярных диодных и транзисторных...
Курс лекций. — М.: МИСиС, 1994. — 101 с. Рассмотрены механизмы взаимодействия различных видов проникающего излучения (высокоэнергетичные нейтроны, электроны, протоны и гамма-кванты) с полупроводниковыми материалами, и процессы образования в кристаллической решетке полупроводника стабильных радиационных центров. Проанализированы свойства остальных радиационных центров в кремнии...
Курс лекций. — М.: МИСиС, 1994. — 101 с. Рассмотрены механизмы взаимодействия различных видов проникающего излучения (высокоэнергетичные нейтроны, электроны, протоны и гамма-кванты) с полупроводниковыми материалами, и процессы образования в кристаллической решетке полупроводника стабильных радиационных центров. Проанализированы свойства остальных радиационных центров в кремнии...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 2003. — 111 с. В учебном пособии изложены основы современных методов обеспечения надежности электронных компонентов космических аппаратов (КА), работающих в специфических условиях длительного воздействия космической радиации. Для основного класса электронных компонентов, широко применяемых в аппаратуре КА — полупроводниковых приборов и микросхем,...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 2003. — 111 с. В учебном пособии изложены основы современных методов обеспечения надежности электронных компонентов космических аппаратов (КА), работающих в специфических условиях длительного воздействия космической радиации. Для основного класса электронных компонентов, широко применяемых в аппаратуре КА — полупроводниковых приборов и микросхем,...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1996. — 96 с. Рассмотрены основные закономерности и специфика изменения электрических параметров интегральных микросхем классов ТТЛ, ТТЛШ, КМОП, аналоговых ИС при проведении радиационной и термической обработок. Указаны области практического использования радиационных технологических процессов при изготовлении ИС для управления комплексом их...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1996. — 96 с. Рассмотрены основные закономерности и специфика изменения электрических параметров интегральных микросхем классов ТТЛ, ТТЛШ, КМОП, аналоговых ИС при проведении радиационной и термической обработок. Указаны области практического использования радиационных технологических процессов при изготовлении ИС для управления комплексом их...
Учебно-методическое пособие для курсового и дипломного проектирования. — М.: МИСиС, 2001. — 47 с. Кратко изложены современные теоретические представления об образовании первичных дефектов в объеме полупроводника, приведены формулы для расчета основных электрофизических параметров монокристаллических полупроводников при воздействии быстрых частиц и гамма-квантов в широком...
Учебно-методическое пособие для курсового и дипломного проектирования. — М.: МИСиС, 2001. — 47 с. Кратко изложены современные теоретические представления об образовании первичных дефектов в объеме полупроводника, приведены формулы для расчета основных электрофизических параметров монокристаллических полупроводников при воздействии быстрых частиц и гамма-квантов в широком...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1994. — 117 с. Посвящено анализу воздействия радиационного облучения и последующей термической обработки на различные типы диодов и биполярных транзисторов: физическая природа и термостабильность возникающих радиационных центров, изменение основных электрических параметров приборных структур, этапы проведения радиационно-термической обработки и...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1994. — 117 с. Посвящено анализу воздействия радиационного облучения и последующей термической обработки на различные типы диодов и биполярных транзисторов: физическая природа и термостабильность возникающих радиационных центров, изменение основных электрических параметров приборных структур, этапы проведения радиационно-термической обработки и...
Учебное пособие. — Екатеринбург: Издательство Уральского университета, 2019. — 320. — ISBN: 978-5-7996-2601-3. Основано на лекционном курсе «Радиационные воздействия ионизирующих излучений на электронные компоненты, приборы и комплексы электронной техники», читаемом авторами для студентов физико-технологического института, обучающихся по направлениям «Ядерные физика и...
Учебное пособие. — Екатеринбург: Издательство Уральского университета, 2019. — 320. — ISBN: 978-5-7996-2601-3. Основано на лекционном курсе «Радиационные воздействия ионизирующих излучений на электронные компоненты, приборы и комплексы электронной техники», читаемом авторами для студентов физико-технологического института, обучающихся по направлениям «Ядерные физика и...
Лабораторный практикум. — М.: МИСиС, 1988. — 30 с. Предназначено для студентов специальности "Физика и технологии материалов и компонентов электронной техники" специализации "Физическое материаловедение микроэлектроники". Целью практикума является закрепление основных положений спецкурса "Радиационные воздействия на полупроводники", умение использовать вычислительную технику...
Курс лекций. — М.: МИСиС, 2011. — 252 с. — ISBN 978-5-87623-415-5. В курсе лекций по дисциплине «Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения» рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения...
Курс лекций. — М.: МИСиС, 2011. — 252 с. — ISBN 978-5-87623-415-5. В курсе лекций по дисциплине «Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения» рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 2013. — 349 с. — ISBN 978-5-87623-661-6. Учебное пособие посвящено вопросам деградации полупроводниковых приборов и интегральных схем вследствие дефектов, образующихся при воздействии космической радиации. Рассмотрены следующие вопросы: радиационные условия в космосе; влияние радиационно-индуцированных структурных повреждений на свойства...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 2013. — 349 с. — ISBN 978-5-87623-661-6. Учебное пособие посвящено вопросам деградации полупроводниковых приборов и интегральных схем вследствие дефектов, образующихся при воздействии космической радиации. Рассмотрены следующие вопросы: радиационные условия в космосе; влияние радиационно-индуцированных структурных повреждений на свойства...
Выходные данные не известны. М.: 2009 г. — 246 с. Описание: В настоящем издании рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их...
М.: Радио и связь, 1989. — 144 с. –- ISBN: 5-256-00254-6. Рассматриваются радиационные эффекты в биполярных интегральных микросхемах, возможные нарушения работоспособности, виды и механизмы отказов. Анализируются схемотехнические и конструктивно-технологические аспекты повышения радиационной стойкости цифровых микросхем и радиоэлектронной аппаратуры. Обобщаются результаты...
Научное издание. — М.: НИЯУ МИФИ, 2015. — 512 с. Описываются основные радиационные эффекты в полупроводниковых приборах и интегральных схемах при воздействии ионизирующего излучения. Представлены материалы по физике взаимодействия ионизирующего излучения, описаны основные доминирующие радиационные эффекты в изделиях электронной компонентной базы и эффекты воздействия одиночных...
Комментарии