Bakı: Təhsil, 2011. — 360 s. Ders vesaiti ali məkteblərin fizika, fizika miiellimi, radiofizika,radioelektronika, elektronika, rabite, cihazqayrrma ixtisas ve istiqametlarinda tohsil alan təlabələri (bakalavr vo magistrantlar) üçün nazerde tutulub. Burada elektrovakuum, ion və yarrmkeçirici cihazlann, elektron optikası element ve sistemlerinin quruluşunun, iş prinsipinin, elece də...
World Scientific, 2005. — 696 p. — ISBN: 978-981-02-1925-3 This book covers the various material properties of bulk GaAs and related materials, and aspects of the physics of artificial semiconductor microstructures, such as quantum wells and superlattices, made of these materials. A complete set of the material properties are considered in this book. They are structural...
Wiley, New York, 1992. — 318 p. — ISBN: 9780471573296. The objective of this book is two-fold: to examine key properties of III-V compounds and to present diverse material parameters and constants of these semiconductors for a variety of basic research and device applications. Emphasis is placed on material properties not only of InP but also of InAs, GaAs and GaP binaries.
Wiley, 2005. — 406 p. — (Wiley Series in Materials for Electronic & Optoelectronic Applications). — ISBN: 978-0-470-09034-3. Almost all the semiconductors of practical interest are the group-IV, III-V and II-VI semiconductors and the range of technical applications of such semiconductors is extremely wide. The purpose of this book is twofold: to discuss the key properties of...
Wiley, 2009. — 400 p. The main purpose of this book is to pre a comprehensive treatment of the materials aspects of group-IV, III−V and II−VI semiconductor alloys used in various electronic and optoelectronic devices. The topics covered in this book include the structural, thermal, mechanical, lattice vibronic, electronic, optical and carrier transport properties of such...
Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, 2002. — 321 p. — (Nanoscience and Technology) — ISBN: 9783642075773 The manipulation of electric charge in bulk semiconductors and their heterostructures forms the basis of virtually all contemporary electronic and opto-electronic devices. Recent studies of spin-dependent phenomena in semiconductors have now opened the door to technological...
2nd edition. — CRC Press, 2016. — 643 p. Since the printing of the first edition, heteroepitaxy has only increased in importance with the explosive growth of the electronics industry and the development of a myriad of heteroepitaxial devices for solid-state lighting, green energy, displays, communications, and digital computing. Our ever-growing understanding of the basic physics...
CRC Press, 2007. — 447 p. — ISBN 0849371953 9780849371950. This is the first comprehensive, fundamental introduction to the field of Semiconductors. This book reflects current understanding of nucleation, growth modes, relaxation of strained layers, and dislocation dynamics without emphasizing any particular material. The book provides in-depth descriptions of mismatched...
Singapore: World Scientific, 2017. — 267 p. The success of spintronics — the science and technology of storing, processing, sensing and communicating information using the quantum mechanical spin degree of freedom of an electron — is critically dependent on the ability to inject, detect and manipulate spins in semiconductors either by incorporating ferromagnetic materials into...
Springer-Verlag GmbH, Austria, 2017. — 535 p. — (Springer Series in Materials Science 253) — ISBN: 9783709111567 This book explains different magnetic resonance (MR) techniques and uses different combinations of these techniques to analyze defects in semiconductors and nanostructures. It also introduces novelties such as single defects MR and...
Cambridge University Press, 2008. — 408 p. — ISBN: 978-0-521-59103-4. Low-Dimensional Semiconductor Structures provides a seamless, atoms-to-devices introduction to the latest quantum heterostructures. It covers their fabrication, their electronic, optical and transport properties, their role in exploring physical phenomena, and their utilization in devices. The authors begin...
New York: Halsted Press, 1988. — 363 p. The book starts with a chapter recalling a few basic quantum mechanical properties of idealized quantum wells and superlattices (those found in quantum mechanics textbook). Chapter II is a summary of the k.p analysis of the electronic dispersion relations in direct gap bulk III-V and II-VI compounds. In chapter III we show how it is...
Springer, 2008 — 303 p. — (Springer series in materials science) — ISBN10: 3540763139 / ISBN13: 9783540763130 Organic semiconductors offer unique characteristics such as tunability of electronic properties via chemical synthesis, compatibility with mechanically flexible substrates, low-cost manufacturing, and facile integration with chemical and biological functionalities....
Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2012. — 338 p. — (Springer Series in Solid-State Sciences 170). — ISBN: 978-3-642-20493-7 (eBook), 978-3-642-44515-6 (Softcover), 978-3-642-20492-0 (Hardcover).
This monograph solely presents the Fowler-Nordheim field emission (FNFE) from semiconductors and their nanostructures. The materials considered are quantum confined non-linear optical,...
Springer International Publishing, Switzerland, 2016. – 222 p. – ISBN10: 3319325205 Gives new insights into semiconductor–dielectric interfaces and semiconductor surface recombination mechanisms. Reports on a detailed investigation of the properties of Al 2 O 3 as a passivating dielectric for silicon surfaces. Describes a high-throughput, industrially compatible deposition...
Springer, 2010. — 337 p. — (Springer Series in SolidState Sciences 160). — ISBN: 978-3-642-02235-7. This book is the most comprehensive one to describe the basics of space-charge effects in semiconductors, starting from basic principles to advanced application in semiconducting devices. It uses detailed analyses of the transport, Poisson, and continuity equations to...
2nd edition. — Cham: Springer, 2023. — 1408 p. This handbook gives a complete and detailed survey of the field of semiconductor physics. It addresses every fundamental principle, the most important research topics and results, as well as conventional and emerging new areas of application. Additionally it provides all essential reference material on crystalline bulk,...
New York: Springer, 2018. — 1288 p. This handbook gives a complete survey of the important topics and results in semiconductor physics. It addresses every fundamental principle and most research topics and areas of application in the field of semiconductor physics. Comprehensive information is provided on crystalline bulk and low-dimensional as well as amporphous semiconductors,...
New York: Springer, 2018. — 1288 p. — ISBN: 3319691481. This handbook gives a complete survey of the important topics and results in semiconductor physics. It addresses every fundamental principle and most research topics and areas of application in the field of semiconductor physics. Comprehensve information is provided on crystalline bulk and low-dimensional as well as...
Cambridge University Press, 2003. — 776 p. — ISBN: 0-521-59350-6. Modern fabrication techniques have made it possible to produce semiconductor devices whose dimensions are so small that quantum mechanical effects dominate their behavior. This book describes the key elements of quantum mechanics, statistical mechanics, and solid-state physics that are necessary in understanding...
Cambridge University Press, 1999. - 777 p. - Modern fabrication techniques have made it possible to produce semiconductor devices whose dimensions are so small that quantum mechanical effects dominate their behavior. This book describes the key elements of quantum mechanics, statistical mechanics, and solid-state physics that are necessary in understanding these modern...
2nd edition. — Wiley‐VCH, 2012 — 657 p. — ISBN: 978-3-527-41053-8. The field of organic electronics has seen a steady growth over the last 15 years. At the same time, our scientific understanding of how to achieve optimum device performance has grown, and this book gives an overview of our present-day knowledge of the physics behind organic semiconductor devices. Based on the...
Springer, 2020. — 344 p. — (Mathematics in Industry: The European Consortium for Mathematics in Industry 31). — ISBN: 978-3-030-35992-8. This book offers, from both a theoretical and a computational perspective, an analysis of macroscopic mathematical models for description of charge transport in electronic devices, in particular in the presence of confining effects, such as in...
ITexLi, 2022. — 109 p. — ISBN 180355682X 9781803556826 1803556811 9781803556819 1803556838 9781803556833. This book brings together contributions from important researchers around the world on semiconductor materials and their applications. It includes seven chapters in two sections: “Calculations and Simulations in Semiconductors” and “Semiconductor Materials.” The world will...
Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg-New York, 1999, 253 pages (in English) ISBN: 3-540-64166-1 The motivation for the present book was success and usefulness of the new gain medium theory in explaining experiments and designing devices, combined with the complexity in implementing calculations. Into this book integrated the material related with part of original book...
Springer, 2010. — 506 p. Narrow gap semiconductors obey the general rules of semiconductor science, but often exhibit extreme features of these rules because of the same properties that produce their narrow gaps. Consequently these materials provide sensitive tests of theory, and the opportunity for the design of innovative devices. Narrow gap semiconductors are the most...
Elsevier, 2007. - 476 p. Germanium Materials Grown-in Defects in Germanium Diffusion and Solubility of Dopants in Germanium Oxygen in Germanium Metals in Germanium Ab-Initio Modeling of Defects in Germanium Radiation Performance of Ge Technologies Electrical Performance of Ge Devices Device Modeling Nanoscale Germanium MOS Dielectrics and Junctions Advanced Germanium MOS...
Springer, 1989. — 264 p. — ISBN: 978-3-540-51391-9 Theoretical Concepts and Methods Pseudopotentials Response Functiolls and Density of States Low Energy Prohes of Semiconductors Optical and Electronic Spectra of Semiconductors High Energy Proh es of Semiconductors : X-Rays Diamond a nd Zine-Blende Structure Semiconductors Wurtzite Structure Semiconductors Chalcopyrite...
Kluwer, 2002. — 436 p.
This Textbook is intended for upper division undergraduate and graduate courses. As a prerequisite, it requires mathematics through differential equations, and modern physics where students are introduced to quantum mechanics. The different Chapters contain different levels of difficulty. The concepts introduced to the Reader are first presented in a...
Монография, CRC Press, Taylor & Francis Group, 2013. — 1022 p. Background Environments and Prediction Tools Semiconductor Device Technologies for Extreme Environments Modeling for Extreme Environment Electronic Design Device and Circuit Reliability in Extreme Environments Circuit Design for Extreme Environments Examples of Extreme Environment Circuit Designs Verification of...
Cambridge University Press — 1998 — 438 p. — ISBN13: 978-0521484916 Low-dimensional systems have revolutionized semiconductor physics and had a tremendous impact on technology. Using simple physical explanations, with reference to examples from actual devices, this book introduces the general principles essential to low-dimensional semiconductors. The author presents a...
Cambridge University Press, 1998. — 438 p. The composition of modern semiconductor heterostructures can be controlled precisely on the atomic scale to create low-dimensional systems. These systems have revolutionised semiconductor physics, and their impact on technology, particularly for semiconductor lasers and ultrafast transistors, is widespread and burgeoning. This book...
Springer, 2025. — 188 p. — ISBN-13 : 978-3031872778 This book explores fundamental and experimental aspects of excitons in semiconductors. It begins with an introduction to crystal lattice, band structure of solids, effective mass theory, and holes. It then explores the binding energy of various excitons and their complexes (such as trions and biexcitons) in different...
2007. - 296 p.
This book brings together several leaders in theoretical research on defects in semiconductors. Although the treatment is tutorial, the level at which the various applications are discussed is today's state-of-the-art in the field.
The book begins with a "big picture" view from Manuel Gardona, and continues with a brief summary of the historical development of the...
CRC Press, 2022. — 329 p. — ISBN 978-0-367-25080-5. This textbook provides a theoretical background for contemporary trends in solid-state theory and semiconductor device physics. It discusses advanced methods of quantum mechanics and field theory and is therefore primarily intended for graduate students in theoretical and experimental physics who have already studied...
New York: Springer, 2017. — 546 p. This book offers an extensive introduction to the extremely rich and intriguing field of spin-related phenomena in semiconductors. In this second edition, all chapters have been updated to include the latest experimental and theoretical research. Furthermore, it covers the entire field: bulk semiconductors, two-dimensional semiconductor...
Springer International Publishing AG, 2017. — 578 p. — (Springer Series in Advanced Microelectronics 60) — ISBN: 9783319565606. This book is dedicated to field emission electronics, a promising field at the interface between “classic” vacuum electronics and nanotechnology. In addition to theoretical models, it includes detailed descriptions of experimental and research...
Berlin: Springer-Verlag. – 2008. – 662 p. (Springer Series in Materials Science 105) Dilute Nitride Semiconductors have been of great research interest since their development in the 1990s, both because of their unique physical properties and potential device applications. The substitution of small amounts of nitrogen atoms with group V elements in conventional III–V...
Pan Stanford Publishing, 2018. - 539 p. Throughout their college career, most engineering students have done problems and studies that are basically situated in the classical world. Some may have taken quantum mechanics as their chosen field of study. This book moves beyond the basics to highlight the full quantum mechanical nature of the transport of carriers through...
IOP Publishing, Bristol, UK, 2013. – 164 p. ISBN10: 0750310456 As we settle into this second decade of the twenty-first century, it is evident that the advances in micro-electronics have truly revolutionized our day-to-day lifestyle. The technology is built upon semiconductors, materials in which the band gap has been engineered for special values suitable to the particular...
2nd Edition. — IOP Publishing Ltd, 2020. — 376 p. — ISBN 978-0-7503-3137-1. This textbook introduces the physics and applications of transport in mesoscopic devices and nanoscale electronic systems and devices. This expanded second edition is fully updated and contains the latest research in the field, including nano-devices for qubits, from both silicon quantum dots and...
Bristol: IOP Publishing, 2020. — 376 p. This textbook introduces the physics and applications of transport in mesoscopic devices and nanoscale electronic systems and devices. This expanded second edition is fully updated and contains the latest research in the field, including nano-devices for qubits, from both silicon quantum dots and superconducting SQUID circuits. Each...
2nd edition. — IOP Publishing, 2020. — 391 p. — ISBN 978-0-7503-2478-6. This second edition discusses the importance of semiconductors along with their newest applications. The book introduces the ever-changing field of semiconductors, before covering chapters on electronic structure, lattice dynamics, transport structures, optical properties and electron–electron interaction....
2nd edition. — IOP Publishing, 2020. — 391 p. — ISBN 978-0-7503-2480-9. This second edition discusses the importance of semiconductors along with their newest applications. The book introduces the ever-changing field of semiconductors, before covering chapters on electronic structure, lattice dynamics, transport structures, optical properties and electron–electron interaction....
2nd edition. — IOP Publishing, 2020. — 391 p. — ISBN 978-0-7503-2479-3. This second edition discusses the importance of semiconductors along with their newest applications. The book introduces the ever-changing field of semiconductors, before covering chapters on electronic structure, lattice dynamics, transport structures, optical properties and electron–electron interaction....
New York: Plenum Press, 1969. — 418 p. Recently, there has been a considerable upsurge of interest in heavily doped semiconductors. This interest is due primarily to the expanding range of applications of such. materials. Moreover, the heavy doping of semiconductors produces new effects (the forma tion of impurity aggregates, the appearance of allowed states in the forbidden band,...
Elsevier, 2013. — 352 p. — ISBN: 9780444633149. Topological Insulators, volume six in the Contemporary Concepts of Condensed Matter Series, describes the recent revolution in condensed matter physics that occurred in our understanding of crystalline solids. The book chronicles the work done worldwide that led to these discoveries and provides the reader with a comprehensive...
San Diego, CA: Academic Press, 1999. — xvii, 426 p. — (Semiconductors and Semimetals 58). The two-volume set is designed to bring together two streams of thought—semiconductors and nonlinear optics—and to bridge the gap between optics and electronics. Practical nonlinear optical devices in semiconductors are on the verge of becoming a reality, as switches, modulators,...
San Diego, CA: Academic Press, 1999. — xvii, 426 p. — (Semiconductors and Semimetals 58). The two-volume set is designed to bring together two streams of thought—semiconductors and nonlinear optics—and to bridge the gap between optics and electronics. Practical nonlinear optical devices in semiconductors are on the verge of becoming a reality, as switches, modulators,...
San Diego, CA: Academic Press, 1999. — xiv, 334 p. — (Semiconductors and Semimetals 59). The two-volume set is designed to bring together two streams of thought—semiconductors and nonlinear optics—and to bridge the gap between optics and electronics. Practical nonlinear optical devices in semiconductors are on the verge of becoming a reality, as switches, modulators,...
San Diego, CA: Academic Press, 1999. — xiv, 334 p. — (Semiconductors and Semimetals 59). The two-volume set is designed to bring together two streams of thought—semiconductors and nonlinear optics—and to bridge the gap between optics and electronics. Practical nonlinear optical devices in semiconductors are on the verge of becoming a reality, as switches, modulators,...
Springer, 2004. — 302 p. — (Solid-State Sciences 141). — ISBN 978-3642-05781-6. Экситоны в низкоразмерных полупроводниках: теория, приложения численных методов Low-dimensional semiconductors have become a vital part of today's semiconductor physics, and excitons in these systems are ideal objects that bring textbook quantum mechanics to life. Furthermore, their theoretical...
World Scientific Publishing Company, 1995. - 250 р.
This book surveys semiconductor superlattices, in particular their growth and electronic properties in an applied electric field perpendicular to the layers. The main developments in this field, which were achieved in the last five to seven years, are summarized. The electronic properties include transport through minibands at...
Oxford et al.: Pergamon Press, 1968.– xii +159 p. The study of deep lying energy band structure from the investigation of the optical properties, in particular the measurement of reflectivity, is a comparatively new field. The authors give an adequately comprehensive coverage of the subject from an experimental viewpoint. For the sake of completeness, brief treatments are also...
Oxford et al.: Pergamon Press, 1968.– xii +159 p. The study of deep lying energy band structure from the investigation of the optical properties, in particular the measurement of reflectivity, is a comparatively new field. The authors give an adequately comprehensive coverage of the subject from an experimental viewpoint. For the sake of completeness, brief treatments are also...
New York: Wiley & Sons Inc., 1967. - 366 p. The purpose of this book is to provide an introduction to the physics and technology of planar silicon devices, i.e., devices made by the planar technology. To be sure, the physical principles underlying the fabrication and the operation of these devices do not differ from those underlying the fabrication and the operation of devices...
3rd Edition. — Springer, 2016. — 998 p. The 3rd edition of this successful textbook contains ample material for a comprehensive upper-level undergraduate or beginning graduate course, guiding readers to the point where they can choose a special topic and begin supervised research. The textbook provides a balance between essential aspects of solid-state and semiconductor...
3rd Edition. — Springer, 2016. — 998 p. — (Graduate Texts in Physics). The 3rd edition of this successful textbook contains ample material for a comprehensive upper-level undergraduate or beginning graduate course, guiding readers to the point where they can choose a special topic and begin supervised research. The textbook provides a balance between essential aspects of...
4th Edition. — Springer, 2021. — 905 p. — (Graduate Texts in Physics). — ISBN 978-3-030-51568-3. This book introduces students to semiconductor physics and semiconductor devices. It brings them to the point where they can specialize and enter supervised laboratory research. It is based on the two semester semiconductor physics course taught at Universität Leipzig in its Master...
3rd edition. - Heidelberg et al.: Springer, 2016. - 998 p. The 3rd edition of this successful textbook contains ample material for a comprehensive upper-level undergraduate or beginning graduate course, guiding readers to the point where they can choose a special topic and begin supervised research. The textbook provides a balance between essential aspects of solid-state and...
4th Edition. - Springer, 2021. — 905 p. — ISBN 978-3030515683. The 4th edition of this highly successful textbook features copious material for a complete upper-level undergraduate or graduate course, guiding readers to the point where they can choose a specialized topic and begin supervised research. The textbook provides an integrated approach beginning from the essential...
4th Edition. - Springer, 2021. — 905 p. — ISBN 978-3030515683. The 4th edition of this highly successful textbook features copious material for a complete upper-level undergraduate or graduate course, guiding readers to the point where they can choose a specialized topic and begin supervised research. The textbook provides an integrated approach beginning from the essential...
Springer, 2016. - 573 pp. This book presents the latest developments in semiconducting materials and devices, providing up-to-date information on the science, processes, and applications in the field. A wide range of topics are covered, including optoelectronic devices, metal–semiconductor junctions, heterojunctions, MISFETs, LEDs, semiconductor lasers, photodiodes, switching...
CRC Press, 2025. — 396 p. — ISBN 978-1-032-78906-4. Справочник по полупроводникам: основы новых приложений This book provides readers with state-of-the-art knowledge of established and emerging semiconducting materials, their processing, and the fabrication of chips and microprocessors. Applications of semiconductors in electronic devices, chips, and microprocessors are covered...
Springer, 2023. — 141 p. — (Synthesis Lectures on Engineering, Science, and Technology). — ISBN 978-3-031-24792-7. This book explains the basic elements that readers need to know about amorphous silicon material and a-Si:H TFTs. It includes the main principles of the transistors operation, modeling and applications. Fundamentals about transport mechanisms in a-Si:H TFTs and the...
Springer, 2023. — 141 р. — ISBN 978-3-031-24793-4. This book explains the basic elements that readers need to know about amorphous silicon material and a-Si:H TFTs. It includes the main principles of the transistors operation, modeling and applications. Fundamentals about transport mechanisms in a-Si:H TFTs and the associated electronic properties are introduced and extended to...
Springer, 2023. — 141 р. — ISBN 978-3-031-24793-4. This book explains the basic elements that readers need to know about amorphous silicon material and a-Si:H TFTs. It includes the main principles of the transistors operation, modeling and applications. Fundamentals about transport mechanisms in a-Si:H TFTs and the associated electronic properties are introduced and extended to...
Lectures presented at the Second Chania Conference, held in Chania, Crete, June 30–July 14, 1968 New York: Springer Science+Business Media, 1969. - xvi, 459 p. Tunneling in Solids Energy Band Structure of Semiconductors. Interband Magneto-Optics in Small Band Gap Semiconductors and Semimetals Anisotropic Magneto-Optical Effects in Semiconductors with Cubic Symmetry. Calculation...
Lectures presented at the Second Chania Conference, held in Chania, Crete, June 30–July 14, 1968 New York: Springer Science+Business Media, 1969. - xvi, 459 p. Tunneling in Solids Energy Band Structure of Semiconductors. Interband Magneto-Optics in Small Band Gap Semiconductors and Semimetals Anisotropic Magneto-Optical Effects in Semiconductors with Cubic Symmetry. Calculation...
Lectures presented at the First Chania Conference held at Chania, Crete, July 16–29, 1967 New York: Springer Science+Business Media, 1969. - xx, 483 p. The Interaction of Acoustic and Electromagnetic Waves (“Son et Lumière”) with Plasmas in a Magnetic Field. Intraband Collective Effects and Magnetooptical Properties of Many-Valley Semiconductors. Effects of Band Population on...
Lectures presented at the First Chania Conference held at Chania, Crete, July 16–29, 1967 New York: Springer Science+Business Media, 1969. - xx, 483 p. The Interaction of Acoustic and Electromagnetic Waves (“Son et Lumière”) with Plasmas in a Magnetic Field. Intraband Collective Effects and Magnetooptical Properties of Many-Valley Semiconductors. Effects of Band Population on...
3rd Edition. — Springer, 2017. — 723 p. — (Graduate Texts in Physics). — ISBN: 978-3-319-66859-8. The new edition of this textbook presents a detailed description of basic semiconductor physics. The text covers a wide range of important phenomena in semiconductors, from the simple to the advanced. Four different methods of energy band calculations in the full band region are...
3rd Edition. — Springer International Publishing AG, 2017. — 752 p. — ( Graduate Texts in Physics) — ISBN: 3319668595. The new edition of this textbook presents a detailed description of basic semiconductor physics. The text covers a wide range of important phenomena in semiconductors, from the simple to the advanced. Four different methods of energy band calculations in the...
2nd ed. - Springer-Verlag, Berlin, 2010, 570 p.
This book presents a detailed description of the basic physics of semiconductors. All the important equations describing the properties of these materials are derived without the help of other textbooks. The reader is assumed to have only a basic command of mathematics and some elementary semiconductor physics. The text covers a...
4th edition. — Springer, 2023. — 790 p. — (Graduate Texts in Physics). — ISBN 978-3-031-25510-6. This textbook presents a detailed description of basic semiconductor physics, covering a wide range of important phenomena in semiconductors, from simple to advanced. It introduces and explains four different methods of energy band calculations in the full band region and covers...
4th edition. — Springer, 2023. — 1135 p. — (Graduate Texts in Physics). — ISBN 978-3-031-25511-3. This textbook presents a detailed description of basic semiconductor physics, covering a wide range of important phenomena in semiconductors, from simple to advanced. It introduces and explains four different methods of energy band calculations in the full band region and covers...
CRC Press, 2016. — 368 p. — ISBN: 9781498745123. This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs). The properties of nitride semiconductors make the material very suitable for electronic devices used in...
The American philosophical society. Independence square. Philadelphia. 1957. Digital Publisher: World Public Library Association. - 755 P. The purpose of this book is to trace the discovery and the ideas regarding these weak lights without heat from the earliest times until the end of the nineteenth century. As far as possible, the attempt has been made to present the views of the...
2004. - 453 p.
The electronic properties of semiconductors form the basis of the latest and current technological revolution, the development of ever smaller and more powerful computing devices, which affect not only the potential of modern science but practically all aspects of our daily life. This dramatic development is based on the ability to engineer the electronic...
Elsevier Science, 2005, Pages: 630 The high speed lasers operating at wavelength of 1.3 µm and 1.55 µm are very important light sources in optical communications since the optical fiber used as a transport media of light has dispersion and attenuation minima, respectively, at these wavelengths. These long wavelengths are exclusively made of InP-based material InGaAsP/InP....
Сборник. Rijeka, Croatia. 2013. 402 р. Characterization for Device Application Nondestructive and Contactless Characterization Method for Spatial Mapping of the Thickness and Electrical Properties in Homo-Epitaxially Grown SiC Epilayers Using Infrared Reflectance Spectroscopy Characterization of Defects Evolution in Bulk SiC by Synchrotron X-Ray Imaging Ion Synthesis of SiC and...
London: Chapman and Hall, 1970.– 144 p. The aim of this book is to provide a bridge between the usual textbook on solid state physics with one or two chapters on optical properties, and the specialized review article or original paper. It will be assumed that the reader has some knowledge of electro-magnetic theory and elementary quantum theory. The scope is limited to a treatment...
London: Chapman and Hall, 1970.– 144 p. The aim of this book is to provide a bridge between the usual textbook on solid state physics with one or two chapters on optical properties, and the specialized review article or original paper. It will be assumed that the reader has some knowledge of electro-magnetic theory and elementary quantum theory. The scope is limited to a treatment...
2nd Edition. — Pan Stanford Publishing Pte. Ltd., USA, 2016. — 326 p. — ISBN10: 9814745561 Today, the concepts of single-electron tunneling (SET) are used to understand and model single-atom and single-molecule nanoelectronics. The characteristics of nanoelectronic devices, especially SET transistors, can be understood on the basis of the physics of nanoelectronic devices and...
3rd Edition. — CRC Press, USA, 2019. — 301 p. — ISBN10: 9814745561 Today, the concepts of single-electron tunneling (SET) are used to understand and model single-atom and single-molecule nanoelectronics. The characteristics of nanoelectronic devices, especially SET transistors, can be understood on the basis of the physics of nanoelectronic devices and circuit models. A circuit...
Cambridge University Press, 2007. — 645 p. Covering topics that are especially important in electronic device development, this book surveys the properties, effects, roles and characterization of structurally extended defects in semiconductors. The basic properties of extended defects are outlined, and their effect on the electronic properties of semiconductors, their role in...
CRC : 2010, ISBN: 1439826943, 431 pages Space applications, nuclear physics, military operations, medical imaging, and especially electronics (modern silicon processing) are obvious fields in which radiation damage can have serious consequences, i.e. , degradation of MOS devices and circuits. Zeroing in on vital aspects of this broad and complex topic, Radiation Effects in...
Academic Press Inc, 1960. — 446 p. This book covers the physics of semiconductors on an introductory level, assuming that the reader already has some knowledge of condensed matter physics. Crystal structure, band structure, carrier transport, phonons, scattering processes and optical properties are presented for typical semiconductors such as silicon, but III-V and II-VI compounds...
Berlin: Springer, 2004. — 437 p. Kingdom of Nanostructures (Multilayered Heterostructures. Quantum Wells and Superlattices. Quantum Wires and Nanotubes. Nanocrystals and Quantum Dot Structures) Quantum Confinement in Low-Dimensional Systems (Charge Carriers in Quantum Wells. Electron States in Quantum Wires and Nanotubes. Size Quantization in Quantum Dots. Spin Splitting of...
Springer, 1997. — 382 p. Superlattices and Other Heterostructures deals with optical properties of superlattices and quantum-well structures with emphasis on phenomena governed by crystal symmetries. After a brief introduction to group theory and symmetries, methods to calculate spectra of electrons, excitions and phonons in heterostructures are discussed. Further chapters cover...
Springer, 2009. — 315 p. — (Lecture Notes in Physics 773). — ISBN: 978-3-540-89526-8, 978-3-642-10047-5, 978-3-540-89525-1. Semiconductor devices are ubiquitous in the modern computer and telecommunications industry. A precise knowledge of the transport equations for electron flow in semiconductors when a voltage is applied is therefore of paramount importance for further...
Сборник. Berlin Heidelberg. Springer-Verlag 2004 348 p. Springer Series in SOLID-STATE SCIENCES. Vol. 146. Содержание. S. W. Koch, M. Kim Excitons in Semiconductors H. Zhao, H. Kalt Hot Excitons in ZnSe Quantum Wells W. Langbein, G. Kocherscheidt, R. Zimmermann Probing Localized Excitons by Speckle Analysis of Resonant Light Scattering R. Sauer, K.Thonke Donor-Related Exciton...
5th Edition. — Springer, 2019. — 559 p. — (Graduate Texts in Physics). — ISBN: 978-3-030-24150-6. This revised and updated edition of the well-received book by C. Klingshirn provides an introduction to and an overview of all aspects of semiconductor optics, from IR to visible and UV. It has been split into two volumes and rearranged to offer a clearer structure of the course...
Wiley-VCH, 2010 — 177 p. — ISBN10: 3527406530 / ISBN13: 9783527406531 This up-to-date reference for students and researchers in the field is the first systematic treatment on the property measurements of organic semiconductor materials. Following an introduction, the book goes on to treat the structural analysis of thin films and spectroscopy of electronic states. Subsequent...
World Scientific, 1994, 349 pages This volume discusses the theory of the electron states of transition metal impurities in semicondutors in connection with the general theory of isoelectronic impurities. It contains brief descriptions of the experimental data available for transition metal impurities (from iron, palladium and the platinum groups) and rare-earth impurities in...
2nd ed. Springer, 2005. - 797 p.
The book on Semiconductor Optics has been favourably received by the students and the scientific community worldwide. After the first edition, which appeared in 1995 several reprints became necessary starting from 1997, one of them for the Chinese market. They contained only rather limited updates of the material and corrections.
In the meantime...
4th Edition. — Springer, 2012. — 849 p. — (Graduate Texts in Physics). — ISBN: 978-3-642-28362-8, 978-3-642-28361-1. This updated and enlarged new edition of Semiconductor Optics provides an introduction to and an overview of semiconductor optics from the IR through the visible to the UV, including linear and nonlinear optical properties, dynamics, magneto and electrooptics,...
Springer, 1997. - 490 p. (English)
В доступной форме изложены основы физики твердого тела и взаимодействие света с полупроводниками. Уравнения Максвелла, фотоны, спектры отражения и поглощения, влияние поверхности, электрон в периодическом поле кристаллической решетки, экситоны, плазмоны, нелинейная оптика, ультрабыстрая спектроскопия и экспериментальная техника
John Wiley & Sons, 2015. – 424 р. The first advanced textbook to provide a useful introduction in a brief, coherent and comprehensive way, with a focus on the fundamentals. After having read this book, students will be prepared to understand any of the many multi-authored books available in this field that discuss a particular aspect in more detail, and should also benefit from...
Springer, 2012. — 287 p. — (Springer Series in Materials Science. Vol. 164). — ISBN 978-3-642-28704-6. The discovery in the mid-1950s by N. A. Goryunova and B. T. Kolomiets at A. F. Ioffe Physico-Technical Institute in Leningrad of the semiconducting properties of amorphous chalcogenide alloys opened up a new field in solid state physics, namely, amorphous semiconductors. The...
De Gruyter, 2016. - 336 p. In the field of organic semiconductors researchers and manufacturers are faced with a wide range of potential molecules. This work presents concepts for simulation-based predictions of material characteristics starting from chemical stuctures. The focus lies on charge transport – be it in microscopic models of amorphous morphologies, lattice models or...
2nd ed. — Elsevier, 2015. — 1385 p. Key Features Volume IIIA Basic Techniques Provides an introduction to the chief epitaxial growth processes and the underpinning scientific concepts used to understand and develop new processes. Presents new techniques and technologies for the development of three-dimensional structures such as quantum dots, nano-wires, rods and patterned...
Cambridge University Press, 2015. - 147 pp. Understanding the structural unit of crystalline solids is vital in determining their optical and electronic properties. However, the disordered nature of amorphous semiconductors, where no long-range order is retained, makes it difficult to determine their structure using traditional methods. This book shows how computer modelling...
Монография. Cambridge, Cambridge University Press, 1991, 595 pp. This book is a graduate text devoted to the main aspects of the physics of recombination in semiconductors. It is the first book to deal exclusively and comprehensively with the subject, and as such is a self-contained volume, introducing the concepts and mechanisms of recombination from a fundamental point of...
Springer, 2010. — 236 p. — (Topics in Organometallic Chemistry 28). — ISBN 978-3-642-01865-7. For many years, organometallic compounds have found widespread uses in organic synthesis, homogeneous catalysis and pharmaceutical chemistry. In the area of new molecular materials for photonic and optoelectronic applications, the impact of coordination and organometallic complexes of...
INSPEC. The Institution of Electrical Engineers. London. United Kingdom, 1997. — 414 p. I think it is now quite timely for a book such as this to appear. The importance of a number of fabrication issues in determining properties is now established and should lead to material of improved quality. Also, in the last year or so data has at last appeared on mechanical and thermal...
Germany: Wiley-VCH, 2020. — 183 p. — ISBN: 978-3-527-34496-3. In-depth overview of two-dimensional semiconductors from theoretical studies, properties to emerging applications! Two-dimensional (2D) materials have attracted enormous attention due to their exotic properties deriving from their ultrathin dimensions. 2D materials, such as graphene, transition metal dichalcogenides,...
Singapore, Pan Stanford Publishing, 2018. — 444 p. — ISBN: 978-1-315-15013-0 Capacitance spectroscopy techniques refer to a loosely coupled collection of experimental methods for inspecting the alternatingcurrent responses of materials and devices with respect to bias voltage, modulation amplitude, frequency, and time. Since their invention starting in the 1950s, they have made...
World Scientific, 1994. — 585 p. — (International Series on Advances in Solid State Electronics and Technology). — ISBN: 981-02-1599-1. Modern Semiconductor Quantum Physics has the following constituents: (1) energy band theory: pseudopotential method (empirical and ab initio); density functional theory; quasi-particles; LCAO method; k.p method; spin-orbit splitting; effect...
Imperial College Press, 2011. – 529 p. – ISBN: 1848164068 This unique volume assembles the author's scientific and engineering achievements of the past three decades in the areas of (1) semiconductor physics and materials, including topics in deep level defects and band structures, (2) CMOS devices, including the topics in device technology, CMOS device reliability, and nano...
John Wiley & Sons, Inc., New Jersey, Canada, 2011. — 311 p. — ISBN: 047055973X This book provides a thorough, up-to-date, easily accessible introduction to the exciting topic of self-organized organic semiconductors. The first book on the market devoted to the subject, it combines information from across the literature in one complete volume, covering organic semiconductor...
Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, 2016. – 71 p. – ISBN10: 366249681X Nominated as an Excellent Doctoral Dissertation by Peking University in 2014 Proposes innovative methods for addressing the challenges in the source/drain engineering of germanium nMOSFETs Experimentally demonstrates the methods’ effectiveness with regard to reducing parasitic resistance in the source/drain...
Elsevier, 2019. — 497 p. — (Materials Today). — ISBN: 978-0-12-815468-7. This book (UWBG) covers the most recent progress in UWBG materials, including sections on high-Al-content AlGaN, diamond, B-Ga2O3, and boron nitrides. The coverage of these materials is comprehensive, addressing materials growth, physics properties, doping, device design, fabrication and performance. The...
Chichester: John Wiley & Sons, 1994. — 454 p. Surface phases is a rather specific object of materials science. So, before the presentation of the data on the particular surface phases on silicon, it seems useful to provide the reader with certain preliminary comments on the general features of surface phases. The items to be treated concern the definition of the term “surface...
Springer, 2014. — 150 p. — (Springer Tracts in Modern Physics 259). — ISBN: 3319059238 The book presents a comprehensive survey of the thermoballistic approach to charge carrier transport in semiconductors. This semi-classical approach, which the authors have developed over the past decade, bridges the gap between the opposing drift-diffusion and ballistic models of carrier...
Morgan & Claypool Publishers, USA, 2016. — 75 p. — (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies 03) — ISBN10: 1627058524. Ever since its invention in the 1980s, the compound semiconductor heterojunction-based high electron mobility transistor (HEMT) has been widely used in radio frequency (RF) applications. This book provides readers with broad coverage on...
3rd Edition. — Springer, 2004. — 704 p. This volume Semiconductors: Data Handbook contains frequently used data from the corresponding larger Landolt-Börnstein handbooks in a low price book for the individual scientist working in the laboratory. The Handbook contain important information about a large number of semiconductors.
CRC Press, 2021. — 274 p. — ISBN 9780367519292. Anticipating a limit to the continuous miniaturization (More-Moore), intense research efforts are being made to co-integrate various functionalities (More-than-Moore) in a single chip. Currently, strain engineering is the main technique used to enhance the performance of advanced semiconductor devices. Written from an engineering...
Hoboken: Wiley, 2022. — 237 p. Preface About the author Acknowledgments About the companion website Concepts of statistical physics Semiconductors Introduction to semiconductor devices: the p-n junction Photovoltaic devices (mainly solar cells) Transistors Appendix: Geometrical interpretation of the chemical potential and free energy Index
CRC Press, Taylor & Francis Group, Boca Raton, FL, 2012, 348 pages, ISBN: 1439831521
Dopants and Defects in Semiconductors covers the theory, experimentation, and identification of impurities, dopants, and intrinsic defects in semiconductors. The book fills a crucial gap between solid-state physics and more specialized course texts.
The authors first present introductory...
Park Ridge, New Jersey: Noyes Publications, 1989. — xxii, 330 p. Characterization of semiconductor materials and methods used to characterize them will be described extensively in this Noyes series. Written by experts in each subject area, the series will present the most up-to-date information available in this rapidly advancing field. Includes chapters on Electrical...
Park Ridge, New Jersey: Noyes Publications, 1989. — xxii, 330 p. Characterization of semiconductor materials and methods used to characterize them will be described extensively in this Noyes series. Written by experts in each subject area, the series will present the most up-to-date information available in this rapidly advancing field. Includes chapters on Electrical...
Carnegie-Mellon University Pittsburgh, 1980. — 999 c.
Semiconductor Junctions and Diodes.
Metal-Semiconductor Schottky-Barrier Diodes.
Microwave Applications of Diodes, Varactors and Tunnel Diodes.
Bipolar Junction Transistors.
Thyristors - Controlled PNPN and Related Switch Devices.
JFETs and MESFETs - Field Effect Transistors.
Insulated Gate-Field-Effect-Transistors:...
New York ; London: Academic Press, 1972. — 418 p. Semiconductor heterojunction research is an important area of device study which developed from the research of the last decade on semiconductor epitaxy. The barriers introduced into the energy-band diagram by the energy-gap difference of two semiconductors allow a new degree of freedom to the device designer. In heterojunction...
Springer, 2008. — 559 p. "This book is a course very well written and comprehensive dedicated to semiconductors. The authors have detailed fundamental concepts from basic physics until research and development topics. … Important semiconductors properties are summarized in useful tables at the end of the book. To help students to be familiar with the theory, examples are...
Springer, 2004. — 264 p. — (Springer Series in Surface Sciences 43) — ISBN: 978-3-662-06945-5; 978-3-642-05778-6; 978-3-540-20215-8. Almost all semiconductor devices contain metal-semiconductor, insulator-semiconductor, insulator-metal and/or semiconductor-semiconductor interfaces; and their electronic properties determine the device characteristics. This is the first monograph...
Springer Berlin Heidelberg, 1993, 367 p.
Surface Space-Charge Region in Thermal Equilibrium
Surface States
Occupation of Surface States and Surface Band-Bending in Thermal Equilibrium
Surface Space-Charge Region in Non-Equilibrium
Interface States
Cleaved {110} Surfaces of III–V and II–VI Compound Semiconductors
{100}Surfaces of III–V, II–VI, and I–VII Compound...
Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2001 — 3rd Ed. — 548p. — (Springer Series in Surface Sciences 26) — ISBN: 978-3-662-04459-9 (eBook), 978-3-642-08748-6 (Softcover), 978-3-540-67902-8 (Hardcover). Semiconductor Surfaces and Interfaces deals with structural and electronic properties of semiconductor surfaces and interfaces. The first part introduces the general aspects of...
Taylor & Francis Group, 2015. - 207 p. - This book covers electronic and structural properties of light-induced defects, light-induced defect creation processes, and related phenomena in crystalline, amorphous, and microcrystalline semiconductors. It provides a theoretical treatment of recombination-enhanced defect reaction in crystalline semiconductors, particularly GaAs and...
John Wiley & Sons, 2017. — 280 p. — (Materials for Electronic and Optoelectronic Applications). — ISBN: 9781118757949. Amorphous semiconductors are subtances in the amorphous solid state that have the properties of a semiconductor and which are either covalent or tetrahedrally bonded amorphous semiconductors or chelcogenide glasses. Developed from both a theoretical and...
Wiley, Weinheim, 2008, 883 pages, ISBN: 352740838X The three volumes of this handbook treat the fundamentals, technology and nanotechnology of nitride semiconductors with an extraordinary clarity and depth. They present all the necessary basics of semiconductor and device physics and engineering together with an extensive reference section. The handbook also deals with the...
Wiley-VCH, 2008. — 1316 p.
The three volumes of this handbook treat the fundamentals, technology and nanotechnology of nitride semiconductors with an extraordinary clarity and depth. They present all the necessary basics of semiconductor and device physics and engineering together with an extensive reference section. Volume 1 deals with the properties and growth of GaN. The...
Wiley, Weinheim, 2009, 847 pages, ISBN: 3527408398 The three volumes of this handbook treat the fundamentals, technology and nanotechnology of nitride semiconductors with an extraordinary clarity and depth. They also deal with the properties and processes for thermal, optical and electrical systems, as well as magnetism and magnetic properties and spin-based device concepts....
Springer-Verlag Berlin Heidelberg New York 1980, 476 P.
Discovery of new transport phenomena and invention of electron devices through exploitation of these phenomena have caused a great deal of interest in the properties of compound semiconductors in recent years. Extensive re- search has been devoted to the accumulation of experimental results, par- ticularly about the...
Moscow: Mir Publishers, 1983. — 404 p. Translated from the Russian by M. Samokhvalov. The book contains a theory of and experimental data on the semiconducting compounds of transition and rare-earth elements. Peculiar to magnetic semiconductors is the extremely strong influence exercised by their magnetic properties on their electrical and optical properties, and vice versa,...
Книга на английском языке повещена кремнию используемом для изготовления солнечных элементов. Springer 2009. — 260 p. (Advances in Materials Research, 14) This book, a continuation of the series Advances in Materials Research, is intended to provide the general basis of the science and technology of crystal growth of silicon for solar cells. In the face of the destruction of...
CRC Press, 2022. — 303 p. — ISBN: 978-1-032-06161-0. This book covers the fundamentals and significance of 2-D materials and related semiconductor transistor technologies for the next-generation ultra low power applications. It provides comprehensive coverage on advanced low power transistors such as NCFETs, FinFETs, TFETs, and flexible transistors for future ultra low power...
CRC Press, 2022. — 303 p. — ISBN: 978-1-032-06161-0. This book covers the fundamentals and significance of 2-D materials and related semiconductor transistor technologies for the next-generation ultra low power applications. It provides comprehensive coverage on advanced low power transistors such as NCFETs, FinFETs, TFETs, and flexible transistors for future ultra low power...
2nd Edition. — Elsevier, 2015. — 1185 p. — ISBN: 978-0-444-56369-9. Handbook of Crystal Growth: Fundamentals, Volume I addresses the present status of crystal growth science, provides scientific tools for the following volumes: Volume II (Bulk Crystal Growth) and III (Thin Film Growth and Epitaxy). Handbook of Crystal Growth: Fundamentals, Volume I consists of 2 parts: Part A...
Springer, 2010. — 366 p. — (Topics in Applied Physics 124). — ISBN: 978-90-481-2876-1. This book provides a snapshot of recent progress in the field of rare-earth-doped group III-nitride semiconductors, especially GaN, but extending to AlN and the alloys AlGaN, AlInN and InGaN. This material class is currently enjoying an upsurge in interest due to its ideal suitability for...
Oxford University Press, 2004. — 524 p. — ISBN 9780198530831, 0-19-853083-8. The book provides an overview of the fascinating spectrum of semiconductor physics, devices and applications, presented from a historical perspective. It covers the development of the subject from its inception in the early nineteenth century to the recent millennium. Written in a lively, informal...
Springer Science+Business Media, New York, 2014. – 287 p. – ISBN: 978-1-4614-8835-4 A modern and concise treatment of the solid state electronic devices that are fundamental to electronic systems and information technology is provided in this book. The main devices that comprise semiconductor integrated circuits are covered in a clear manner accessible to the wide range of...
Springer, 2019. — 596 p. — ISBN10: 3030021696. This book is a practical guide to optical, optoelectronic, and semiconductor materials and provides an overview of the topic from its fundamentals to cutting-edge processing routes to groundbreaking technologies for the most recent applications. The book details the characterization and properties of these materials. Chemical...
New York: Oxford University Press Inc., 2012. — 558 p. — ISBN: 978-0-19-958833-6 Luminescence of semiconductors is nowadays based on very firm background of solid state physics. The purpose of this book is to introduce the reader to the study of the physical principles underlying inorganic semiconductor luminescence phenomena. It guides the reader starting from the very...
Oxford, Elsevier Advanced Technology, 1991, 349 pages This research book reviews the important recent advances in the rapidly expanding III-V field. A complete reference that examines the fundamental aspects of different etching systems and their suitability in major application areas. Each system is classified according to mechanism and kinetics. List of symbols and...
Academic Press, 1973, 288 pages This classic work on the basic chemistry and solid state physics of semiconducting materials is now updated and improved with new chapters on crystalline and amorphous semiconductors. Written by two of the world's pioneering materials scientists in the development of semiconductors, this work offers in a single-volume an authoritative treatment...
Springer-Verlag Wien, 2004. – xxi, 562 p. – (Computational Microelectronics). – ISBN: 978-3-7091-7204-9, Basically all properties of semiconductor devices are influenced by the distribution of point defects in their active areas. This book contains the first comprehensive review of the properties of intrinsic point defects, acceptor and donor impurities, isovalent atoms,...
Addison-Wesley Publishing Cempany, Inc., 1996. — 791 p. — ISBN 0201543931. Although roughly a half-century old, the field of study associated with semiconductor devices continues to be dynamic and exciting. New and improved devices are being developed at an almost frantic pace. While the number of devices in complex integrated circuits increases and the size of chips decreases,...
Springer, 2018. — 142 p. — (Springer Theses). — ISBN: 978-3-319-69598-3. The field of organic semiconductors has seen tremendous progress in the past years: Through synthesis of new materials and development of new processing routes, many of the technologically relevant properties of conjugated molecular materials and their devices have been improved—including, e.g., the charge...
Springer, 2013. — 325 p. — (Graduate Texts in Physics). — ISBN: 978-3-642-32970-8, 978-3-642-43331-3, 978-3-642-32969-2. Introduction to Epitaxy provides the essential information for a comprehensive upper-level graduate course treating the crystalline growth of semiconductor heterostructures. Heteroepitaxy represents the basis of advanced electronic and optoelectronic devices...
2nd Edition. — Springer, 2020. — 546 p. — (Graduate Texts in Physics). — ISBN: 978-3-030-43868-5. The extended and revised edition of this textbook provides essential information for a comprehensive upper-level graduate course on the crystalline growth of semiconductor heterostructures. Heteroepitaxy is the basis of today’s advanced electronic and optoelectronic devices, and it...
2nd Edition. — Pan Stanford, 2018. — 341 c. — ISBN: 9814774375. Devices based on disordered semiconductors have wide applications. It is difficult to imagine modern life without printers and copiers, LCD monitors and TVs, optical disks, economical solar cells, and many other devices based on disordered semiconductors. However, nowadays books that discuss disordered (amorphous,...
Thesis (M.S.in Phys.) — Naval Postgraduate School, 1985. — 110 p. SOS n-channel, insulated gate field effect transistors (IGFETs) were irradiated at room temperature with a 30 MeV electron beam at doses from 10 4 to 10 6 Rads (Si ) . The effects of the irradiation on IGFET performance were evaluated by measuring threshold voltage, saturation transconductance and leakage current....
New York: Interscience Publishers Inc., 1946. — 201 c. Tales about precious stones shining in the dark stretch back into antiquity. They are supposed to have adorned the temples of the gods and the crowTis of princes. This might have been the first technical application of luminescent material. However, the most reliable authors quoted as witnesses for the existence of such...
Springer Science+Business Media — 1970 — 387 p. — ISBN: 978-1-4684-8609-4 The last decade has seen radical changes in our understanding of the physical properties of semiconductors. It has been established that the energy spectrum of electrons is much more complex than had originally been predicted: in many cases, there are several energy bands with different parameters. It...
Springer, 2019. — 304 p. — (Springer Series in Materials Science 288). — ISBN: 978-3-030-23298-6. This book provides a comprehensive survey of the technology of flash lamp annealing (FLA) for thermal processing of semiconductors. It gives a detailed introduction to the FLA technology and its physical background. Advantages, drawbacks and process issues are addressed in detail...
Cambridge University Press, 1996. - 228 p. This is the first book to give a complete overview of the properties of deep-level, localized defects in semiconductors. Such comparatively long-lived (or metastable) defects exhibit complex interactions with the surrounding material, and can significantly affect the performance and stability of certain semiconductor devices. After an...
Oxford: Clarendon Press, 1988. - 252 p.
In modern semiconductor technology, contacts between semiconducting devices and the metal conductors that connect them with the rest of the system are of fundamental importance. This book deals with the basic science of such contacts, and discusses the electrical properties that are relevant to semiconductor technology.
Topics covered...
Apress Media, LLC., 2023. — 315 p. — ISBN-13: 978-1-4842-8846-7. Gain complete understanding of electronic systems and their constituent parts. From the origins of the semiconductor industry right up until today, this book serves as a technical primer to semiconductor technology. Spanning design and manufacturing to the basic physics of electricity, it provides a comprehensive...
Apress Media, LLC., 2023. — 315 p. — ISBN-13: 978-1-4842-8847-4. Gain complete understanding of electronic systems and their constituent parts. From the origins of the semiconductor industry right up until today, this book serves as a technical primer to semiconductor technology. Spanning design and manufacturing to the basic physics of electricity, it provides a comprehensive...
Apress Media, LLC., 2023. — 315 p. — ISBN-13: 978-1-4842-8847-4. Gain complete understanding of electronic systems and their constituent parts. From the origins of the semiconductor industry right up until today, this book serves as a technical primer to semiconductor technology. Spanning design and manufacturing to the basic physics of electricity, it provides a comprehensive...
Apress Media, LLC., 2023. — 315 p. — ISBN-13: 978-1-4842-8847-4. Gain complete understanding of electronic systems and their constituent parts. From the origins of the semiconductor industry right up until today, this book serves as a technical primer to semiconductor technology. Spanning design and manufacturing to the basic physics of electricity, it provides a comprehensive...
1999. - 436 p.
This book, then, is written primarily for the postgraduate student and the experimentalist. It attempts to set out the theory of those basic quantum-mechanical processes in homogeneous semiconductors which are most relevant to applied semiconductor physics. Therefore the subject matter is concentrated almost exclusively on electronic processes. Thus no mention is...
5th edition. — Oxford: Oxford University Press, 2013. — 449 p. — ISBN: 0199677212 This book sets out the fundamental quantum processes that are important in the physics and technology of semiconductors in a relatively informal style that graduate students will find very attractive. The fifth edition includes new chapters that expand the coverage of semiconductor physics...
2 edition. — Cambridge University Press, 2009. — 409 p. Advances in nanotechnology have generated semiconductor structures that are only a few molecular layers thick, and this has important consequences for the physics of electrons and phonons in such structures. This book describes in detail how confinement of electrons and phonons in quantum wells and wires affects the...
Springer, New York, 2008, 622 pages
This book describes semiconductors from a materials science perspective rather than from condensed matter physics or electrical engineering viewpoints. It includes discussion of current approaches to organic materials for electronic devices. It further describes the fundamental aspects of thin film nucleation and growth, and the most common...
Boca Raton, FL; CRC Press Taylor & Francis Group, 2012. — 567 p. Nanotechnology has had a profound positive impact on thermoelectrics. It has contributed substantially to the development of advanced materials with improved thermoelectric and physical properties. This in turn has resulted in significantly increasing the economic competitiveness of thermoelectric energy harvesting....
Cham: Springer, 2022. — 1680 p. This Springer Handbook comprehensively covers the topic of semiconductor devices, embracing all aspects from theoretical background to fabrication, modeling, and applications. Nearly 100 leading scientists from industry and academia were selected to write the handbook's chapters, which were conceived for professionals and practitioners, material...
2nd Edition. — Elsevier, 2015. — 1378 p. — ISBN: 978-0-444-63303-3. Handbook of Crystal Growth: Bulk Crystal Growth, Volume II consists of 2 parts: Part A (Basic Techniques) and Part B (Growth Mechanisms and Dynamics). Part A presents basic growth technologies and modern crystal cutting methods. Particularly, the methodical fundamentals and development of technology in the...
Wiley-VCH, 2003, 686 pages Semiconductor components based on silicon have been used in a wide range of applications for some time now. These elemental semiconductors are now well researched and technologically well developed. In the meantime the focus has switched to a new group of materials: ceramic semiconductors based on nitrides are currently the subject of research due to...
2nd Edition. — World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., 2017. — 262 p. — ISBN10: 9814749532 Semiconductor Glossary is a one of a kind contribution to the pool of publications in the field of semiconductor science and engineering. It was conceived in recognition of an apparent lack of references that would provide brief, straightforward explanations of terms and terminology in...
Springer, 1995, 318 pages Based on courses given at the Ecole Polytechnique in France, this book covers not only the fundamental physics of semiconductors, but also discusses the operation of electronic and optical devices based on semiconductors. It is aimed at students with a good background in mathematics and physics, and is equally suited for graduate-level courses in...
2nd edition. — De Gruyter, 2021. — 428 p. — ISBN 978-3-11-063887-5. Semiconductor Spintronics, as an emerging research discipline and an important advanced field in physics, has developed quickly and obtained fruitful results in recent decades. This volume is the first monograph summarizing the physical foundation and the experimental results obtained in this field. With the...
2nd edition. — De Gruyter, 2021. — 428 p. — ISBN 978-3-11-063887-5. Semiconductor Spintronics, as an emerging research discipline and an important advanced field in physics, has developed quickly and obtained fruitful results in recent decades. This volume is the first monograph summarizing the physical foundation and the experimental results obtained in this field. With the...
Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, 2004. – 204 p. – ISBN: 978-3-540-39986-5 This monograph represents a critical survey of the outstanding capabilities of X-ray diffuse scattering for the structural characterization of mesoscopic material systems. The mesoscopic regime comprises length scales ranging from a few up to some hundreds of nanometers. It is of particular relevance...
Springer, 1987. — xi, 313 p. Semiconductors can exhibit electrical instabilities like current runaway, threshold switching, current filamentation, or oscillations, when they are driven far from thermodynamic equilibrium. This book presents a coherent theoretical description of such cooperative phenomena induced by generation and recombination processes of charge carriers in...
Berlin: Springer Verlag, 1987.– xi, 313 p. Semiconductors can exhibit electrical instabilities like current runaway, threshold switching, current filamentation, or oscillations, when they are driven far from thermodynamic equilibrium. This book presents a coherent theoretical description of such cooperative phenomena induced by generation and recombination processes of charge...
Pan Stanford Publishing, 2018. - 307p. This book provides an overview of compound semiconductor materials and their technology. After presenting a theoretical background, it describes the relevant material preparation technologies for bulk and thin-layer epitaxial growth. It then briefly discusses the electrical, optical, and structural properties of semiconductors,...
Монография. Springer-Verlag, Wien-New York, 1994, 221 pp. This book represents a comprehensive text devoted to charge transport at semiconductor interfaces and its consideration in device simulation by interface and boundary conditions. It contains a broad review of the physics, modelling and simulation of electron transport at interfaces in semiconductor devices. Particular...
Springer: Berlin, Heidelberg. 2004. – 193 p. The study of semiconductor-layer structures using infrared ellipsometry is a rapidly growing field within optical spectroscopy. This book offers basic insights into the concepts of phonons, plasmons and polaritons, and the infrared dielectric function of semiconductors in layered structures. It describes how strain, composition, and...
Springer, 2004. – 193 p. – ISBN: 3540232494 The study of semiconductor-layer structures using infrared ellipsometry is a rapidly growing field within optical spectroscopy. This book offers basic insights into the concepts of phonons, plasmons and polaritons, and the infrared dielectric function of semiconductors in layered structures. It describes how strain, composition, and...
Springer-Verlag, 2009. 294 pp.
Defect charging can affect numerous aspects of defect properties, including physical structure, rate of diffusion, chemical reactivity, and interactions with the electrons that give the semiconductor its overall characteristics. This book represents the first comprehensive account of the behavior of electrically charged defects in semiconductors....
9-е изд., Springer-Verlag Berlin Heidelberg GmbH, 2004. - 537 c. Elementary Properties of Semiconductors. Insulator - Semiconductor - Semimetal - Metal. The Positive Hole. Conduction Processes, Compensation, Law of Mass Action. Energy Band Structure. Single and Periodically Repeated Potential Well. Energy Bands by Tight Binding of Electrons to Atoms. The Brillouin Zone....
8th edition. — Springer, 2002. — 535 p. Elementary Properties of Semiconductors. Insulator - Semiconductor - Semimetal - Metal. The Positive Hole. Conduction Processes, Compensation, Law of Mass Action. Energy Band Structure. Single and Periodically Repeated Potential Well. Energy Bands by Tight Binding of Electrons to Atoms. The Brillouin Zone. Constant Energy Surfaces....
7th edition. — Springer, 1999. — 534 p. Elementary Properties of Semiconductors. Insulator - Semiconductor - Semimetal - Metal. The Positive Hole. Conduction Processes, Compensation, Law of Mass Action. Energy Band Structure. Single and Periodically Repeated Potential Well. Energy Bands by Tight Binding of Electrons to Atoms. The Brillouin Zone. Constant Energy Surfaces....
5th edition. — Springer, 1991. — 516 p. Elementary Properties of Semiconductors. Insulator - Semiconductor - Semimetal - Metal. The Positive Hole. Conduction Processes, Compensation, Law of Mass Action. Energy Band Structure. Single and Periodically Repeated Potential Well. Energy Bands by Tight Binding of Electrons to Atoms. The Brillouin Zone. Constant Energy Surfaces....
4th edition. — Springer, 1989. — 491 p. Elementary Properties of Semiconductors. Insulator - Semiconductor - Semimetal - Metal. The Positive Hole. Conduction Processes, Compensation, Law of Mass Action. Energy Band Structure. Single and Periodically Repeated Potential Well. Energy Bands by Tight Binding of Electrons to Atoms. The Brillouin Zone. Constant Energy Surfaces....
3th edition. — Springer, 1985. — 490 p. Elementary Properties of Semiconductors. Insulator - Semiconductor - Semimetal - Metal. The Positive Hole. Conduction Processes, Compensation, Law of Mass Action. Energy Band Structure. Single and Periodically Repeated Potential Well. Energy Bands by Tight Binding of Electrons to Atoms. The Brillouin Zone. Constant Energy Surfaces....
2nd edition. — Springer, 1982. — 476 p. Elementary Properties of Semiconductors. Insulator - Semiconductor - Semimetal - Metal. The Positive Hole. Conduction Processes, Compensation, Law of Mass Action. Energy Band Structure. Single and Periodically Repeated Potential Well. Energy Bands by Tight Binding of Electrons to Atoms. The Brillouin Zone. Constant Energy Surfaces....
Moscú: Mir, 1975. — 322 p. El manual debe responder a la tarea de capacitación de los estudiantes que se especializan en el campo de la técnica de semiconductores. Por eso, a la par del carácter teórico del material, que determina el alto contenido matemático, debe prestarse gran atención a la interpretación física de los fenómenos y a los resultados experimentales de sus...
Springer, 1984. — 388 p. — ISBN: 3-540-12995-2, ISBN: 0-387-12995-2. Lightly Doped Semiconductors The Structure of Isolated Impurity States Localization of Electronic States The Structure of the Impurity Band for Lightly Doped Semiconductors A General Description of Hopping Conduction in Lightly Doped Semiconductors Percolation Theory Dependence of Hopping Conduction on the...
Cambridge University Press; 1 edition (2007), 560 pages. In this graduate textbook, Jasprit Singh presents the underlying physics behind devices that drive today's technologies. The book utilizes carefully chosen solved examples to convey important concepts and has over 250 figures and 200 homework exercises. Real-world applications are highlighted throughout the book,...
Taylor & Francis, 2003. — 329 p. Amorphous materials differ significantly from their crystalline counterparts in several ways that create unique issues in their use. This book explores these issues and their implications, and provides a full treatment of both experimental and theoretical studies in the field. Advances in Amorphous Semiconductors covers a wide range of studies...
IEK-5 Photovoltaik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 2004. — 18 S.
We report on the development and application of p- and n-type hydrogenated microcrystalline silicon oxide (μc-SiOx:H) alloys in tandem thin film silicon solar cells. Our results show that the optical, electrical and structural properties of μc-SiOx:H can be conveniently tuned over a wide range to fulfil the...
Springer-Verlag GmbH, Germany, 2017. — 141 p. — (Landolt-Börnstein: Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. Group III: Condensed Matter Volume 44H) — ISBN: 3662536188. The last update of the Landolt-B€ornstein New Series on semiconductor physics and technology, consisting of the five subvolumes III/41A to III/41E, was published in the years...
Springer, 2020. — 226 p. — ISBN 978-3-030-39654-1. The book describes developments in the crystal growth of bulk II-VI semiconductor materials. A fundamental, systematic, and in-depth study of the physical vapor transport (PVT) growth process is the key to producing high-quality single crystals of semiconductors. As such, the book offers a comprehensive overview of the...
2nd edition. — Wiley, 2002. This book is an introduction to the physical principles of modern semiconductor devices and their advanced fabrication technology. It begins with a brief historical review of major devices and key technologies and is then divided into three sections: semiconductor material properties, physics of semiconductor devices and processing technology to...
3rd ed. — New York: Wiley & Sons, Inc., 2012. — 578 p. The book is an introduction to the physical principles of modern semiconductor devices and their advanced fabrication technology. It is intended as a text for undergraduate students in applied physics, electrical and electronics engineering, and materials science. It can also serve as a reference for graduate students and...
4th edition. — Hoboken: Wiley, 2021. — 1510 p. "Since the discovery of the transistor effect in 1947 by a research team at Bell Telephone Laboratories (now Nokia Bell Labs.), the semiconductor-device field has grown rapidly. Coincident with this growth, the semiconductor-device literature has expanded and diversified. For access to this massive amount of information, there is a...
Oxford University Press, 2020. — 807 p. —– (Electroscience Series 03). — ISBN 978–0–19–875986–7. This text brings together traditional solid-state approaches from the 20th century with developments of the early part of the 21st century, to reach an understanding of semiconductor physics in its multifaceted forms. It reveals how an understanding of what happens within the...
Jenny Stanford Publishing, 2016. — 177 p. — ISBN: 9789814613255. This book is the result of dynamic developments that have occurred in condensed matter physics after the recent discovery of a new class of electronic materials: topological insulators. A topological insulator is a material that behaves as a band insulator in its interior, while acting as a metallic conductor at...
CRC Press, Taylor & Francis Group, 2019. — 295 p. — ISBN13: 978-1-4987-7833-6. III-V semiconductors have attracted considerable attention due to their applications in the fabrication of electronic and optoelectronic devices as light emitting diodes and solar cells. The electrical properties of these semiconductors can also be tuned by adding impurity atoms. Because of their...
CRC Press, Taylor & Francis Group, 2018. — 350 p. — ISBN13: 978-1-4987-7836-7. This book includes 495 critically compiled quaternary systems based on III–V semiconductors, including literature data from 728 papers; these data are illustrated in 136 figures and three tables. The information is divided into 15 chapters according to the number of possible combinations of B, Al,...
CRC Press, 2024. — 533 p. — ISBN 978-0-367-63925-9. IV–VI and IV–VI2 semiconductors have attracted considerable attention due to their applications in the fabrication of electronic and optoelectronic devices as light-emitting diodes and solar cells. The electrical properties of these semiconductors can also be tuned by adding impurity atoms. Because of their wide application in...
2003. - 396 p.
This book is made up of recent new developments in the field of ultrafast dynamics in semiconductors with particular emphasis on its applications. It consists of eight chapters. The Chapter by Jie Shan and Tony F. Heinz reviews the different schemes for generating THz radiation using photoconductive emitters excited by femtosecond lasers. The Chapter by Dzmitry A....
UK: The Institution of Engineering and Technology, 2020. — 596 p. — (IET Materials, Circuits and Devices Series 45). — ISBN: 978-1-78561-656-3. Characterisation and Control of Defects in Semiconductors Understanding the formation and introduction mechanisms of defects in semiconductors is essential to understanding their properties. Although many defect-related problems have...
Springer-Verlag New York, 1999, 401 pages (in English) ISBN: 0-387-98567-0 This book is intended for graduate student, researchers, and engineers interested in the optical properties of semiconductor heterostructures and their optoelectronic applications. The book consists of eleven chapters. Chapters 1 through 4 describe electronic properties of various types of...
Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2009, 445 P.
This book presents a detailed exposition of the formalism and application of k.p theory for both bulk and nanostructured semiconductors. For bulk crystals, this is the first time all the major techniques for deriving the most popular Hamiltonians have been provided in one place. For nanostructures, this is the first time the...
CRC Press, Taylor & Francis Group, 2015. XII, 308 p. — ISBN13: 978-981-4463-41-6 (eBook - PDF). Crystalline semiconductors in the form of thin films are crucial materials for many modern, advanced technologies in fields such as microelectronics, optoelectronics, display technology, and photovoltaic technology. Crystalline semiconductors can be produced at surprisingly low...
London, UK: Academic Press, Inc., 1991. — 252 p. — ISBN: 0127426809. In its original form, this widely acclaimed primer on the fundamentals of quantized semiconductor structures was published as an introductory chapter in Raymond Dingle's edited volume (24) of Semiconductors and Semimetals. Having already been praised by reviewers for its excellent coverage, this material is...
Kluwer Academic Publishers, 2004. - 228 c.
Interatomic Bonding, Crystal Structure, and Defects in Solids.
Interatomic Bonding.
Crystal Structure.
Defects in Solids.
Lattice Vibrations.
Band Theory of Solids.
Principles of Quantum Mechanics.
The Wave–Particle Duality.
The Heisenberg Uncertainty Principle.
The Schrödinger Wave Equation.
Some Applications of the...
Springer, 2000. - 144 p. — (Springer Tracts in Modern Physics 169)
Recent advances in semiconductor technology have made it possible to fabricate microcavity structures in which both photon fields and electron-hole pairs (or excitons) are confined in a small volume comparable to their wavelength. The radiative properties of the electron-hole pairs and excitons are modified...
Springer, 2015. — 487 p. — (Lecture Notes in Physics 916). — ISBN10: 4431557997, ISBN13: 978-4431557999. This book emphasizes the importance of the fascinating atomistic insights into the defects and the impurities as well as the dynamic behaviors in silicon materials, which have become more directly accessible over the past 20 years. Such progress has been made possible by...
4th Ed. — Springer, 2010. — 775 p. — (Graduate Texts in Physics). — ISBN: 978-3-642-00710-1, 978-3-642-00709-5. This fourth edition of the well-established Fundamentals of Semiconductors serves to fill the gap between a general solid-state physics textbook and research articles by providing detailed explanations of the electronic, vibrational, transport, and optical properties...
Springer, 1980. — 574 p. — ISBN 978-3-540-38382-6. Proceedings of the International Summer School Held in Nimes, France, September 3 – 15, 1979 This volume contains proceedings of the summer school on the physics and applications of narrow gap semiconductors. The school took place in Nimes, September 3-15, 1979. It was a very happy occasion for the 150 participants from 20...
Санкт - Петербург, Издательство "Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Контантинова РАН", 1997 год - 376 стр. ISBN 5-86763-111-7. В книге излагаются физические представления и основы теории процессов безызлучательной рекомбинации и термической ионизации электронов и дырок в полупроводниках. В частности рассмотрена феиоменологическая теория рекомбинации, теоретические...
Баку: ЭЛМ, 1971.-246 с
Исследования физических процессов, происходящих на электронно-дырочных переходах полупроводников, расширенное представление о распределении квантовых энергетических уровней электронов, об их освобождении-связывании, инжекции-экстракции и законах движения в твердом теле и управление этими процессами.
М.: Радио и связь, 1989. — 152 с. Книга посвящена изучению статических характеристик полупроводниковых диодных структур с целью поиска новых практических удобных методов их расчета. В ней изложены результаты исследований исходных уравнений, описывающих вольт-амперные характеристики, на основе математического анализа с графическим представлением полученных результатов. В книге...
Учебно-методическое пособие. — СПб.: КМЦ ФФ, 2007. — 133 с.
В учебно-методическом пособии рассмотрены строение электронных зон основных групп полупроводниковых кристаллов, взаимодействие света с кристаллами, экситонные эффекты, воздействие внешних полей, особенности оптических свойств низкоразмерных кристаллических структур, основные типы полупроводниковых устройств,...
Учебно-методическое пособие. С.-Петербург: СПбГУ, 2008. — 127 с. — (Санкт-Петербургский государственный университет). Рассмотрены различные типы излучательной рекомбинации в легированных полупроводниковых кристаллах. Приведены основные теоретические модели, описывающие электронную структуру и оптические свойства полупроводниковых кристаллов, содержащих примеси, анализируются...
Учебно-методическое пособие. С.-Петербург: СПбГУ, 2008. — 127 с. — (Санкт-Петербургский государственный университет). Рассмотрены различные типы излучательной рекомбинации в легированных полупроводниковых кристаллах. Приведены основные теоретические модели, описывающие электронную структуру и оптические свойства полупроводниковых кристаллов, содержащих примеси, анализируются...
Учебное пособие. — Санкт-Петербург: СПбГУ, 2016. — 156 с. — ISBN 978-5-288-05661-1. Рассмотрены различные типы излучательной рекомбинации в легированных полупроводниковых кристаллах. Приведены основные теоретические модели, описывающие электронную структуру и оптические свойства полупроводниковых кристаллов, содержащих примеси, анализируются результаты некоторых...
Учебное пособие. — Санкт-Петербург: СПбГУ, 2016. — 156 с. — ISBN 978-5-288-05661-1. Рассмотрены различные типы излучательной рекомбинации в легированных полупроводниковых кристаллах. Приведены основные теоретические модели, описывающие электронную структуру и оптические свойства полупроводниковых кристаллов, содержащих примеси, анализируются результаты некоторых...
Учебное пособие. 2-е изд., испр. — СПб.: Лань, 2012. — 240 с.: ил. — (Учебники для вузов. Специальная литература). — ISBN 978-5-8114-1290-7. Представлена технология и техника производства полупроводниковых материалов, имеющих широкое применение в электронной промышленности. Рассмотрены основные физические и химические свойства элементарных полупроводников и компонентов бинарных...
Учебное пособие для студентов вузов оптических приборостроительных специальностей — СПб.: Политехника, 1994. — 248 с.: ил. — ISBN: 5-7323-0248-3. В учебном пособии излагаются основы физики полупроводников, рассматриваются их оптические свойства. Дается описание базовых принципов и основных характеристик полупроводниковых оптических приборов: лазеров и светодиодов,...
Н. Новгород: ННГУ, 2011. - 88 с. Зонная структура германия, кремния и арсенида галия Движение электронов в кристалле в слабых полях Движение в однородном электрическом поле Понятие дырки Мелкие примеси в полупроводниках Движение в слабом магнитном поле Статистика электронов и дырок в полупроводниках. Нахождение химического потенциала Концентрация электронов в зоне проводимости...
Монография. - Баку, Элм, 2007. - 286 с.
Монография посвящена размытию ФП в полупроводниках и высокотемпературных сверхпроводниках. В ней охвачены основные аспекты физики размытых ФП и содержится большое количество экспериментальных данных, указывающих на сильное размытие ФП в
халькогенидах серебра и меди, а также высокотемпературных СП. Большое внимание уделено определению...
Монография. — Грозный: Академия наук Чеченской Республики, 2019. — 104 с. — ISBN: 978-5-91857-043-2. В монографии рассмотрены новые свойства и получение наноструктурированных материалов. Реализовано моделирование и проведены расчеты свойств материалов микро, - нано электроники: полупроводники типа А 2 В 6 , SiC, GaN; твердые растворы SiC-AlN. Дано описание новых эффектов:...
Горький: ИПФ, 1983. - 230 с.
В сборнике обсуждаются инвертированные распределения горячих электронов в полупроводниках - сравнительно новая и развивающаяся область физики полупроводников, содержатся статьи, посвященные анализу условий возникновения таких распределений, методам численного и экспериментального их исследования, возможности использования систем с такими...
М.: Наука, 1978. — 616 с. Посвящается памяти А.Ф. Иоффе. Книга предназначена для лиц, занимающихся экспериментальными исследованиями в области физики полупроводников. Основное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движения электрона в идеальном и возмущенном периодических полях, кинетическому уравнению и явлениям переноса (происхождения...
Учебник. — 2-е изд. — Москва: 1978. - 616 с., илл. Из предисловия к первому изданию Книга предназначена для лиц, занимающихся экспериментальными исследованиями в области физики полупроводников. Основное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движения электрона в идеальном и возмущенном периодических полях, кинетическому уравнению и явлениям...
Учебное пособие. — 4-е изд., стер. — СПб.: Лань, 2016. — 624 с.: ил. — (Учебники для вузов. Специальная литература). — ISBN 978-5-8114-0762-0. В книге рассматриваются различные вопросы теории полупроводников: колебания кристаллической решетки, законы движения электронов в идеальном и возмущенном периодических полях, кинематическое уравнение и явления переноса. Изложены элементы...
Москва; Ленинград: Государственное издательство Физико-математической литературы, 1962. — 418 с. Настоящая книга предназначена в первую очередь для лиц, занятых экспериментальными исследованиями в области физики полупроводников. Она, вероятно, окажется полезной и для студентов физических специальностей. Основное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической...
Москва; Ленинград: Государственное издательство Физико-математической литературы, 1962. — 418 с. Настоящая книга предназначена в первую очередь для лиц, занятых экспериментальными исследованиями в области физики полупроводников. Она, вероятно, окажется полезной и для студентов физических специальностей. Основное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической...
Монография. — М.: Физматлит, 2013. — 176 с. — ISBN: 978-5-9221-1492-9. В монографии рассмотрены основное состояние и термодинамика антиферромагнетиков, спиновой жидкости с четырехспиновым взаимодействием в низкомерных полупроводниках. Исследованы спектр спин-поляронных возбуждений, термоэдс, электросопротивление и магнитосопротивление при изменении магнитной структуры в рамках...
Л.: Наука, 1970. — 304 с. Излагается современная теория гальваномагнитных и термомагнитных явлений в полупроводниках. Рассмотрены случаи параболической и непараболической зон, а также зоны со многими минимумами. В книге большое место занимает квантовая теория кинетических эффектов. Учитывается влияние непараболичности зоны проводимости на кинетические эффекты в квантующем...
Москва, Издательство "Наука", 1985 год - 320 стр. Книга посвящена систематическому и подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в проводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теории гальвано - и термомагнитных эффектов. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны, а...
Перевод с нем. А.Н. Темчина, под ред. В.Л. Бонч-Бруевича. — М.: Мир, 1980. — 208 с. В книге кратко и вместе с тем достаточно ясно излагаются основы теории фотоэлектрических явлений в полупроводниках. Описаны также свойства важнейших полупроводниковых материалов и фотоэлектрические полупроводниковые элементы схем. Рассчитана на научных работников, инженеров и студентов,...
К: "Інтерпрес ЛТД", 1997. - 240 c. Монокристаллический кремний. Кислород - основная фоновая примесь в монокристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского. Свойства кислорода в кремнии. Электрически активные кислородные комплексы в термообработанном кремнии. Преципитация кислорода в кремнии.
Л.: Издательство Ленинградского университета. 1988. 304 с. ISBN: 5-288-00055-7 В монографии обобщены результаты исследований электронных процессов и физических свойств структур Si-SiO2. Рассмотрены основные способы формирования структур, методы их исследования. Приведены результаты экспериментального изучения электронных процессов в структурах Si-SiO2 в нетрадиционной системе...
Под общей редакцией П.И. Баранского
Киев: Наукова думка, 1977. - 270 с.
Применение полупроводников в науке и технике в подавляющем большинстве случаев основано на использовании их электрических и гальваномагнитных свойств, которые связаны с направленным движением носителей заряда и процессами их рассеяния в решетке кристалла. В анизотропных полупроводниках рассеяние тока...
Учебное пособие. М.: НИЯУ МИФИ, 2013. — 124 с. — ISBN: 978-5-7262-1872-4. Рассмотрено влияние радиации на современные и перспективные изделия СВЧ-диапазона, выполненные на основе таких наногетероструктурных технологий, как нитрид галлия и арсенид галлия, а также полупроводниковое соединение «кремний-германий». Предназначено для студентов, обучающихся по специальности...
Москва, Издательство Наука , 1978 год - 285 стр
В книге рассматривается влияние облучения (как электромагнитного, так и корпускулярного) на адсорбционные и каталитические свойства проводников. Дается сжатая сводка экспериментального материала, затем развивается теория явления, приводится сравнение теорий с экспериментов. В книге отражается результаты работ авторов и их...
Москва, Издательство "Наука", 1978 год - 285 стр.
В книге рассматривается влияние облучения (как электромагнитного, так и корпускулярного) на адсорбционные и каталитические свойства проводников. Дается сжатая сводка экспериментального материала, затем развивается теория явления, приводится сравнение теорий с экспериментов. В книге отражается результаты работ авторов и их...
М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1989. - 288 с.
Благодаря достижениям полупроводниковой технологии в настоящее время возможно создание многослойных периодических структур. Важным классом последних являются полупроводники со сверхрешётками, обладающие уникальными свойствами и поэтому весьма перспективные в плане практических приложений.
С единых позиций исследуются...
Ленинград: Наука, 1968.-180 с
В книге описаны основные типы управляемых полупроводниковых емкостей (барьерная, диффузионная, поверхностная), зависимость емкости от напряжения, частоты, температуры, освещения. Рассмотрены важнейшие параметры варикапов (рабочий диапазон частот, нелинейность, рабочий интервал температур, шумы), а также основные режимы работы варикапов в схемах....
Л.: Наука, 1972. 104 c
В книге обобщен опыт использования емкостных методов для исследования полупроводниковых материалов и приборов. Рассмотрено определение концентрации примесей и электрического поля в p-n-переходах и параметров сложных эквивалентных схем. Описаны методы определения параметров глубоких примесных уровней, обусловленных как примесями, вводимыми в полупроводник,...
Москва: Гос.издат. физ-мат.лит., 1963.— 88 с.
В книге рассмотрены основы электроники нелинейной полупроводниковой емкости, зависимость емкости от напряжения, температуры, частоты, а также основные параметры нелинейной полупроводниковой емкости как радиоэлектронного прибора. Рассмотрена работа емкости как элемента схемы, сформулированы требования, предъявляемые к параметрам...
Л.: «Наука», 1981. — 176 с. OCR В книге обобщен опыт использования емкостных методов для исследования глубоких центров в полупроводниковых материалах и приборах. Рассмотрены определение параметров глубоких центров и профиля их концентрации, идентификация неконтролируемых глубоких центров, кинетика образования и отжига радиационных дефектов. Теоретический анализ сочетается с...
Под ред. Д.В. Чепура. — Львов: Вища школа, Львовский университет, 1983. — 184 с. Монография посвящена вопросам физики, химии и технологии некоторых сложных полупроводниковых материалов. Рассмотрены методы синтеза и выращивания монокристаллов, основные физико-химические характеристики и возможности практического применения сложных халькогенидов и халькогалогенидов в...
Львов, Вища школа, 1983. - 184 с.
Монография посвящена вопросам физики, химии и технологии некоторых сложных полупроводниковых материалов. Рассмотрены методы синтеза и выращивания монокристаллов, основные физико-химические характеристики и возможности практического применения сложных халькогенидов и халькогалогенидов в нелинейно-оптических устройствах, акустооптике и...
Перевод с английского. — М.: Мир, 1990. — 488 с., ил. Книга авторов из ГДР посвящена современному состоянию знаний в области физики чистых поверхностей и границ раздела. Подробно рассмотрены атомная и электронная структура поверхности, энергетическая зависимость локальной плотности состояний, вопросы образования химических связей, адсорбции и хемосорбции, дан анализ теоретических...
В книге подробно изложены разделы теории групп, которые находят применение в физике твердого тела, и методы расчета спектров электронов и фононов вблизи особых точек, основанные на использовании теории групп, а также рассмотрены деформационные эффекты в полупроводниках, т. е. эффекты, возникающие при деформациях, нарушающих симметрию кристалла. Подробно изложен ряд вопросов,...
Москва: Мир, 1971.– 472 с. В книге Ф. Блатта излагается физика кинетических явлении в твердых телах. Основная цель автора—дать единую и замкнутую картину явлений переноса в металлах и полупроводниках. Эта задача им превосходно решена. Книга содержит прекрасное и доступное (но не в ущерб строгости) изложение предмета. Автор хорошо известен читателям своими оригинальными работами....
Москва: Мир, 1971.– 472 с. В книге Ф. Блатта излагается физика кинетических явлении в твердых телах. Основная цель автора—дать единую и замкнутую картину явлений переноса в металлах и полупроводниках. Эта задача им превосходно решена. Книга содержит прекрасное и доступное (но не в ущерб строгости) изложение предмета. Автор хорошо известен читателям своими оригинальными работами....
Москва: Физматгиз, 1963. — 224 с. Перевод обзора Ф.Блатта, опубликованного в ІV томе серии Solid State Physics (F.Seitz, D.Turnbull, eds., 1957), посвящен одному из наиболее важных разделов физики твердого тела – теории переноса (прохождение электрического тока). В этом смысле содержание обзора значительно шире его названия, так как наряду с подвижностью электронов проводимости...
Москва: Физматгиз, 1963. — 224 с. Перевод обзора Ф.Блатта, опубликованного в ІV томе серии Solid State Physics (F.Seitz, D.Turnbull, eds., 1957), посвящен одному из наиболее важных разделов физики твердого тела – теории переноса (прохождение электрического тока). В этом смысле содержание обзора значительно шире его названия, так как наряду с подвижностью электронов проводимости...
Ленинград: Энергоатомиздат, Ленинградское отделение, 1986. — 248 с. Описываются современные представления и физических процессах в силовых биполярных и полевых транзисторах, рассматриваются конструкции полупроводниковых структур этих приборов, их основные характеристики и особенности эксплуатации. Приводятся сведения о поверхностных явлениях в полупроводниках и эффектах,...
Учеб. пособие. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2005, 113стр. Пособие соответствует государственному образовательному стандарту по дисциплине Физико-химические основы технологии полупроводников для студентов, обучающихся по программе бакалавров по направлению 550100 - Техническая физика Рассмотрены основные физико-химические инструменты полупроводниковой технологии – пучковые...
Монография. Краснодар: Кубанский госуниверситет, 2001. 112 с. Рассматриваются механизмы взаимодействия структурных компонентов, образованных примесными атомами, в твердых растворах полупроводников. На примере системы Ge1-xSix изучено образование примесных и собственных комплексов атома замещения с атомами собственной решетки, формирующих фазы упорядочения при двух значениях...
Харьков: Основа, 1992. - 176с.
Пособие посвящено физическим процессам в полупроводниках и полупроводниковых приборах, физическим основам преобразования солнечной энергии в электрическую. Большое внимание уделено физике явлений, полное исследование которых проводится с помощью простых математических средств. Описаны новые методические приемы, отработанные в процессе лекций.
Для...
Воронеж. 2003, 31с.
Аннотация:
Учебное пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлетроники физического факультета Воронежского государственного университета. Рекомендовано для студентов 3 курса физического факультета.
Содержание:
Введение
Распределение квантовых состояний в зонах
Распределение Ферми-Дирака
Концентрация электронов и дырок в зонах...
М.: Наука, 1981. — 384 с. Книга содержит изложение основных представлений современной теории неупорядоченных полупроводников. Подробно обсуждаются новые идеи, возникшие в связи с изучением движения частиц в случайных полях, характеристики которых заданы только статистически (идея о «самоусредняющихся» величинах, локализация электронов в случайных потенциальных ямах и другие)....
М.: Наука, 1981. — 384 с.
Книга содержит изложение основных представлений современной теории неупорядоченных полупроводников. Подробно обсуждаются новые идеи, возникшие в связи с изучением движения частиц в случайных полях, характеристики которых заданы только статистически (идея о «самоусредняющихся» величинах, локализация электронов в случайных потенциальных ямах и другие)....
М.: Наука, Глав. ред. физ.-мат. лит., 1972. – 415 c. Книга посвящена изложению современных представлений о доменной электрической неустойчивости, возникающей при определенных условиях в полупроводниках с горячими электронами. Это явление, открытое и исследованное в последние семь лет, вызывает широкий интерес как в связи с возможными практическими приложениями (генераторы Ганна...
Москва: Мир, 1977. — 678 с.
Эта книга написана на основе лекций, в течении ряда лет читавшихся авторами для студентов физического факультета Московского университета и факультета физической и квантовой электроники Московского физико-технического института. Книга рассчитана на лиц, владеющих материалом общефизических и математических курсов в объеме программ, принятых на...
Москва: МИР, 1977. — 678 с. (интерактивное оглавление, OCR-нет) Эта книга написана на основе лекций, в течении ряда лет читавшихся авторами для студентов физического факультета Московского университета и факультета физической и квантовой электроники Московского физико-технического института. Книга рассчитана на лиц, владеющих материалом общефизических и математических курсов в...
Київ, НТУУ "КПІ", 2012. - 454 с.
Загальні відомості з фізики напівпровідників
Електричні переходи між напівпровідниками
Напівпровідникові діоди
Біполярні транзистори
Тиристори
Польові транзистори
Прилади на нанорозмірних і квантових ефектах
Оптоелектронні напівпровідникові прилади
Навчальний посібник для студентів, які навчаються за напрямом “Електроніка”, широкого...
Учебное пособие для студентов 3 курса физического факультета Воронежского гос. университета. Кафедра физики полупроводников и микроэлектроники. Воронеж: 2003, 33 стр.
Содержание.
Основные предположения зонной теории.
Волновая функция электрона в периодическом поле.
Зоны Бриллюэна.
Методы расчета энергетической структуры кристаллов.
Модель Кронига - Пенни.
Заполнение зон...
Пер. с англ. М.: Мир, 1982. - 419 с. Коллективная монография, написанная ведущими специалистами США, Великобритании, ФРГ, Бельгии и Франции. Освещены все основные направления исследований в области физики аморфного состояния - от проблем теоретического описания электронного спектра, кинетических и оптических свойств до проблем изготовления солнечных батарей на основе аморфных...
Тамбов. Изд-во ТГУ, 2002, 80 с.
Учебное пособие посвящено резистивным и магнитным материалам на основе окислов переходных металлов. В пособии рассматриваются кристаллическая структура и существующие теории механизма проводимости 3d-окислов и методы синтеза оксидных полупроводников с заданными значениями электросопротивления и температурного коэффициента сопротивления. Даны основы...
Монография. — Ленинград: Наука, 1979. — 184 с. Фазовый переход металл-полупроводник в соединениях переходных металлов Механизмы фазового перехода металл-полупроводник Свойства V 2 O 3 Фазовый переход металл-полупроводник в двуокиси ванадия Окиснованадиевый ряд Магнели V n O 2n-1 (n=3--8) Фазовый переход в соединениях титана, железа, никеля, хрома Феноменологические особенности...
Кишинев: Штиинца, 1992. — 236 с. Рассматриваются сложные генерационно-рекомбинационные процессы с участием нескольких двухзарядных, а также многозарядных центров в однородных и неоднородных структурах с флуктуациями зонного потенциала и распределением энергий центров. Исследуются особенности ВАХ при прямом и обратном смещении, малом и высоком уровне инжекции, двойной и...
М.: Изд-во Моск. ун-та, 1995. - 399 с. (Программа "Университеты России"). - ISBN: 5-211-03487-2 Рассмотрены особенности протекания генерационно-рекомбинационных (ГР) процессов в полупроводниковых структурах, содержащих область пространственного заряда, в частности вопросы поведения кинетических коэффициентов, описывающих ГР в сильных электрических полях и с учетом...
Пер. с англ. — М.: Мир, 1985. — 304 с. Перевод с английского д-ра физ.-мат. наук Ю. М. Гальперина, канд. физ.-мат. наук В. И. Козуба, канд. физ.-мат. наук Э. Б. Сонина под редакцией д-ра физ.-мат. наук В. Л. Гуревича. Приведен анализ влияния точечных дефектов на различные физические свойства полупроводников. Рассматриваются эффект Яна-Теллера и электронный парамагнитный...
Москва: Иностранная литература, 1959.– 142 с. В предлагаемой вниманию читателей книге, представляющей собой перевод обзорной статьи известных специалистов Буша и Винклера, обобщены и систематизированы результаты многочисленных исследований свойств различных полупроводниковых материалов. Книга написана достаточно популярно. Она является по существу справочником, содержащим все...
Москва: Иностранная литература, 1959.– 142 с. В предлагаемой вниманию читателей книге, представляющей собой перевод обзорной статьи известных специалистов Буша и Винклера, обобщены и систематизированы результаты многочисленных исследований свойств различных полупроводниковых материалов. Книга написана достаточно популярно. Она является по существу справочником, содержащим все...
М.: Издательство иностранной литературы, 1962.- 559 с.
Настоящая книга, написанная известным американским специалистом в области фотопроводимости и люминесценции Р. Бьюбом, является первой в мировой литературе монографией, в которой достаточно полно и последовательно излагаются все основные аспекты фотопроводимости.
Основное внимание автор уделяет физической сущности...
М., Физматгиз, 1963, - 264 с. В книге изложены физические представления о действии электромагнитного и корпускулярных излучений на полупроводники. Рассмотрены процессы поглощения электромагнитного излучения, фотоионизация и ионизация при прохождении заряженных частиц высокой энергии, а также основные типы процессов рекомбинации, приводящей к возвращению возбужденного излучением...
2е изд. — М.: Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1988. — 192 с.
Изложены основные представления о физических явлениях, приводящих к изменениям электрических, оптических и других свойств полупроводников под воздействием электромагнитного излучения, быстрых заряженных частиц и нейтронов. Основное внимание обращено на анализ первичных процессов, таких, как фотоионизация и ионизация...
Москва: Издательство Иностранной литературы, 1961. — 234 с. Книга Ван-дер-Зила, являясь первой монографией в мировой литературе по проблемам флуктуаций в полупроводниках, содержит обзор теоретических и экспериментальных работ по изучению флуктуационных явлений в полупроводниковых материалах и приборах. В ней нашли отражение основные оригинальные работы зарубежных авторов,...
Пер. с англ. канд. техн. наук А.А. Куликовского, инж. А.С. Рыжова; Под ред. канд. физ.-мат. наук Ф.В. Бункина. — М.: Издательство Иностранной литературы, 1961. — 234 с. Книга Ван-дер-Зила, являясь первой монографией в мировой литературе по проблемам флуктуаций в полупроводниках, содержит обзор теоретических и экспериментальных работ по изучению флуктуационных явлений в...
Монография. — Одесса: Астропринт, 2005. — 216 с. В монографии рассмотрена адсорбционная чувствительность полупроводников и результаты теоретических и экспериментальных исследований физических механизмов адсорбционной чувствительности полупроводниковых материалов. Особое внимание уделено изучению влияния поверхностных макро-, микро- и наноразмерных кластеров на адсорбционную...
Москва: Атомиздат, 1979. - 256 с. Это первая в отечественной литературе книга, которая посвящена изложению основ физики плазмы полупроводников. В ней рассмотрены основные типы волн и неустойчивостей в плазме твердого тела (геликоны, альфвеновские волны, винтовая неустойчивость, пинч- эффект, неустойчнвости, связанные с отрицательной дифференциальной проводимостью). Все...
Москва: Атомиздат, 1979. - 256 с. Это первая в отечественной литературе книга, которая посвящена изложению основ физики плазмы полупроводников. В ней рассмотрены основные типы волн и неустойчивостей в плазме твердого тела (геликоны, альфвеновские волны, винтовая неустойчивость, пинч- эффект, неустойчнвости, связанные с отрицательной дифференциальной проводимостью). Все...
Учебное пособие. — Томск: Изд-во Том. ун-та, 1987. — 222 с. В учебном пособии рассмотрены основные закономерности поглощения электромагнитного излучения в полупроводниках. Даётся детальное описание различных видов поглощения (собственное, экситонное, примесное, свободными носителями заряда и атомами кристаллической решётки) и иллюстрируются возможности оптических методов для...
Учебное пособие. — Нижний Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (ННГУ), 2020. — 78 с. Данное пособие является продолжением цикла учебных пособий по полупроводниковой электронике и содержит информацию о физических основах работы полупроводниковых диодов и особенностях применения высокопроизводительных вычислений для анализа переходных...
М.: Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1987. — 432 с. Подводится итог 40-летней работы автора и его сотрудников в области физикохимии поверхности полупроводников. Книга носит энциклопедический характер. Автор раскрывает механизм процессов, протекающих на поверхности полупроводников. Дается сводка экспериментальных результатов в науке о поверхности. Полно и систематически изложена...
М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1987. - 432 с.
Подводится итог 40-летней работы автора и его сотрудников в области физикохимии поверхности полупроводников. Книга носит энциклопедический характер. Автор раскрывает механизм процессов, протекающих на поверхности полупроводников. Дается сводка экспериментальных результатов в науке о поверхности. Полно и систематически изложена...
М.: Государственное издательство технико-теоретической литературы, 1947. — 353 с.
В монографии рассматриваются с некоторой единой точки зрения разнообразные электронные процессы, развивающиеся в реальных кристаллах.В книге даётся сводка экспериментального материала, хотя в основном книга носит теоретический характер. Она предназначена для физиков-экспериментаторов и инженеров,...
М.: Государственное издательство технико-теоретической литературы, 1947. — 352 с. В монографии рассматриваются с некоторой единой точки зрения разнообразные электронные процессы, развивающиеся в реальных кристаллах. В книге даётся сводка экспериментального материала, хотя в основном книга носит теоретический характер. Она предназначена для физиков-экспериментаторов и инженеров,...
СПб., Наука, 2001. — 250 с.: ил. — ISBN 5-02-024967-Х. Авторы: Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Г.Г. Зегря, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, И.Н. Яссиевич, Е.В. Берегулин. В монографии рассмотрены основные механизмы рекомбинации для биполярного и монополярного случаев в объемных полупроводниках и полупроводниковых структурах с квантовыми ямами. Наряду с хорошо известными...
Учеб. пособие. — СПб.: Наука, 2000. — 160 с. — (Новые разделы физики полупроводников).
В пособии рассмотрены основные характеристики горячих носителей заряда в полупроводниках в сильных электрических полях: функция распределения по импульсам, средняя энергия, дрейфовая скорость, время релаксации импульса и энергии, скорость потери энергии электроном при взаимодействии с...
Санкт-Петербург, Издательство СПбГТУ, 1999г.
Рассмотрены основные характеристики горячих носителей заряда в полупроводниках в сильных электрических полях, функция распределения по импульсам, средняя энергия, дрейфовая скорость, время релаксации импульса и энергии, скорость потери энергии электроном при взаимодействии с решеткой и др. Проведены расчеты этих характеристик....
Учебное пособие. - Л., изд. ЛПИ, 1988, 99 с.
В пособии с помощью теории возмущений определяются вероятность и время релаксации импульса для основных механизмов рассеяния электронов и дырок в полупроводниках: на акустических, пьезоэлектрических, деформационных и полярных оптических колебаниях решетки, при примесном, междолинном и электрон-электронном рассеянии и др. При этом...
Учебное пособие. — Одесса: Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова, 1980. — 128 с. В учебном пособии в рамках линейной оптики изложены основы теории поглощения света в изотропных полупроводниках, детально рассмотрены основные механизмы поглощения, приведен анализ оптических эффектов, вызываемых внешними воздействиями на кристалл. Теоретический материал пособия...
Учебное пособие. — Одесса: Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова, 1980. — 128 с. В учебном пособии в рамках линейной оптики изложены основы теории поглощения света в изотропных полупроводниках, детально рассмотрены основные механизмы поглощения, приведен анализ оптических эффектов, вызываемых внешними воздействиями на кристалл. Теоретический материал пособия...
Москва: Машиностроение, 1966. — 288 с. Настоящее учебное пособие написано в соответствии с утвержденной программой курса «Полупроводники и полупроводниковые приборы» для специальных средних технических учебных заведений. В книге рассказано о строении атомов и на этой основе дано описание строения твердых тел. Рассмотрены физические явления, происходящие в полупроводниках, и...
Учебное пособие. — М.: Типография МИСиС, 1990. — 118 с. Настоящее учебное пособие является продолжением учебного пособия для практических занятий "Материаловедение полупроводников и диэлектриков" по разделу: "Структура и свойотва полупроводников и металлов", 1968 г . Оно предназначено для студентов технических специальностей. Пособие содержит задачи, связанные с расчетом...
М.: Энергоатомиздат, 1986. — 192 с. Изложена нелинейная кинетическая теория резонансного взаимодействия электромагнитного поля с полупроводниками. Описание проводится на основе новых представлений о специфических квазичастицах, кинетика которых подчиняется перенормированным уравнениям. На основе этих представлений развиты теории насыщения поглощения сильного электромагнитного...
Учебник для техникумов.— М.: Высш. школа, 1982. — 245 с, ил. В учебнике дано описание основных закономерностей строения твердого тела на основе современных квантово механических представлений: рассмотрены наиболее важные электрофизические свойства, явления и эффекты, наблюдаемые в твердых телах, кинетические и контактные явления, термоэлектрические и фотоэлектрические свойства...
Учеб пособие:– Д.: Национальный горный университет, 2012.– 74 с. – (Библиотека иностранного студента). Учебное пособие предназначено для самостоятельной работы студентов направления 6.050301 Горное дело. Пособие содержит изложение основных представлений физики полупроводников. Рассмотрены элементы зонной теории твердых тел, понятие о статистике электронов и дырок в...
М.: Наука. Гл. ред. физмат, лит. , 1986. 320 с. Впервые в отечественной литературе представлены наиболее актуальные в научном и практическом отношениях аспекты физики соединений AIIBVI. Основное внимание уделено наиболее важным физическим свойствам этих веществ, например экситонам, фононам, дислокациям, точечным дефектам, нелинейным оптическим и другим свойствам, составляющим...
М.: Машиностроение, 1967. — 72 с. — (Общественный институт). Книга содержит лекцию по гальваномагнитным датчикам и их применению. В первом разделе лекции рассмотрены некоторые вопросы физики полупроводников, гальваномагнитные эффекты и датчики, их реализующие, второй раздел посвящен различным областям использования гальваномагнитных датчиков. Книга рассчитана на инженеров и...
Москва: МФТИ, 2016. — 25 с. В данном пособии представлены материалы к лекции по теме «Контактные явления в полупрвоодниках» из курса «Квантовая макрофизика», преподаваемого на кафедре общей физики МФТИ. Пособие не претендует на полноту изложения материала и в основном является авторскими заметками к лекциям, оно содержит основные сведения по этой теме курса. Основная цель этой...
Москва: МФТИ, 2016. — 34 с. В данном пособии представлены материалы к лекции по теме «Объёмные полупроводники» из курса «Квантовая макрофизика», преподаваемого на кафедре общей физики МФТИ. Пособие не претендует на полноту изложения материала и в основном является авторскими заметками к лекциям, оно содержит основные сведения по этой теме курса. Для подробного изучения тем...
Монография, СПб.: Изд-во «Технолит», 2008. 324с. ISBN: 5-7629-0933-6 Излагаются основы теории симметрии кристаллов, включая тензорное описание их физических свойств, а также методы теории групп в квантовой механике и физике твердого тела. Теоретико-групповой подход используется для анализа энергетического спектра электронов в объемных полупроводниках и полупроводниковых...
Учебное пособие. — Минск : РИВШ, 2022. — 172 с. — ISBN 978-985-586-600-9. В учебном пособии изложены модельные представления о структуре полупроводников и основы зонной теории твердых тел, а также рассмотрены основные свойства полупроводников, в том числе электропроводность в сильных электрических полях, кинетические явления и механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и...
Монография. — Воронеж: Изд-во ВГУ, 1989. — 208 с. Научный редактор - д-р хим. наук, проф. Угай Я.А. В монографии дан подробный анализ кристаллохимических, физико-химических и электрофизических свойств соединений типа АIVBV, приведены полные фазовые диаграммы систем с участием кремния и германия, с одной стороны, и фосфора и мышьяка - с другой. Описываются свойства твердых...
М.: Металлургия, 1982. — 336 с., илл.
Учебник для студентов металлургических вузов по специальности "Технология материалов электронной техники"(первое издание 1976г). Может быть использовано научными работниками и инженерами, работающими в области металлургии, физики и химии полупроводников.
Систематически изложены основные понятия физики полупроводников и металлов. На основе...
Новосибирск: Наука, 1966. — 349 с. Несмотря на то, что за последние годы издано значительное количество книг по физике полупроводников и полупроводниковых приборов, все эти книги носят либо слишком узкий характер и посвящены ограниченному классу приборов (обычно диодов и транзисторов), либо являются специальными монографиями по физике полупроводников и мало доступны широкому...
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского. Учебное пособие, 101 стр., 55 иллюстраций, 2013 г. Пособие написано на основе курса лекций, прочитанных на физическом факультете ННГУ им. Н.И.Лобачевского в 1970-1980 годы, крупным ученым в области исследования фотоэлектронных явлений на поверхности и в объеме полупроводников, заслуженным деятелем науки России,...
Учебник. — М.: Советское радио, 1977. — 184 с. Изложены физические основы работы полупроводниковых приборов. Дан подробный анализ свойств р-n-перехода. Рассмотрены принципы действия, конструктивные и технологические особенности различных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, тиристоров, фотоэлектрических и термоэлектрических приборов, датчиков Холла, светодиодов,...
Минск: Наука и техника, 1975. — 464 с.
В книге с единой точки зрения излагается теория поглощения и усиления света, спонтанной и стимулированной рекомбинации в полупроводниках. Особое внимание уделено взаимодействию вещества с мощными потоками излучения, которые приводят к появлению эффектов насыщения. Впервые в монографической литературе по полупроводникам рассмотрен ряд...
Ленинград: Наука, 1976. — 168 с. В книге обсуждается широкий круг вопросов, связанных с явлениями переноса в полупроводниках. Подробно рассмотрены законы дисперсии для наиболее практически важных полупроводников А III В V , A IV B VI , в частности неквадратичный закон дисперсии типа Кейна, и различные механизмы рассеяния. Значительное внимание уделено методам практического...
Ленинград: Наука, Ленинградское отделение, 1977. — 168 с. В книге обсуждается широкий круг вопросов, связанных с явлениями переноса в полупроводниках. Подробно рассмотрены законы дисперсии для найболее практически важных полупроводников AIIIBV, AIVBVI, в частности неквадратичный закон дисперсии типа Кейна, и различные механизмы рассеяния. Значительное внимание уделено методам...
Ленинград: Наука, Ленинградское отделение, 1971. — 64 с. Книга содержит таблицы узловых точек и весовых множителей квадратурных формул типа Гаусса, которые позволяют с достаточной точностью находить значения различных кинетических коэффициентов, таких, например, как электропроводность, термоэдс и другие при разной степени вырождения электронного газа и при произвольном законе...
Ленинград: Наука, Ленинградское отделение, 1971. — 64 с. Книга содержит таблицы узловых точек и весовых множителей квадратурных формул типа Гаусса, которые позволяют с достаточной точностью находить значения различных кинетических коэффициентов, таких, например, как электропроводность, термоэдс и другие при разной степени вырождения электронного газа и при произвольном законе...
Москва, Государственное издательство технико-теоретической литературы, 1956г., 348 с. с илл.
В книгах, посвященных твердым выпрямителям и принадлежащих большей частью перу иностранных авторов, вопросы теории освещены далеко не полно и почти вовсе игнорируются работы советских авторов.
Предлагаемая вниманию читателя книга должна заполнить существующий пробел. Здесь изложены с...
Баку: Маариф, 2020. — 332 с. Представляются технологические аспекты синтеза соединений, выращивания монокристаллов и тонких пленок тройных халькогенидов. Приведены результаты исследований электрических, фотоэлектрических, оптических свойств полупроводников типа A I 3 B III 5 C VI 9 , а также характеристики диодных структур на основе тройных халькогенидов..
Учебное пособие, СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2007. 96с. ISBN: 5-7629-0840-2 Приведены расчеты электронной структуры, диэлектрических, оптических и магнитных восприимчивостей, упругих постоянных и фононных частот, энергий когезии и замещения, реконструкции по-верхности кубических ковалентных и ионно-ковалентных полупроводников в рамках приближения сиязывающих орбиталей....
Учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ ЛЭТИ, 1998 - 56 c
Рассматриваются модельные представления адсорбции, используемые для объяснения физических и химических процессов, протекающих в поликристаллических полупроводниковых сенсорах.
Москва: Издательство иностранной литературы, 1959. — 430 с. Эта книга рассчитана в первую очередь на две категории читателей. Первая, основная группа включает инженеров, техников и научных работников, занимающихся полупроводниками и желающих иметь источник основных современных сведений о предмете, не перегруженный излишними деталями (что характерно для многих учебников) и...
Київ: Фенікс, 2021. — 437 с. — ISBN 978-966-136-822-3. Викладено основи кінетичної теорії люмінесценції та провідності, побудованої для моделі реальних кристалофосфорів з кількома видами центрів рекомбінації і пасток для носіїв заряду. Одержано прості аналітичні залежності, які описують кінетику накопичення носіїв заряду на усіх центрах, фосфоресценції та релаксації струму...
Колективна монографія / К.: ВПЦ "Київський університет", 2016. – 151 с. (укр. мовою) Викладено основи кінетичної теорії люмінесценції та провідності кристалофосфорів, яка побудована для моделі з набором різних пасток та центрів рекомбінації. Одержано прості аналітичні залежності, які описують кінетику фосфоресценції та релаксації струму провідності, криві термостимульованої...
Л.: Наука, 1978. — 208 с.
В монографии излагаются физические основы процессов диффузии и дефектообразовання в полупроводниковых эпитаксиальных гетеро- и гомоструктурах. Рассматриваются особенности диффузионного легирования эпитаксиальных структур, связанные с взаимодействием примесных атомов с дефектами кристаллической решетки, полями упругих напряжений и контактными...
Москва: Издательство иностранной литературы, 1963. — 267 с. Книга Драбла и Голдсмида — первая в мировой литературе монография, специально посвященная теплопроводности полупроводников, — содержит подробное и систематическое рассмотрение основных теоретических и экспериментальных данных поэтому важному вопросу. Изложение во многом оригинальное, так как авторы книги сами...
Київ: «Вища школа», 1973, — 304 с. У книзі викладені основи фізики, хімії та електрохімії кристалів, необхідні для розуміння як принципів дії різних напівпровідникових приладів, так і способів виробництва цих приладів і інтегральних схем. Розглянуто елементи зонної теорії, залежність електричних властивостей кристалів від домішок і зовнішніх впливів, фізичні явища, які...
Монография посвящена теории явлений переноса, распространения электромагнитных волн и шумов в полупроводниках с равновесными и неравновесными носителями тока. Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также для студентов физических факультетов.
Киев: Наукова Думка, 1981. - 320 с.
Монография посвящена теории явлений переноса, распространения электромагнитных волн и шумов в полупроводниках с равновесными и неравновесными носителями тока. Главное внимание уделено изучению кинетических эффектов при строгом учете специфики механизмов рассеяния и закона дисперсии электронов и дырок. Рассмотрены явления переноса и...
М.: "Мир", 1973. — 232 с.
Еще в 1932 г. выдающийся советский ученый И. Е. Тамм указал на возможность существования электронных поверхностных уровней (получивших позднее название "таммовских уровней"), которые играют важную роль в физике твердого тела. Однако до сих пор квантовая теория кристалла, ограниченного поверхностью (в отличие от теории бесконечного кристалла), развита...
СПб.: СЗТУ, 2005. - 80 с.
Учебное пособие по дисциплине "Физико-химические основы технологии РЭС" соответствует требованиям государственных образовательных стандартов высшего профессионального образования по направлению подготовки дипломированного специалиста 654300 - "Проектирование и технология электронных средств" (специальность 200800 - "Проектирование и технология...
Учебное пособие. — Санкт-Петербург: СЗТУ, 2005. — 116 с. — УДК 621.382. Рассмотрены химическая связь и электронные свойства твердых тел, в том числе образование и структура ионных, ковалентных, молекулярных кристаллов и кристаллов с металлической связью, а также основные типы дефектов реальных кристаллов. В части электронных свойств приводятся основы зонной теории и электронные...
Учебное пособие. — Санкт-Петербург: СЗТУ, 2005. — 116 с. — УДК 621.382. Рассмотрены химическая связь и электронные свойства твердых тел, в том числе образование и структура ионных, ковалентных, молекулярных кристаллов и кристаллов с металлической связью, а также основные типы дефектов реальных кристаллов. В части электронных свойств приводятся основы зонной теории и электронные...
Монография. — М.: Радио и связь, 1981. — 248 с. Излагаются результаты исследования примесей и точечных дефектов в алмазоподобных полупроводниках. Некоторые разделы, книги написаны сжато, более подробно рассмотрены новые аспекты проблемы образования и миrрации дефектов. Для научных работников и инженеров соответствующих специальностей. Предисловие. Точечные дефекты в...
Монография. — М.: Радио и связь, 1981. — 248 с. Излагаются результаты исследования примесей и точечных дефектов в алмазоподобных полупроводниках. Некоторые разделы, книги написаны сжато, более подробно рассмотрены новые аспекты проблемы образования и миrрации дефектов. Для научных работников и инженеров соответствующих специальностей. Предисловие. Точечные дефекты в...
Монография. — Алматы: Қазақ университеті, 2014. — 164 с. Монография посвящена теории и конкретным алгоритмам компьютерного моделирования физических явлений в наноструктурированных полупроводниках. Предложены новые уравнения для фрактальной эволюции концентрации носителей заряда, для энергии экситонных образований. Оптические процессы рассмотрены на основе квантовой формы...
Серия учебных пособий «Новые разделы физики полупроводников» - СПб.: Наука, 2000. — 72 с. ISBN: 5-02-024927-0 В книге рассмотрены электронные свойства неупорядоченных твердых тел. Изложению физики неупорядоченных систем предшествует краткий обзор основных представлений теории протекания. Рассматриваются переходы «металл—диэлектрик» — переходы Мотта и Андерсона. Описаны свойства...
М.: МГУ, 1984. — 192 с.
Книга посвящена изложению новых идей и методов, возникших в последние годы при изучении электронных явлений переноса в неупорядоченных полупроводниках. В ней обсуждаются свойства носителей заряда с энергиями, близкими к порогу подвижности, стационарный прыжковый перенос, не стационарные процессы — проводимость на переменном токе и дисперсионный...
М.: Физматлит. 2009 — 333 с.
В данном учебном пособии рассмотрены следующие темы: симметрия кристаллов и колебания кристаллической решетки; зонная структура полупроводников; кинетические явления в полупроводниках; оптические свойства полупроводников. Изложена современная концепция квантового эффекта Холла, одного из удивительных явлений физики полупроводников XX века. Большое...
М.: Мир, 1977. - 616 с. Пер с англ. под ред. Ю. К. Пожелы: K. Seeger, Semiconductor Physics, Wien: Springer-Werlag, 1973.
Книга представляет собой оригинальный курс физики полупроводников, написанный на основе лекций, прочитанных автором для студентов, специализирующихся в области физики и электроники. От существующих изданий данная книга отличается тем, что наряду со строгим...
Пер с англ. Р. Бразиса, А. Матулениса и А. Тетервова под ред. Ю. К. Пожелы.
Издательство "Мир", Москва, 1977. - 616 с.
Книга представляет собой оригинальный курс физики полупроводников, написанный на основе лекций, прочитанных автором для студентов, специализирующихся в области физики и электроники. От существующих изданий данная книга отличается тем, что наряду со строгим...
Сборник. — М.: Наука, 1985. — 264 с. Сборник "Легированные полупроводниковые материалы" содержит работы, выполненные в Институте металлургии им. А.А. Байкова АН СССР, в институтах Академии наук и АН союзных республик, а также в институтах ряда министерств и высших учебных заведений. Работы посвящены изучению физико-химических основ легирования полупроводниковых материалов и, в...
Киев: Наукова думка, 1981. — 256 с. Изложена физика инжекционно-контактных явлений в полупроводниках, а также физические основы работы контакта металл — полупроводник, p—n перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель гетероперехода, из которой получаются модели p—n перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики...
Киев: Наукова думка. 1990. – 1 92 с. В монографии подробно изложены методы и алгоритмы моделирования на ЭВМ кинетических явлений в кремнии, германии, полупроводниках типа A 3 B 5 . Приведены математические модели систем, описываемых уравнением. Больцмана. Большое внимание уделено рассмотрению процессов рассеяния носителей тока. Обсуждаются особенности функций распределения и...
Киев: Наукова думка. 1990. – 192 с. В монографии подробно изложены методы и алгоритмы моделирования на ЭВМ кинетических явлений в кремнии, германии, полупроводниках типа A 3 B 5 . Приведены математические модели систем, описываемых уравнением. Больцмана. Большое внимание уделено рассмотрению процессов рассеяния носителей тока. Обсуждаются особенности функций распределения и...
Ульяновск: УлГУ, 2017. — 104 с. Учебное пособие содержит отдельные разделы курса «Оптика полупроводников» и состоит из трех глав. В первой главе рассмотрены общие вопросы взаимодействия излучения с веществом и экспериментальные методы изучения оптических свойств полупроводников. Вторая глава посвящена вопросам межзонного поглощения света в полупроводниках, теоретическому...
К.: "Наукова думка", 1992.- 240 с.
В монографии изложены результаты исследований открытого сотрудниками Института полупроводников АН Украины явления стимулированного излучением проникновения металла в полупроводники (Photodoping). Впервые обобщен экспериментальный материал, касающийся природы явления и технологических особенностей его практического применения. Рассмотрены...
М.-Л.: Изд-во АН СССР, 1954. — 355 с. Полупроводники — новая область физики, получившая развитие всего лишь в последние двадцать пять лет, несмотря на то, что почти вся окружающая нас неорганическая природа состоит из полупроводящих веществ. Введение. Место полупроводников в физике и технике. Основные типы проводников электричества. Твердые электролиты. Металлы. Электронные...
М.-Л.: Изд-во АН СССР, 1960. — 112 с. Монография посвящена теории термоэлектрических явлений. В ней подробно рассмотрен широкий круг вопросов, посвященных непосредственно физике явлений и некоторым практическим применениям. Книга рассчитана на студентов старших курсов физических факультетов университетов, инженерно-технических работников и физиков, работающих в области...
Москва: АН СССР, 1957. — 491 с. Развитие теории полупроводников и внедрение их в народное хозяйство — это одно из важнейших условий технического прогресса. Решение значительного числа задач неразрывно связано с применением полупроводников. Предлагаемая работа академика Абрама Федоровича Иоффе (1880—1960) посвящена физике полупроводников и их применению. Введение. Твёрдые...
М:. АН СССР, 1957. — 491 с.
Развитие теории полупроводников и внедрение их в народное хозяйство — это одно из важнейших условий технического прогресса. Решение значительного числа задач неразрывно связано с применением полупроводников.
Предлагаемая работа академика Абрама Федоровича Иоффе (1880-1960) посвящена физике полупроводников и их применению.
М.-Л.: ГТТИ, 1933. — 92 с. От издательства. Предисловие. Введение. Электронная модель полупроводника. Классификация полупроводников. Электронное равновесие в полупроводнике. Темновая проводимость полупроводников. Фотопроводимость. Диффузия электронов в полупроводнике. Явления в пограничных слоях полупроводников. Внешний фотоэффект. Литература.
СПб, СПбГЛТУ им. С.М. Кирова, 2012. — 16 с. Методические указания к лабораторной работе в практикуме по физике для студентов всех направлений и видов обучения. Для изготовления вентильного фотоэлемента используются полупроводники. К полупроводникам относится очень широкий класс веществ. Удельное сопротивление полупроводников может иметь весьма различные значения от 10–5 –10–4...
Учебное пособие. — Л.: ЛПИ, 1984. — 80 с. Учебное пособие предназначено для студентов специальностей "Полупроводники и диэлектрики", "Физическая электроника", "Технология специальных материалов электронной техники", изучающих физику полупроводников, полупроводниковых приборов и металлов. Рассмотрены теория и качественное описание эффектов Холла, Нернста — Эттингсгаузена,...
Учебное пособие. - Л., изд. ЛПИ, 1981, 79 с.
Учебное пособие предназначено для студентов специальностей «Полупроводники и диэлектрики», «Физическая электроника», «Технология специальных материалов электронной техники», изучающих физику полупроводников, полупроводниковых приборов и металлов.
Рассмотрены теория и качественное описание явлений электропроводности,...
Москва: Мир, 1969.- 360 с. Книга написана известным американским физиком-теоретиком, специалистом в области теории твердого тела. Книга посвящена общим основам зонной теории твердого тела. Большое внимание уделяется применению теории групп, а также впервые систематически и подробно излагаются современные методы расчета электронных энергетических спектров твердых тел - металлов...
Москва: Мир, 1969.- 360 с. Книга написана известным американским физиком-теоретиком, специалистом в области теории твердого тела. Книга посвящена общим основам зонной теории твердого тела. Большое внимание уделяется применению теории групп, а также впервые систематически и подробно излагаются современные методы расчета электронных энергетических спектров твердых тел - металлов...
Москва: Мир, 1984. — 352 с. В книге написанной ведущими в области физики и физической химии твердых тел специалистами Канады и США, представлены практически все фундаментальные аспекты электропереноса в твердых телах. Основное внимание уделяется органическим полупроводникам - системам, с которыми связаны многие крупные достижения последних лет как теоретического, так и прикладного...
Москва: Мир, 1984. — 352 с. В книге написанной ведущими в области физики и физической химии твердых тел специалистами Канады и США, представлены практически все фундаментальные аспекты электропереноса в твердых телах. Основное внимание уделяется органическим полупроводникам - системам, с которыми связаны многие крупные достижения последних лет как теоретического, так и прикладного...
Москва: Мир, 1984. — 368 с. В книге написанной ведущими в области физики и физической химии твердых тел специалистами Канады и США, представлены практически все фундаментальные аспекты электропереноса в твердых тела. Основное внимание уделяется органическим полупроводникам - системам, с которыми связаны многие крупные достижения последних лет как теоретического, так и прикладного...
Москва: Мир, 1984. — 368 с. В книге написанной ведущими в области физики и физической химии твердых тел специалистами Канады и США, представлены практически все фундаментальные аспекты электропереноса в твердых тела. Основное внимание уделяется органическим полупроводникам - системам, с которыми связаны многие крупные достижения последних лет как теоретического, так и прикладного...
Ташкент: Фан, 2005. — 250 с. В этой уникальной монографии рассматриваются: сведения о поверхности и влиянии различных сред её свойства, металлургические и межзёренные, электронные и физические границы в полупроводниках; физико-технологические проблемы, влияние промежуточных слоев на свойства р-n-переходов; принципы и способы получения резкого и тонкого p-n-nepexoдa; структуры с...
Ташкент: Фан, 2005. — 250 с. В этой уникальной монографии рассматриваются: сведения о поверхности и влиянии различных сред её свойства, металлургические и межзёренные, электронные и физические границы в полупроводниках; физико-технологические проблемы, влияние промежуточных слоев на свойства р-n-переходов; принципы и способы получения резкого и тонкого p-n-nepexoдa; структуры с...
М.: Наука, 1988. — 469 с.
Книга входит в серию монографий "Современные проблемы науки о конденсированных средах", публикуемых издательствами "Наука" (СССР) и "Норс Холланд Компани" (Голландия). В ней принимают участие ведущие советские и иностранные ученые. В книге содержится обзор результатов многолетних теоретических и экспериментальных исследований физических свойств нового...
УДК 537.311.33 Москва: Энергоатомиздат, 1991.— 304 с.— ISBN: 5-283-03992-7 Описано современное состояние микроскопической теории электронной структуры и энергетических уровней ионов переходных металлов в ковалентных полупроводниках. Рассмотрена специфика примесей переходных металлов, дано теоретическое обоснование физических свойств ионов переходных металлов в полупроводниках...
Учебное пособие для втузов. — Москва: Высшая школа, 1969. — 592 с. Книга состоит из семи глав. Первая глава служит введением в курс, в ней излагаются элементы электронной теприи проводимости и модельное представление о проводимости полупроводников. Изложение зонной теории (II гл.) проводится на основе теории возмущения. Статистика электронов и дырок излагается в третьей главе....
Учебное пособие для втузов. — 2-е изд. — Москва: Высшая школа, 1975. — 584 с. В книге рассматриваются элементы электронной теории проводимости и проводимости полупроводников; зонная теория на основе теории возмущения; статистика электронов и дырок; кинетические явления в полупроводниках; теория рассеяния, контактные и неравновесные явления на основе уравнения непрерывности;...
Издание второе, дополненное. — Москва: Высшая школа, 1975. — 584 с. В книге рассматриваются элементы электронной теории проводимости и проводимости полупроводников; зонная теория на основе теории возмущения; статистика электронов и дырок; кинетические явления в полупроводниках; теория рассеяния, контактные и неравновесные явления на основе уравнения непрерывности; теории...
Томск: Издательство Томского университета, 1984, - 117 с.
В монографии обобщен материал по основным физико-химическим свойствам твёрдых растворов на основе изоэлектронных аналогов германия. Описаны их объёмные (структурные, люминисцентные, электрические, магнитные) и поверхностные (адсорбционные, каталитические) характеристики.
Для научных инженерно-технических работников,...
Москва: Наука, 1970. — 400 с. Бурное развитие полупроводниковой микроэлектроники стимулирует расширение исследований в области физики поверхности твердого тела. Интерес к изучению поверхностных явлений в полупроводниках связан не только с задачами стабилизации поверхности, но и с раскрытием новых перспектив в использовании и применении полупроводников. В книге впервые с единой...
Изд-во «Металлургия» 1970 г. 432 с. Илл.143 Табл. 12 Библ. 432 назв.
В книге приведены методы исследования основных физических свойств полупроводников и методы контроля качества полупроводниковых материалов. Рассмотрены физические основы методов измерений, а также вопросы их экспериментального осуществления. Подробно описаны различные способы измерения удельного сопротивления,...
М.:Янус-К, 2013. — 84 с. В данном учебно-методическом пособии кратко изложены основы метода ЭПР-спектроскопии, и обсуждается применение данного метода для исследования природы и свойств точечных дефектов в полупроводниковых наноматериалах. Пособие предназначено для студентов старших курсов, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области ЖПР-спектроскопии. Введение в...
Перевод с английского А.Ф. Волкова и А.Я. Шульмана. Под редакцией И.Б. Левинсона и Ю.К. Пожелы. — М.: Мир, 1970. — 384 с. Книга посвящена электропроводности полупроводников в сильных электрических полях. Рассматриваются также другие кинетические явления в полупроводниках, связанные с действием сильных электрических полей. Ценной особенностью книги является подробное...
Монографія. — Ніжин: Видавництво НДУ ім. М. Гоголя, 2020. — 183 с. — ISBN 978-617-527-223-7. У монографії систематизовано сучасні досягнення у фізиці і технології нанорозмірних структур на основі напівпровідникових сполук А2В6, які в останні десятиліття знаходять широке застосування в оптоелектроніці, нанофотоніці, біології, медицині тощо. Описано результати розробок...
М., Физический факультет МГУ, 312 с., 2003
Учебное пособие написано на основе курса, читаемого автором на физическом факультете Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова.
В пособии описываются физические свойства трех основных классов магнитных полупроводников: монооксида и монохалькогенидов европия, халькогенидных шпинелей и манганитов. Особое внимание...
М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2009. — 443, [2] с.: ил. — ISBN: 978-5-7038-3251-6. Приведены результаты исследований рекомбинационных и радиационных явлений в полупроводниковых лазерах с накачкой импульсными пучками электронов с энергией ниже и выше порога дефектообразования. В отличие от инжекционных в этих лазерах возбуждаются большие объемы активной среды. Это позволило...
М.: Металлургия, 1991. — 175 с. В книге с позиций теории регулярных растворов и модели диффузного массопереноса рассмотрены особенности жидкофазовой эпитаксии твердых растворов на основе полупроводниковых соединений A(III)B(V). Проанализировано влияние упругих деформаций на смещение равновесий в многокомпонентных системах. Дано математическое описание эффекта стабилизации периода...
М.: Металлургия, 1991. — 175 с. В книге с позиции теории регулярных растворов и модели диффузионного массопереноса рассмотрены особенности жидкофазовой эпитаксии твердых растворов на основе полупроводниковых соединений AIIIBV. Проанализировано влияние упругих деформаций на смещение равновесий в многокомпонентных системах. Дано математическое описание эффекта стабилизации периода...
Монография. — М.: Энергоатомиздат, 1989. — 96 с. — ISBN: 5-283-02923-9. На примере монокристаллического кремния систематизированы экспериментальные и теоретические сведения, необходимые для качественных и количественных оценок изменения электрических параметров полупроводников и полупроводниковых приборов при воздействии на них ионизирующих излучений. Содержатся данные о...
Монография. — М.: Энергоатомиздат, 1989. — 96 с. — ISBN: 5-283-02923-9. На примере монокристаллического кремния систематизированы экспериментальные и теоретические сведения, необходимые для качественных и количественных оценок изменения электрических параметров полупроводников и полупроводниковых приборов при воздействии на них ионизирующих излучений. Содержатся данные о...
Учебное пособие. — Ярославль: ЯрГУ, 2015. — 116 с. В учебном пособии излагаются основы линейной теории стационарных явлений переноса в полупроводниках в квазиклассическом приближении. В предельных случаях вырожденного и невырожденного электронного газа проводится расчет кинетических коэффициентов для сферически-симметричной энергетической зоны. Отдельно рассматриваются...
Курск: Университетская книга, 2014. — 87 с. — ISBN 978-5-9905749-0-8. Предназначено для студентов специальности 222900.62 «Нанотехнологии и микросистемная техника» при изучении дисциплины «Физика конденсированного состояния». Приводится описание устройства и физического принципа действия датчиков Холла, играющих важную роль в системах управления автоматикой и современных...
М.: Радио и связь, 1990. — 263, [1] с.: ил. — ISBN 5-256-00734-3. Излагаются вопросы теории гальваномагнитных эффектов в режимах ЭДС и тока Холла, в том числе в квантующих магнитных полях и в материалах со смешанной проводимостью. Рассматриваются их особенности в неоднородных и неупорядоченных полупроводниках, слоистых структурах. Дается методология интерпретации нормальных и...
М.: Радио и связь, 1990. — 263, [1] с.: ил. — ISBN 5-256-00734-3. Излагаются вопросы теории гальваномагнитных эффектов в режимах ЭДС и тока Холла, в том числе в квантующих магнитных полях и в материалах со смешанной проводимостью. Рассматриваются их особенности в неоднородных и неупорядоченных полупроводниках, слоистых структурах. Дается методология интерпретации нормальных и...
Москва: Советское радио, 1974.– 328 с. В книге систематизированы методы исследования эффекта Холла и дан критический анализ их особенностей. Подробно рассмотрены факторы, определяющие погрешности и ограничения различных методов. Приведен обзор сведений, получаемых на основе измерений эффекта Холла. Даны рекомендации способов включения исследуемых образцов в измерительные схемы....
Москва: Советское радио, 1974.– 328 с. В книге систематизированы методы исследования эффекта Холла и дан критический анализ их особенностей. Подробно рассмотрены факторы, определяющие погрешности и ограничения различных методов. Приведен обзор сведений, получаемых на основе измерений эффекта Холла. Даны рекомендации способов включения исследуемых образцов в измерительные схемы....
Монография. — Москва: Наука, 1978. — 256 с. В монографии освещено современное состояние исследований в области физической химии, технологии и физики полупроводниковых соединений группы А 2 В 5 . Описаны приборы, разработанные на основе этих соединений, и перспективы их дальнейшего применения в полупроводниковой технике. Книга рассчитана на широкий круг ученых, работающих в области...
Москва, Издательство "Мир", 1973 год - 413 стр. Книга посвящена исследованию монополярной и двойной инжекции носителей заряда. Рассматриваемые явления имеет большое значение для понимания механизма прохождения тока через изоляторы и полупроводники, служат эффективным средством исследования электрических свойств твердых тел, и кроме того, имеют много важных технических...
Монография, М.: Мир, 1984. – 264 с. Цель данной книги – познакомить читателя с теорией точечных дефектов в полупроводниках. В книге рассматривается геометрия дефектов, теория мелких дефектов, теория глубоких уровней, колебательные свойства, связанные с дефектами, термодинамика дефектов и их миграция.
Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также студентов...
Пер. с англ. — Москва: Мир, 1984 — 264 с. Перевод с английского д-ра физ.-мат. наук Ю. М. Гальперина, канд. физ.-мат. наук В. И. Козуба, канд. физ.-мат. наук Э. Б. Сонина под редакцией д-ра физ.-мат. наук В. Л. Гуревича Цель данной книги - познакомить читателя с теорией точечных дефектов в полупроводниках. В книге рассматривается геометрия дефектов, теория мелких дефектов,...
Пер. с англ. — Москва: Мир, 1985 — 304 стр.
Перевод с английского д-ра физ.-мат. наук Ю. М. Гальперина, канд. физ.-мат. наук В. И. Козуба, канд. физ.-мат. наук Э. Б. Сонина под редакцией д-ра физ.-мат. наук В. Л. Гуревича
Цель данной книги, написанной французскими учеными, — анализ влияния точечных дефектов на различные физические свойства полупроводников. В книге...
Москва: Химия, 1974. — 240 с. Книга посвящена новой и актуальной области науки — теории химической связи в твердых телах, которая впервые трактуется как один из разделов общей квантовой химии. В ней рассматривается влияние характера химической связи на особенности электронной (зонной) структуры и прослеживаются аналогии между химической связью в молекулах и твердых телах. После...
Дисертацiя на здобуття наукового ступеня кандидата фiзико-математичних наук за спецiальнiстю 01.04.07 «Фiзика твердого тiла» (104 — Фізика та астрономія). — Київський нацiональний унiверситет iменi Тараса Шевченка, МОН України, Київський нацiональний унiверситет iменi Тараса Шевченка, МОН України, Київ, 2019. - 136 с. Впродовж останніх десятиліть характерною та важливою рисою...
Москва: Радио и связь, 1990. — 300 с. — ISBN 5-256-00496-4. В книге рассмотрены современные методы теоретического анализа флуктуационных явлений в полупроводниках. Приведены рекомендации по их применению при исследовании шумовых характеристик различных приборов: фоторезисторов, полевых и биполярных транзисторов, фото - и светодиодов, лавинно - пролетных диодов, транзисторных...
Киев: Наукова думка, 1984. — 256 с. В монографии изложены современные представления о физических свойствах электромагнитного излучения (в частности, теплового), его статистических свойствах и методах обнаружения посредством внутреннего фотоэффекта в полупроводниках. Значительное внимание уделено специфике детектирования световых сигналов в условиях прямого и гетеродинного...
Киев. Наукова думка, 1968. — 400 с. Книга представляет собой обзор современного состояния исследований по физике поверхности полупроводников. Рассмотрены вопросы теории поверхности полупроводников, методы приготовления реальной и атомарно чистой поверхностей, методы и результаты исследования электрических характеристик поверхности, неравновесные процессы на поверхности и в...
Москва: Мир, 1967. — 480 с. Настоящая книга посвящена обстоятельному описанию нового класса полупроводниковых материалов — соединениям типа A III B V , получившим в последние годы широкое практическое применение в полупроводниковой электронике и (в самое последнее время) в лазерной технике. В книге систематически описаны результаты основных исследований важнейших свойств этих...
М.: Мир, 1974. – 464 с. Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокаций, границ зерен и т.д.) на неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Эта проблема приобрела в последние годы особую актуальность в связи с использованием в полупроводниковой технике тонких пленок, сложных...
М.: Мир, 1974. – 464 с. Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокаций, границ зерен и т.д.) на неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Эта проблема приобрела в последние годы особую актуальность в связи с использованием в полупроводниковой технике тонких пленок, сложных...
Москва: МФТИ, 2006. — 79 с. Приводятся основные понятия и идеи науки о полупроводниках, рассматриваемые в курсе общей физики и подготавливающие читателя к изучению специальных обзоров и оригинальных работ в этой области. Предназначено для студентов 3-го курса общефизических специальностей, а также для студентов старших курсов и аспирантов. Введение. Происхождение электронных...
Пер. с англ. — Москва: Мир, 1972. — 408 с.
Книга представляет собой первый в отечественной и зарубежной литературе обзор, посвященный физике магнитных полупроводников. В нем подробно рассматриваются зонная структура магнитных полупроводников, явления переноса, различные виды взаимодействия, оптические свойства, причем основное внимание уделяется выяснению механизма явлений....
Монография. М.: Издательство главного управления по использованию атомной энергии при совете министров СССР, 1960. — 304 с.
Введение.
Качественное рассмотрение основ теории плоскостных транзисторов.
Качественная физика полупроводника.
Количественные соотношения в физике полупроводников.
Ток в полупроводниках.
Граничные условия в p-n переходе с прямым смещением.
p-n...
М.: Мир, 1975. Книга американских физиков А. Милнса и Д. Фойхта содержит обстоятельное изложение основных физических процессов в полупроводниковых гетеропереходах и переходах металл — полупроводник и анализ характеристик приборов, основанных на таких переходах. Значительное внимание уделено технологии изготовления гетеропереходов. В монографии использован весьма обширный...
Учебное пособие. Л.: Судостроение, 1966. - 220 с. Приведены общие сведения о строении и свойствах твердого тела, об электропроводности полупроводников, а также рассматривается зависимость электропроводности от воздействия внешних факторов. Описаны физико-химические свойства полупроводниковых материалов, контактные явления на границе раздела полупроводников между собой, с...
Монография. — Томск: Изд-во Том. ун-та, 1990. — 230 с. В монографии приводятся и обсуждаются результаты исследований поверхности многокомпонентных полупроводниковых соединений типа А III В V , A II B VI и A IV B VI в связи с условиями их обработки. Рассматривается физико-химия процессов формирования, состав и строение границ раздела фаз поверхностный слой — водный раствор,...
Монография. — М.: Московский энергетический институт, 2019. — 202 с. Результаты работ, представленных в монографии, легли в основу нового подхода к изучению оптических свойств соединений А 2 В 6 с позиций теории антипересекающихся зон. Они получили признание за рубежом, особенно в США и ЮВ Азии, где это направление успешно развивается в настоящее время. Предлагаемая читателю...
Монография. — Кишинев: Штиинца, 1983. — 305 с. — (Институт прикладной физики, АН МССР). В монографии излагаются основы теории экситонов большой плотности и дан обзор современного состояния вопроса. Главное внимание уделяется описанию электронного строения экситонов и биэкситонов, свойств электронного газа большой плотности и электронно-дырочной жидкости, Достаточно подробно...
Монография. — Кишинев: Штиинца, 1983. — 305 с. — (Институт прикладной физики, АН МССР). В монографии излагаются основы теории экситонов большой плотности и дан обзор современного состояния вопроса. Главное внимание уделяется описанию электронного строения экситонов и биэкситонов, свойств электронного газа большой плотности и электронно-дырочной жидкости, Достаточно подробно...
Москаленко С.А., Бобрышева А.И., Леляков А.В., Миглей М.Ф., Хаджи П.И., Шмиглюк М.И. Монография. — Кишинев: Штиинца, 1974 — 212 с. — (Институт прикладной физики АН МССР). Рассматриваются вопросы теории взаимодействующих экситонов в полупроводниках: условия образования и энергетический спектр биэкситонов, когерентные состояния диполь-активных экситонов и фотонов, формы...
Москаленко С.А., Бобрышева А.И., Леляков А.В., Миглей М.Ф., Хаджи П.И., Шмиглюк М.И. Монография. — Кишинев: Штиинца, 1974 — 212 с. — (Институт прикладной физики АН МССР). Рассматриваются вопросы теории взаимодействующих экситонов в полупроводниках: условия образования и энергетический спектр биэкситонов, когерентные состояния диполь-активных экситонов и фотонов, формы...
М.: Физматлит, 2004. — 320 с. — ISBN: 5-9221-0458-6. Издаваемый посмертно сборник избранных трудов Э.Л. Нагаева включает шесть тематических разделов, отражающих основные направления разносторонней деятельности автора в области теории твердого тела. Центральный раздел посвящен физике магнитных полупроводников. Это направление, созданное и в течение 30 лет активно развивавшееся...
Монография. — Москва: Наука, 1979. — 432 с. В книге представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований электрических, оптических и магнитных свойств магнитных полупроводников (соединений переходных и редкоземельных элементов). Особое внимание уделено связи этих свойств друг с другом. Она проявляется, например, в том, что электроны проводимости могут...
Навчальний посібник. — Харків: Харківський національний університет міського господарства (ХНУМГ ім. О. М. Бекетова), 2021. — 255 с. — ISBN 978-966-695-560-2. Розглянуто фотометричні характеристики напівпровідникових приладів на основі світлодіодів. Наведено фізичні та технічні основи роботи напівпровідникових приладів, із конструкціями сучасних світлодіодів, їхніми...
Ленинград: Наука, 1975. — 395 с. В книге изложены основы физики полупроводников и их практические применения. Первые четыре главы охватывают все главные вопросы, связанные с теорией, физико-химическими свойствами и технологией полупроводников. Пятая глава содержит описание полупроводниковых приборов, их принципиального устройства и применения. Книга служит элементарным...
Ленинград: Наука, 1975. — 395 с. В книге изложены основы физики полупроводников и их практические применения. Первые четыре главы охватывают все главные вопросы, связанные с теорией, физико-химическими свойствами и технологией полупроводников. Пятая глава содержит описание полупроводниковых приборов, их принципиального устройства и применения. Книга служит элементарным введением в...
Калуга: Изд-во КГПУ, 2000 . – 176 с.
В монографии с единых материаловедческих позиций систематизированы и проанализированы характерные свойства и их закономерности для многокомпонентных магнитных полупроводников (как концентрированных, так и разбавленных) - веществ, обладающих одновременно полупроводниковыми характеристиками и магнитным упорядочением. Рассмотрен широкий спектр...
Учеб. пособие ; Нац. техн. ун-т "Харьков. политехн. ин-т". — Харьков : НТУ "ХПИ", 2018. — 96 с. В учебном пособии рассмотрены физические свойства полупроводников и физические принципы работы основных полупроводниковых приборов современной информационной микроэлектроники. Пособие предназначено для студентов технических специальностей всех форм обучения. Введение....
Учебное пособие. – Харьков: Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт» (НТУ "ХПИ"), 2018. – 96 с. ISBN: 978-617-05-0278-0 В учебном пособии рассмотрены физические свойства полупроводников и физические принципы работы основных полупроводниковых приборов современной информационной микроэлектроники. Данное учебное пособие предназначено для...
Тарту: Тартуский государственный университет, 1986. — 52 с. Введение. Поверхностная рекомбинация. Теория Стивенсона—Кейса. Некоторые экспериментальные методы исследования поверхности. Литература.
Учебное пособие. — Н. Новгород: Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского, 2007. — 67 с. — ISBN: 978-5-85746-952-1. В условиях бурного развития наноэлектроники вопросы транспорта электронов в гетеронаноструктурах становятся чрезвычайно актуальными. Однако изучение этих не простых закономерностей часто является непреодолимой трудностью для студентов 3–го курса, только...
М.: Металлургия, 1983. — 192 с. Монография является первой попыткой обобщить экспериментальные данные о состоянии и поведении примесных атомов переходных металлов с незаполненной 3d-оболочкой в полупроводниках. Проанализированы состояние Т-примесей и изменение их электронной структуры в кристаллических решетков полупроводников. Показано, что формирование электрических,...
М.: Эдиториал УРСС, 2000. — 312 с. — ISBN: 5-8360-0068-9 Список авторов: Осипьян Ю.А., Бредихин С.И., Кведер В.В., Классен Н.В., Негрий В.Д., Петренко В.Ф., Смирнова И.С., Шевченко С.А., Штейнман Э.А., Шмурак С.З. Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si...
М., Мир, 1973 г., 458 стр. Монография известного американского специалиста Ж. Панкова посвящена физическим процессам взаимодействия света с полупроводниками, а также практическому использованию этих процессов в полупроводниковых лазерах, люминесцентных диодах, приемниках видимого и инфракрасного излучения. Книга снабжена большим количеством (около 400) иллюстраций — схем,...
Учебное пособие по курсу “Физические основы электронной техники”. — Красноярск: САА, 1998. — 90 с. — ISBN: 5-86433-097-3. В учебном пособии рассматриваются вопросы зонной теории твердых тел, статистики носителей заряда в твердых телах, механизмов электропроводности металлов и полупроводников. Первая глава посвящена основам квантовой механики, понимание которых необходимо для...
Киев: Издательство киевского университета, 1967. — 192 с. Книга является учебным пособием по курсу физики поверхности полупроводников В ней рассмотрены вопросы влияния состояния поверхности на физические свойства полупроводников, а также на работу полупроводниковых приборов. Излагаются основные вопросы теории области пространственного заряда и поверхностного рассеяния носителей...
К.: Вища школа. Головное изд-во, 1984 —214 с. Ил. 128 Табл. 4 Библиогр.: 78 назв. В учебном пособии излагаются современные представления о влиянии поверхности на физические явления в полупроводниках. Проанализированы причины образования поверхностных электронных состояний и приповерхностной области пространственного заряда (ОПЗ). Рассмотрены электрические, фотоэлектрические и...
Вища школа, 1984. – 216 с.
Язык: русский.
В учебном пособии излагаются современные представления о влиянии поверхности на физические явления в полупроводниках. Проанализированы причины образования поверхностных электронных состояний и приповерхностной области пространственного заряда (ОПЗ). Рассмотрены электрические, фотоэлектрические и оптические явления с учетом поверхности...
Підручник. — К.:Либідь,1992. — 240 с.
У підручнику викладено сучасні уявлення про природу електронних станів на ідеальній та реальній поверхнях напівпровідників, описано електрофізичні властивості їх при приповерхневої області, розглянуто фотоелектроичні та оптичні явища в цій області.
Розглядаються моделі гетеро- і гомопереходів під напругою, випрямлення на котнакті,...
Монография. Воронеж: Издательско-полиграфический центр ВГУ, 2008. - 213 с. В монографии рассматриваются вопросы расчетов электрических полей в различных полупроводниковых приборах с p-n-переходами с помощью новых методов, не требующих громоздких численных методов решения двух- или трехмерных уравнений Пуассона со сложными граничными условиями. Получены достаточно простые и...
Методическое пособие по курсу «Физика твердого тела» для студентов специальностей «Микро- и наноэлектронные технологии и системы», «Квантовые информационные системы» всех форм обучения. — Минск: БГУИР, 2005. — 59 с. Методическое пособие содержит сведения, достаточные для самостоятельной подготовки студентов к выполнению экспериментальной части лабораторной работы по одному из...
Минск: БГУ, 1973. — 264 с. В основу пособия положен специальный курс лекций, прочитанный автором для студентов-радиофизиков Белгосуниверситета. В пособии излагается классическая теория металлов и теория Зоммерфельда; рассматриваются основные положения и выводы зонной теории твердого тела и т.д. Отдельные главы посвящены контактным, термоэлектрическим, фотоэлектрическим,...
Минск: БГУ, 2004. — 195 с.: ил. В монографии изложена квазиклассическая теория экранирования электростатических полей и прыжкового переноса электронов (дырок) в объемных полупроводниках с многозарядными точечными дефектами кристаллической решетки. Рассмотрено влияние кулоновского взаимодействия примесных атомов на положение их энергетических уровней в запрещенной зоне,...
Справочное пособие. — Минск: БГУ, 2002. — 155 с.
Справочное пособие по основным понятиям полупроводников исходит из опыта чтения курсов лекций "Статистическая физика полупроводников" и "Низкоразмерные конденсированные системы" в БГУ. Кратко формулируются понятия о состояниях и процессах с участием электронов проводимости, дырок, фононов и атомных дефектов в трех-, двух- и...
Москва: КомКнига, 2005. — 264 с. — ISBN 5-484-00217-6. В книге описаны равновесные свойства квазичастиц (электронов проводимости, дырок, фононов) в объемных (трехмерных) кристаллах. Изложены основы статистики точечных атомных дефектов в решетке и заполнение их энергетических уровней носителями заряда. Рассмотрены кинетические процессы в электронной и фононной системах...
Москва: КомКнига, 2005. — 264 с. — ISBN 5-484-00217-6. В книге описаны равновесные свойства квазичастиц (электронов проводимости, дырок, фононов) в объемных (трехмерных) кристаллах. Изложены основы статистики точечных атомных дефектов в решетке и заполнение их энергетических уровней носителями заряда. Рассмотрены кинетические процессы в электронной и фононной системах...
Минск: БГУ, 2009. — 103 с. Рассмотрены основные закономерности переходных процессов в p-n -структурах на кремнии с учетом влияния генерации и рекомбинации неравновесных носителей заряда на точечных радиационных дефектах, а также приведены контрольные вопросы и задания к лабораторным работам. Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальности 1-31...
Навчальний посібник. — Івано-Франківськ : Видавництво «Плай» ЦІТ Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, 2009. — 216 с. Описані методи одержання та властивості напівпровідникових матеріалів, які застосовуються для виготовлення пристроїв функціональної електроніки. Наведена їх класифікація. Описано структуру власних і домішкових дефектів у...
Навчальний посібник. — Івано-Франківськ : видавництво Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, 2009. – 100 с. Описано структуру власних і домішкових дефектів у напівпро-відникових кристалах, можливості моделювання, розрахунку та керу-вання їх дефектною структурою для отримання матеріалів з необхід-ними властивостями. Розроблено тестові завдання, які...
Навчальний посібник. — Івано-Франківськ : видавництво Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, 2009. – 100 с. Описано структуру власних і домішкових дефектів у напівпро-відникових кристалах, можливості моделювання, розрахунку та керу-вання їх дефектною структурою для отримання матеріалів з необхід-ними властивостями. Розроблено тестові завдання, які...
Москва: Советское радио, 1967. — 96 с. В настоящей краткой монографии рассматриваются теория и физические свойства фотомагнитного и связанных с ним эффектов, подробно обсуждаются методы определения параметров полупроводниковых материалов путем измерения фотомагнитного эффекта, описываются устройство и работа фотомагнитных приемников инфракрасного излучения и фотомагнитометров....
Учебное пособие. — СПб. гос. техн. ун-т. C.-Петербург, 1994. — 80 с. Рассмотрены физические свойства полупроводников с неупорядоченно распределенными примесными атомами и некоторые общие вопросы физики неупорядоченных систем. Изложению физики неупорядоченных полупроводников предшествует краткий обзор основных понятий теории протекания. Далее рассматриваются переходы типа металл...
Пер. с англ. — М.: Мир, 1980. — 352 с. Книга представляет собой коллективную монографию американских ученых и состоит из двух обзоров, составивших 32-й том известной серии Solid State Physics. Она отражает современное состояние теории и эксперимента в одном из актуальных направлений физики твердого тела — исследовании конденсации экситонов в полупроводниках в...
Москва. Издательство иностранной литературы 1957. -160 с
Предлагаемая в русском переводе небольшая книга английского физика Райта знакомит читателей с основами физики полупроводников и с их электрическими свойствами; кроме того, в ней дано описание некоторых технических применений полупроводников.Несмотря на сжатый объем, эта книга знакомит читателя с современным состоянием...
Москва: Наука, 1976, - 254 с
Монография посвящена механизмам рассеяния носителей заряда в инверсионных каналах, процессам захвата их на поверхностные состояния границы раздела полупроводник — диэлектрик и состояния в диэлектрике. Рассмотрены вопросы протекания тока через диэлектрик и вопросы нестабильности МДП-структур, а также механизмы генерации неосновных носителей заряда в...
М.: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1971. — 480 с.: ил. Монография посвящена одному из весьма актуальных вопросов физики полупроводников, непосредственно связанному с полупроводниковой электроникой и микроэлектроникой. В ней дано систематическое и последовательное изложение современных представлений об электронном строении поверхности полупроводников,...
Москва: Мир, 1986.– 304 с. Книга известного английского физика Б. Ридли удачно дополняет имеющиеся учебные пособия по физике полупроводников. Обсуждаются особенности зонной структуры и дискретных энергетических уровней, характеристики процессов рассеяния, излучательных и безызлучательных переходов в полупроводниках. Изложение физических идей и принципиальных особенностей...
Москва: Мир, 1986. — 304 с. Книга известного английского физика Б. Ридли удачно дополняет имеющиеся учебные пособия по физике полупроводников. Обсуждаются особенности зонной структуры и дискретных энергетических уровней, характеристики процессов рассеяния, излучательных и безызлучательных переходов в полупроводниках. Изложение физических идей и принципиальных особенностей...
Учебное пособие по курсам «Фотоэлектрические явления в полупроводниках» и «Фотоэлектрические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах». — Саратов: СГУ, 1984. — 92 с. Фотоэффект дал много ценных сведений о строении вещества и свойствах самого света, в значительной мере приблизив формирование современных, квантовомеханических представлений о веществе и излучении....
Москва, Издательство "Мир", 1966 год - 189 стр.
Книга известного американского ученого А. Роза содержит изложение основных вопросов теории фотопроводимости твердых тел. Большое место занимает феноменологическое описание процессов рекомбинации носителей тока. Значительное внимание уделено рассмотрению явлений, ограничивающую область применения фотопроводников, таких как токи,...
М., ФИЗМАТГИЗ, 1963 г. , 496 стр., серия: "Физика полупроводников и полупроводниковых приборов"
В монографии рассматриваются процессы генерации, движения и рекомбинации неравновесных носителей тога в полупроводниках. Основное внимание уделено рассмотрению процессов рекомбинации через локальные центры прилипания, диффузии и дрейфа неравновесных носителей тока в электрическом и...
Дубна: ОИЯИ, 2023. — 153 с. Монография посвящена физике микропиксельных лавинных фотодиодов (МЛФД), называемых также кремниевыми фотоэлектронными умножителями (Si-ФЭУ). Кратко рассмотрены этапы разработки и физические механизмы работы наиболее перспективных конструкций таких приборов. Обсуждаются методы улучшения амплитудных и временных характеристик МЛФД, а также возможность...
Учебное пособие.– Ленинград: издательство Ленинградского политехнического института, 1977.– 72 с. В пособии излагается часть курса «Физические и химические свойства полупроводников», посвященная дефектам полупроводников. Рассмотрены тепловые, электронные и точечные дефекты кристаллов. Особое внимание уделено примесям и основам легирования полупроводников. С химических позиций...
Учебное пособие.– Ленинград: издательство Ленинградского политехнического института, 1977.– 72 с. В пособии излагается часть курса «Физические и химические свойства полупроводников», посвященная дефектам полупроводников. Рассмотрены тепловые, электронные и точечные дефекты кристаллов. Особое внимание уделено примесям и основам легирования полупроводников. С химических позиций...
Монография. — Алматы: Қазақ университеті, 2015. — 240 с. — ISBN 978-601-04-1645-1. Коллективная монография посвящена проблеме направленного изменения электронных свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников. В частности, авторами рассмотрены современное состояние проблемы управления электронными свойствами некристаллических полупроводников, атомная и локальная...
Коллективная монография. — Москва: Российская академия наук, 2018. — 280 с. — ISBN: 978-5-907036-30-7. В коллективной монографии излагаются физические процессы и механизмы, приводящие к снижению эффективности преобразования неэлектрических величин в электрический ток. Изучается природа возрастания обратных токов р-п-переходов и диодов Шоттки, связанная с образованием...
Киев: Наук. думка, 1984. - 232 с.
Рассмотрены физические механизмы формирования различных фотоэффектов в приповерхностных областях полупроводников и слоистых структур на их основе. Изложены последовательный метод теоретического анализа физических механизмов неравновесных процессов в приповерхностных слоях полупроводников. Описаны теоретические и экспериментальные исследования...
Киев-Одесса: Вища школа. Головное изд-во, 1982.— 151 с.
Сердюк В. В., Чемересюк Г. Г., Терек М. Фотоэлектрические процессы в полупроводниках: Учеб. пособие для вузов.
Аннотация:
Приведена феноменологическая теория процессов возбуждения, захвата и рекомбинации неравновесных носителей тока. Значительное внимание уделено изучению электронных процессов, связанных с наличием...
Вводный курс лекций. — 2-е изд., перераб. и доп. — Нижний Новгород, 2021. — 135 с. Список основных обозначений. Введение. Основные понятия кристаллографии твердого тела. Несовершенства и дефекты кристаллической решетки. Зонная теория твердых тел. Статистика носителей заряда в полупровониках. Плотность квантовых состояний. Физические свойства кристалла. Понятие о работе выхода....
2-е изд., перераб. и доп. — Нижний Новгород, 2021. — 135 с. Список основных обозначений. Введение. Основные понятия кристаллографии твердого тела. Несовершенства и дефекты кристаллической решетки. Зонная теория твердых тел. Статистика носителей заряда в полупровониках. Плотность квантовых состояний. Физические свойства кристалла. Понятие о работе выхода. Контакт...
Новосибирск: "Наука", 1980. — 296 с. 600 dpi + OCR
В монографии приведены конкретные данные о радиационных дефектах в полупроводниках, о возможностях и примерах их использования в технологических целях. Большое внимание уделено вопросам управления радиационными процессами. Точечные дефекты, разупорядоченные области, разупорядоченные и аморфные слои,полученные радиационными...
Томск: Томский межвузовский центр дистанционного образования, 2002. —- 89 с. Рассмотренные в данном учебном пособии основные положения физики твердого тела можно считать минимально необходимым для дальнейшего, более углубленного изучения основ физики полупроводников.
Томск: Томский межвузовский центр дистанционного образования, 2002. — 127 с.
Физика полупроводников - наука молодая и быстроразвивающиеся, поэтому не все разделы имеют завершенный вид. Объем материала соответствует изучению физики полупроводников в течение одного семестра; пользоваться учебным пособием могут студенты, специализирующиеся в области полупроводниковой электроники,...
М.: Мир, 1982, 560 стр. Учебное пособие известного английского физика Р. Смита, представляющее собой второе, переработанное и дополненное изданне курса физики полупроводников. С большим педагогическнм мастерством и на высоком научном уровне излагаются основы современной теории электрических, гальваномагнитных, тепловых, оптических и контактных явлений в полупроводниках. Для...
Перевод с английского. Москва Мир 1982, 560с.
Учебное пособие известного английского физика Р. Смита, представляющее собой второе, переработанное и дополненное издание курса физики полупроводников. С большим педагогическим мастерством и на высоком научном уровне излагаются основы современной теории электрических, гальваномагнитных, тепловых, оптических и контактных явлений в...
Киев, Наукова думка, 1992.– 568 с. Монография посвящена теории собственных энергетических уровней твердых тел в области длинноволнового края собственного поглощения, результаты которой отражены в громадной научной литературе. Представлены данные о структуре кристаллических решеток, зоннах Бриллюэна, энергетических зонах, энергии запрещенной зоны, плотности состояний и их...
Киев: Наукова думка, 1992. — 568 с. Монография посвящена теории собственных энергетических уровней твердых тел в области длинноволнового края собственного поглощения, результаты которой отражены в громадной научной литературе. Представлены данные о структуре кристаллических решеток, зонах Бриллюэна, энергетических зонах, энергии запрещенной зоны, плотности состояний и их...
Москва: Наука, 1988. - 224с. Монография посвящена оптическим свойствам и электронной структуре конденсированных халькогенов. Обобщены результаты экспериментальных исследований спектров поглощения, отражения, излучения, фотопроводимости, модуляционных и фотоэмиссионных спектров и расчетов no ним оптических фундаментальных функций в широкой области энергии энергии. Впервые...
Москва: Наука, 1988. - 224с. Монография посвящена оптическим свойствам и электронной структуре конденсированных халькогенов. Обобщены результаты экспериментальных исследований спектров поглощения, отражения, излучения, фотопроводимости, модуляционных и фотоэмиссионных спектров и расчетов no ним оптических фундаментальных функций в широкой области энергии энергии. Впервые...
Учебно-методическое пособие. — Ростов-на-Дону; Таганрог: Южный федеральный университет, 2017. — 32 c., ил. В учебно-методическом пособии представлено описание эффекта Холла и основанных на нем методик измерений параметров полупроводниковых структур. Учебно-методическое пособие может использоваться в учебном процессе при проведении практической и научно-исследовательской работы...
Ленинград, 1957. — 75 с. Введение. Фотоэффект запирающего слоя. Конструкция вентильных фотоэлементов. Основные характеристики фотоэлементов. Основные типы фотоэлементов. Германиевые фотодиоды. Некоторые примеры применения фотоэлементов. Литература.
Ленинград. Наука. 1967. — 440 с. В этой книге автор стремился показать, почему ученые многих стран так усиленно занимаются полупроводниками. Это потребовало охвата широкого круга вопросов, выходящих за границы одного лишь описания полупроводниковых приборов. Для того чтобы проблема полупроводников предстала перед читательским взором более полно, необходимо знакомство, если не со...
Ленинград: Наука, 1967. — 440 с. В этой книге автор стремился показать, почему ученые многих стран так усиленно занимаются полупроводниками. Это потребовало охвата широкого круга вопросов, выходящих за границы одного лишь описания полупроводниковых приборов. Для того чтобы проблема полупроводников предстала перед читательским взором более полно, необходимо знакомство, если не...
Монография. - СПб.: Издательство РГПУ им. А.И. Герцена, 2003. - 169 с. ISBN: 5-8064-0689-х В монографии приведены результаты оптических исследований сближения энергии плазменных колебаний, межзонных переходов и колебаний кристаллической решетки, наблюдающихся в легированных акцепторной примесью кристаллах висмута и сплавах висмут-сурьма. Работа выполнена в ходе исследований,...
Москва, «Советское радио», 1967. 452 с.
Книга представляет собой систематическое рассмотрение основных разделов физики полупроводников: качественного и количественного описания строения полупроводниковых кристаллов, энергетического спектра и статистики электронов и фононов, теории явлений переноса, оптических и фотоэлектических свойств и контактных явлений.
В первой главе эти...
Москва: Советское радио, 1967. — 452 с. Книга представляет собой систематическое рассмотрение основных разделов физики полупроводников: качественного и количественного описания строения полупроводниковых кристаллов, энергетического спектра и статистики электронов и фононов, теории явлений переноса, оптических и фотоэлектрических свойств и контактных явлений. В первой главе эти...
Киев: Выща школа, 1982. — 224 с. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник, p—n перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель гетероперехода, из которой получаются модели р—n перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник, р—n перехода и гетероперехода с...
Киев: Выща школа. Головное издательство, 1982. — 224 с.
Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник, p—n перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель гетероперехода, из которой получаются модели р—n перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник, р—n перехода и...
М.; Энергоатомиздат, 2003. - 507 с: ISBN 5-283-00769-3
Рассмотрены явления люминесценции, эмиссии заряженных частиц, генерации электронно-дырочных пар при возбуждении поверхности твердых тел атомными частицами сверхнизких энергий (хемоэлектроника гетерогенных систем). Изложены физические основы методов изучения поверхности и газовой фазы, основанных на неравновесных гетерогенных...
Учебное пособие, Воронеж: Изд-во ВГУ, 1989.- 224 с. Библиогр. 11 назв. Ил. 78, Табл. 11 В учебном пособии рассматриваются природа поверхности полупроводников и границы раздела полупроводник-диэлектрик, дано введение в феноменологическую теорию приповерхностной области пространственного заряда полупроводника и описание основных ее характеристик. Излагается теория структур...
Монография .— Ставрополь : изд-во СКФУ, 2015 .— 97 с. — ISBN: 978-5-9296-0785-1 В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений...
Учебное пособие / Тарасова Е.А., Пузанов Е.А., Волкова Е.В., Оболенский С.В. – Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2019. – 86 с. Данное пособие является продолжением цикла учебных пособий по полупроводниковой электронике и содержит информацию о физических основах работы полупроводниковых транзисторов. Пособие предназначено для студентов для студентов и слушателей...
Москва: Мир, 1967. — 75 с. Небольшая книжка содержит очень сжатый систематический обзор состояния исследования оптических свойств полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра к моменту написания книги. Это один из первых вообще обзоров оптических свойств полупроводников. Книга рассчитана на физиков и инженеров, работающих в области изучения и использования...
Москва: Мир, 1967. — 75 с. Небольшая книжка содержит очень сжатый систематический обзор состояния исследования оптических свойств полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра к моменту написания книги. Это один из первых вообще обзоров оптических свойств полупроводников. Книга рассчитана на физиков и инженеров, работающих в области изучения и использования...
Перевод с чешского. — Москва: Издательство иностранной литературы, 1962. — 256 с. Книга крупнейшего чехословацкого специалиста по полупроводникам проф. Тауца посвящена фото- и термоэлектрическим явлениям в полупроводниках, на которых основана возможность прямого преобразования световой (солнечной) и тепловой энергии в электрическую. В книге дано краткое изложение физики...
Киев: Наукова думка, 1984. — 264 с. В монографии освещены вопросы полупроводникового материаловедения с позиций квантовой механики, статистической физики и физики полупроводников. Впервые описана теоретико-групповая диаграммная техника для расчета термодинамических величин взаимодействующих систем. Приведены расчеты для бинарных монокристаллов, а также для полупроводниковых...
Учебное пособие. Москва. 2000 г. – 51 стр.
Модель Кронига-Пенни.
Термодинамические равновесные концентрации электронов и дырок в чистом и примесных полупроводниках.
Теория контактного PN-перехода.
Моногр. / В.В. Трегулов ; Ряз. гос. ун-т им. С.А. Есенина. – Рязань, 2011. – 124 с. ISBN: 978-5-88006-677-3 Монография содержит обзор информационных источников и основ-ные сведения о пористом кремнии – перспективном материале современной микро- и наноэлектроники. Рассматриваются вопросы технологии из-готовления пористого кремния, его структурные свойства, люминесцентные и...
Підручник. – К.: Видавничо-поліграфічний центр "Київський університет", 2007. – Т. 1. – 338 с. Викладено основні ідеї фізики твердого тіла, на базі якої вивчається зонна структура напівпровідників; розглянуто статистику електронів та дірок, кінетичні явища та явища перенесення. Подано ефекти, що обумовлені наявністю домішок та дефектів у напівпровідниках. Розглянуто механізми...
Рига: Зинатне, 1966.-547 с. Сборник трудов, обзорных работ, статей по изeчению физики p-n переходов. Число работ, посвященных исследованию физических свойств переходов растет. Книга будет интересна для специалистов, работающих в области изучения физических явлений в полупроводниках, а также для занимающихся изучением свойств ряда полупроводниковых приборов с p-n переходами.
Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, вып. 3 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия (Получена 2 августа 2010 г. Принята к печати 25 августа 2010 г.) Исследованы электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе с имплантированным ионами азота захороненным слоем SiO 2 в зависимости...
М.: Мир. 1970. 488с. Книга представляет собой коллективную монографию крупных зарубежных специалистов по физике полупроводников, посвпщенную оптическим свойствам полупроводниковых соединений элементов III и V групп периодической системы (A^3 B^5). Такие соединения (InSb, GaAs, InР, ВР и т. д.) в последние годы находят все более широкое применение как материалы для...
Учебное пособие. - Владимир, Изд-во Владим. гос. ун-та, 2002. - 124 с.
Рассматриваются нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках при воздействиях режимных (перепады токов и напряжений) и внешних (импульсные излучения оптического и гамма-рентгеновского диапазонов) факторов. На примерах решения краевых задач нестационарной электропроводности изучается методология...
Монография. — Москва: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1977. — 366 с. Оптические методы исследования позволяют изучать физические свойства полупроводников и независимо от других методов точно определять их характеристические параметры. В настоящей монографии творчески обобщены последние результаты экспериментальных исследований оптических свойств...
Томск: Томский государственный университет, 2018. — 364 с. — ISBN: 978-5-94621-757-6 В монографии на основе оригинальных представлений последовательно и всесторонне обсуждены различные аспекты природы электрофизических явлений структур с барьером Шоттки на GaAs. Внедрение в промышленность структур с барьером Шоттки потребовало решения вопросов, связанных с повышением надежности...
Учеб. пособие для вузов по спец. «Полупроводники и диэлектрики» и «Технология специальных материалов электронной техники». — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высш. шк., 1984. — 352 с., ил.
В книге изложены основные разделы физики полупроводников; освещены важнейшие области ах применения; рассмотрены наиболее распространенные методы измерения параметров полупроводниковых...
М.: Высш. шк., 1984. — 352 с., ил. Учебное пособие для вузов по спец. «Полупроводники и диэлектрики» и «Технология специальных материалов электронной техники». — 2-е изд., перераб. и доп. В книге изложены основные разделы физики полупроводников; освещены важнейшие области ах применения; рассмотрены наиболее распространенные методы измерения параметров полупроводниковых...
Монография — М.: Металлургия, 1977, 240 с. — 600dpi, чёрно-белый, OCR Рассмотрены принципиальные отличия явления распада в полупроводниках от распада в металлах. Показано возникновение в полупроводниках качественно новых закономерностей — ускорение распада, появление дополнительных кинетических стадий и др. Развит квазихимический подход для описания процессов взаимодействия...
М.: Наука, 1967. — 416 с. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). В последние годы возможности радиоэлектроники и полупроводниковой техники значительно расширились в связи с использованием сильно легированных (вырожденных) полупроводников. Они являются основой важнейших приборов: туннельных диодов, лазеров, датчиков Холла и многих других. Физические явления в...
Москва: Наука, 1971. — 216 с. В обзоре Р. Фишера и X. Ноймана изложены основы теории автоэмиссии полупроводников n-типа с учетом особенностей их зонной структуры. Приводятся выражения для плотности эмиссионного тока и энергетического распределения автоэлектронов, рассматривается влияние поверхностных состояний на автоэмиссию. Вторую, экспериментальную, часть обзора составляют...
Москва: Наука, 1964. — 284 с. Книга содержит подробный анализ ряда простых, но практически очень важных случаев кинетики люминесценции кристаллофосфоров. Для этих случаев определяются законы разгорания и затухания люминесценции, зависимость яркости от интенсивности возбуждения и другие характеристики процесса. Рассмотрено также внешнее тушение, рекомбинационное взаимодействие...
Івано-Франківськ: Видавництво Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, 2010. – 263 с. Розглянуто основні фізичні процеси у напівпровідниках, які є важливими для конструювання і функціонування активних елементів електроніки. Значну увагу приділено фізичним процесам роботи діодів, транзисторів, елементів інтегральних схем магніторезисторів,...
М.: Мир, 1969. — 128 с. Книга содержит сжатое, но очень насыщенное изложение вопросов взаимодействия излучения с неметаллическими кристаллами и металлами. В первой части строго рассматриваются все важнейшие теоретические представления, во второй приводятся принципиально важные экспериментальные данные и дается их анализ. Книга рассчитана на физиков-теоретиков и экспериментаторов,...
М.: Мир, 1969. — 128 с. Книга содержит сжатое, но очень насыщенное изложение вопросов взаимодействия излучения с неметаллическими кристаллами и металлами. В первой части строго рассматриваются все важнейшие теоретические представления, во второй приводятся принципиально важные экспериментальные данные и дается их анализ. Книга рассчитана на физиков-теоретиков и экспериментаторов,...
Учебное пособие. — Томск: Издательство Томского государственного педагогического университета, 2008. — 140 с. — ISBN: 978-5-8353-0654-1. Пособие разработано по курсу ДС «Кинетические и размерные эффекты в твердых телах» по специальности "Физика» в соответствии с государственным образовательным стандартом высшего профессионального образования и рассматривает влияние...
Учебное пособие. — Томск: Издательство Томского государственного педагогического университета, 2008. — 140 с. — ISBN: 978-5-8353-0654-1. Пособие разработано по курсу ДС «Кинетические и размерные эффекты в твердых телах» по специальности "Физика» в соответствии с государственным образовательным стандартом высшего профессионального образования и рассматривает влияние...
Перевод с английского. Москва издательство "Мир" 1989 г. в 3 частях 341 стр.
Труды традиционной большой интернациональной конференции которая проводится в ETTORE MAJORANA FOUNDATION AND CENTRE FOR SCIENTIFIC CULTUR и посвящена актуальным вопросам физики твердого тела.
Москва: Мир, 1989. — 240 с. Книга польского ученого представляет собой введение в новую область физики полупроводников - физику многослойных полупроводниковых микроструктур, так называемых сверхрешеток, нашедших важное применение в пикосекундной полупроводниковой электронике. Рассматривается электропроводность сверхрешеток, обсуждаются перспективы их применения, а также технология...
М.: Мир, 1989. - 240 с. - Для специалистов по физике полупроводников, инженеров и технологов, а также для студентов и аспирантов.
Книга польского ученого представляет собой введение в новую область физики полупроводников - физику многослойных полупроводниковых микроструктур, так называемых сверхрешеток, нашедших важное применение в пикосекундной полупроводниковой электронике....
М.: "Наука", 1986. - 240 с. В книге описываются бесщелевые полупроводники, свойства которых благодаря отсутствию щели между зоной проводимости и валентной зоной чрезвычайно чувствительны к внешним воздействиям. Рассматриваются электронный спектр чистых бесщелевых полупроводников типа серого олова и теллурида ртути, влияние примесей (в том числе магнитных) на их зонную структуру...
Москва: Наука, 1978. — 328 с. В книге излагается современное состояние исследования зонных структур и динамики носителей заряда в полупроводниках. Подробно рассматривается kp -метод расчета электронных энергетических спектров. Уделяется много внимания построению качественной картины спектра при известных симметрии и химической связи кристалла. Описываются зонные структуры...
Издательство "Наука", Главная редакция физико-математической литературы, М. , 1972 г., 640 с.
Книга посвящена изложению современного состояния зонной теории полупроводников и динамики электронов и дырок. Подробно рассматриваются методы расчета электронных энергетических спектров твердых тел, причем уделяется внимание вопросам построения качественной картины спектра на основе...
Запорожье: ЗГИА, 2004. — 344 с. Изложены теоретические основы и вопросы практической реализации технологии полупроводникового кремния, методы выращивания монокристаллов и получения изделий из кремния, а также получение эпитаксиальных слоев кремния. Значительное внимание уделено фазовым переходам в полупроводниках и тонкой структуре монокристаллов кремния. Рассмотрено влияние...
Учебное пособие. — Новосибирск: НГТУ, 2021. — 82 с. Полупроводниковые материалы широко используются в современной элементной базе микроэлектроники. В учебном пособии подробно рассмотрена теория квантовых состояний электронов и дырок в собственных и примесных полупроводниках, описаны особенности квантовых состояний носителей заряда в квантовых ямах, нанопроволоках, квантовых...
Москва-Ленинград: Энергоиздат, 1963. — 552 с. В книге описаны физические свойства и элементарная теория полупроводниковых приборов; рассматриваются основные конструктивные принципы, а также некоторые эксплуатационные и схемные свойства этих приборов. Книга предназначена для инженерно-технических работников, работающих над созданием и применением полупроводниковых приборов, и...
М.: Наука, 1969. — 292 с. В книге в весьма доступной и сжатой форме описаны тепловые и диффузионные процессы в кристаллах, кинетические, оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках. Включены такие новые вопросы, как явления в сильных квантующих магнитных полях, электрическая доменная неустойчивость, принципы работы квантовых оптических генераторов. Интерпретация...
М.: Наука, 1969. — 292 с. В книге в весьма доступной и сжатой форме описаны тепловые и диффузионные процессы в кристаллах, кинетические, оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках. Включены такие новые вопросы, как явления в сильных квантующих магнитных полях, электрическая доменная неустойчивость, принципы работы квантовых оптических генераторов. Интерпретация...
3-е изд, испр. — М.: Энергоатомиздат, 1985. — 392 с., ил. В книге рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеивания носителей зарядов, генерация и рекомбинация носителей заряда, изложены контактные и поверхностные...
3-е изд, испр. — М.: Энергоатомиздат, 1985. — 392 с.: ил. Рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда,...
Учебное пособие для вузов. — М.: Энергия, 1971. — 312 с. В книге изложены основные вопросы по физики полупроводников. В ней рассмотрена элементарная теория проводимости и модельные представления о механизме проводимости полупроводников, даны основы зонной теории полупроводников, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и...
2-е изд., перераб. — М.: Энергия, 1976. — 416 с. В книге изложены основные вопросы физики полупроводников. В ней рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности полупроводников, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация...
Учебник. 4-е изд., стер. — СПб.: Лань, 2010. — 400 с. — (Учебники для вузов. Специальная литература). В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей...
Москва: Мир, 1991. — 464 с., ил. Книга ученого из ФРГ содержит систематическое изложение актуальных вопросов динамики нелинейных систем, неравновесных фазовых переходов и возникновения детерминированного хаоса в приложении к физике полупроводников. Сделана попытка связать физику полупроводников с теорией линейных механических систем, далеких от термодинамического равновесия....
М.: Мир, 1991. — 464 с., ил.
Книга ученого из ФРГ содержит систематическое изложение актуальных вопросов динамики нелинейных систем, неравновесных фазовых переходов и возникновения детерминированного хаоса в приложении к физике полупроводников. Сделана попытка связать физику полупроводников с теорией линейных механических систем, далеких от термодинамического равновесия....
СПб, СПбГТУ, 1993. - 76 с
Посвящено физике, технологии и возможностям приборного применения полупроводниковых структур с двумерным электронным газом. Исследование таких структур стало в последнее десятилетие наиболее активно развивающимся направлением физики полупроводников. Предназначено для студентов-физиков, изучающих физику полупроводников, в первую очередь для студентов...
Учебно-методическое пособие. – Нижний Новгород: ННГУ, 2009. – 18 с.
Данное учебно-методическое пособие является дополнением к курсу «Физика низкоразмерных систем», читаемом на физическом факультете ННГУ для студентов, обучающимся по направлению подготовки 210600 «Нанотехнология».
В пособии рассматривается метод построения энергетической диаграммы идеального гетероперехода по...
М.: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1979. — 416 с.
В книге рассматриваются физические явления в легированных полупроводниках, для описания которых необходимо учитывать, что электроны находятся в хаотическом поле доноров и акцепторов. К этим явлениям относятся андерсеновская локализация электронов, прыжковая проводимость, переход от металлической...
Монография. — М.: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1979. — 416 с. В книге рассматриваются физические явления в легированных полупроводниках, для описания которых необходимо учитывать, что электроны находятся в хаотическом поле доноров и акцепторов. К этим явлениям относятся андерсоиовская локализация электронов, прыжковая проводимость, переход от...
М.: Металлургия, 1964.- 208с.
Книга знакомит читателя с рядом перспективных для радиоэлектроники полупроводниковых материалов, принадлежащих к наиболее обширной группе полупроводников — алмазоподобным полупроводникам. В книге рассматриваются только такие полупроводники, технологии изготовления которых в отечественной и зарубежной литературе. Детальному описанию этих материалов...
Приложение к теории транзисторов. - М.: Издательство иностранной литературы, 1953. - 715 с.
В основу этой книги положен ряд лекций, прочитанных автором в связи с развитием программы работ по транзисторам. Содержание ее и структура в значительной степени определились этими лекциями. Ударение в из.1ожении сделано, в соответствии с этим, на явления, наиболее существенные для...
Приложение к теории транзисторов. — М.: Издательство иностранной литературы, 1953. — 715 с. В основу этой книги положен ряд лекций, прочитанных автором в связи с развитием программы работ по транзисторам. Содержание ее и структура в значительной степени определились этими лекциями. Ударение в изложении сделано, в соответствии с этим, на явления, наиболее существенные для...
Москва: Радио и связь, 1997.-208 с. В монографии, написанной известным специалистом в области полупроводниковой электроники, изложены физические основы работы, технология и проблемы надежности лавинно-пролетных диодов. Рассмотрены вопросы конструирования СВЧ-генераторов и усилителей на основе лавинно-пролетных диодов. Приведены примеры использования приборов в СВЧ-технике. Для...
3-е изд., испр. и доп. - М.: Физматлит, 2002. - 560 с.
Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к...
Пер. с англ. И. И. Решиной. Под ред. Б. П. Захарчени. — 3-е изд., испр. и доп. — М.: Физматлит, 2002. — 560 с. — ISBN 5-9221-0268-0. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" содержит детальное объяснение электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников и полупроводниковых наносистем. В книге применен скорее физический, чем строго...
М., Изд. МГУ, часть 1 (122 с.), 1988
Учебное пособие включает в себя первую часть спецкурса, посвященного различным явлениям, обусловленным взаимодействием электромагнитного излучения с полупроводниками. Рассмотрены поглощение, отражение, излучение света, связь оптических параметров с квантовомеханическими параметрами системы; показано, как из спектров в коротковолновой области...
М., Изд. МГУ, часть 2 (88 с.), 1991
Учебное пособие представляет собой вторую часть спецкурса, который посвящен взаимодействию электромагнитного излучения с полупроводниками. Рассмотрены поглощение и отражение свободными носителями тока, однофононный резонанс, двухфононное поглощение, рассеяние на оптических и акустических фононах. Рассмотрено взаимодействие света с примесями,...
Новосибирск: НГУ, 1980. — 92 с. Учебное пособие посвящено анализу работы и методам расчета основных элементов акустоэлектронных устройств обработки и хранения информации - преобразователей для возбуждения и индикации поверхностных волн. Эти вопросы являются предметом второй части учебного пособия. В НГУ соответствующие лекции читаются на IV курсе физического факультета. Пособие...
Пособие. — Минск: БГУ, 2014. — 156 с.
Рассмотрены вопросы, связанные с воздействием радиации на полупроводниковые материалы, а также физические принципы и явления, лежащие в основе современных ионно—радиационных технологий.
Для студентов учреждения высшего образования, обучающихся по специальности «Физика (по направлениям)».
Процессы образования первичных радиационных...
Учебное пособие. Воронеж: ИПЦ ВГУ, 2007. - 62 с.Учебное пособие подготовлено на кафедре неорганической химии химического факультета Воронежского государственного университета. Оно содержит основные материалы курса "Основы физики и химии полупроводников", изложенные в удобной и компактной форме, с большим количеством поясняющих иллюстраций и таблиц. В первой части пособия кратко...
Учебное пособие. Воронеж: ИПЦ ВГУ, 2007. - 51 с. Учебное пособие подготовлено на кафедре неорганической химии химического факультета Воронежского государственного университета. Оно содержит основные материалы курса "Основы физики и химии полупроводников", изложенные в удобной и компактной форме, с большим количеством поясняющих иллюстраций и таблиц. Рекомендуется для студентов III...
Комментарии