Колосницын Б.С., Степанов А.А. Полупроводниковые приборы микро- и наноэлектроники

Учебное пособие. — Минск: Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 2018. — 196 с. — ISBN: 978-985-543-341-6.Предназначено для изучения второй части интегрированной дисциплины «Основы твердотельной электроники», которая состоит из технологической и приборной частей.
Рассматривается физика работы, параметры и конструкции маломощных и силовых моно- и гетероструктурных биполярных и полевых транзисторов, работающих в широком диапазоне частот, а также СВЧ полупроводниковые диоды.
Большое внимание уделено особенностям работы короткоканальных МОП-транзисторов, полевых транзисторов с затвором Шоттки, анализу возможных потерь мощности в КМОП-инверторах и использованию новых материалов для создания диодов Шоттки.
Учебное пособие будет полезно магистрантам и аспирантам, обучающимся в областях микро- и наноэлектроники, а также инженерам электронной техники.Предисловие.
Электронно-дырочный переход.
Образование электронно-дырочного (р-n) перехода.
Электронно-дырочный переход в состоянии теплового равновесия.
Барьерная емкость р-n -перехода.
Электронно-дырочный переход при нарушении равновесия.
Граничная концентрация неосновных носителей в базе.
Распределение концентрации неосновных носителей в базе.
Аналитические выражения для ВАХ р-n -переходов.
Генерация и рекомбинация носителей в ОПЗ р-n -переходов.
Диффузионная емкость.
Высокий уровень инжекции.
Пробой р-n-перехода (диода).
Переходные процессы в р-n-переходе.
Контакты «металл – полупроводник».
Барьер Шоттки.
Диод Шоттки.
Невыпрямляющий (омический) контакт.
Биполярные транзисторы.
Полевые транзисторы.
Комплементарная МОП ИМС.
Полевой транзистор с затвором Шоттки.
Эволюция силовых полупроводниковых приборов.
Мощные биполярные транзисторы.
Мощные МОП-транзисторы.
биполярный транзистор с изолированным затвором.
тиристоры.
диоды СВЧ-диапазона.
Перечень сокращений.
Литература.