Учебно-методическое пособие. — Томск: Томский государственный университет (ТГУ), 2023. — 44 с.
Рассмотрено явление фотопроводимости в полупроводниках. Даны общие сведения о гетероструктурах и различных типах наноструктур. Особое внимание уделено квантовым точкам, их энергетической структуре и оптическим свойствам. Рассмотрены основные принципы работы инфракрасных детекторов, в том числе фотоприемников на квантовых точках. Дана классификация источников шумов в таких устройствах. Описаны основные параметры, определяющие рабочие характеристики инфракрасных фотодетекторов, и рассмотрены способы их расчета для фотоприемников на квантовых точках. Учебное пособие содержит описание физико-математических моделей и расчетные задания по моделированию темнового тока и обнаружительной способности фотодетекторов на квантовых точках в различных режимах работы.
Пособие предназначено для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов, а также специалистов в области оптоэлектроники.
Понятие фотопроводимости
Гетеро- и наноструктурыГетероструктуры
Наноструктуры
Квантовые точки
Инфракрасные фотоприемникиОбщие сведения о фотоприемниках
Фотоприемники на основе квантовых точек
Основные параметры фотоприемниковШумы
Чувствительность
Мощность, эквивалентная шуму
Обнаружительная способность
Особенности расчета параметров фотоприемников на квантовых точкахПредельные характеристики фотоприемников с квантовыми точками германия на кремнии (в режиме ограничения фоновым излучением)
Темновой ток и обнаружительная способность фотодетекторов в режиме ограничения генерационно-рекомбинационными шумами
Расчетные заданияРасчет темнового тока и обнаружительной способности фотодетекторов в режиме ограничения фоновым излучением
Расчет темнового тока и обнаружительной способности фотодетекторов в режиме ограничения генерационно-рекомбинационными шумами