Сейдман Л.А. Реактивное нанесение в вакууме слоёв нитрида титана и применение их в системах контактной металлизации полупроводниковых приборов (по данным зарубежной и отечественной печати за 1975 - 1987 гг.)

Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 6 (1368). Под. науч. ред. канд. техн. наук Иноземцева Г.М. — М.: ЦНИИ Электроника, 1988. — 60 с.Обзор посвящён тонким пленкам нитрида титана, их получению и применению в полупроводниковой электронике. По сравнению с зарубежной литературой в отечественной литературе этому вопросу уделено мало внимания. Цель данного обзора — обобщить зарубежный опыт и помочь овладеть им технологам и разработчикам новых полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Рассмотрены различные способы получения плёнок нитрида титана реактивным нанесением в вакууме. Особое внимание уделено реактивному магнетронному нанесению. Приведены основные свойства плёнок и их зависимости от параметров процесса нанесения. Подробно описано применение плёнок нитрида титана в контактах с полупроводниками и в качестве диффузионного барьера в многослойных контактных системах полупроводниковых приборов. Применение такого барьера увеличило термостойкость контактных систем на 100 — 200 К и соответственно долговечность и надёжность приборов.Введение.
Устройства для реактивного нанесения в вакууме.
Термические устройства.
Диодные и триодные устройства.
Магнетронные устройства.
Основные технологические параметры, влияющие на процесс реактивного нанесения.
Поток азота, напускаемого в камеру.
Электрические параметры разряда.
Температура и потенциал подложки.
Способы контроля процесса.
Контроль условий нанесения по парциальному давлению азота.
Контроль скорости распыления мишени.
Свойства полученных плёнок и их связь с параметрами процесса.
Состав.
Удельное сопротивление.
Структура и механические свойства.
Цвет.
Технологические особенности применения плёнок нитрида титана в полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах.
Способы формирования заданного рисунка.
Сопротивление контактов нитрида титана с кремнием и арсенидом галлия.
Диоды с барьером Шоттки на основе контакта нитрида титана с кремнием.
Затворы из нитрида титана в полевых МОП-транзисторах.
Диффузионные барьерные слои в контактных системах.
Барьерный слой нитрида титана в контактных системах на основе различных металлов (алюминия, золота, серебра, меди и никеля).
Алюминия.
Золота.
Серебра, меди и никеля.
Заключение.
Список литературы.