Рахимов Н.Р., Ушаков О.К. Оптоэлектронные датчики на основе АФН-эффекта

Новосибирск: СГГА, 2010. — 218 с. — ISBN: 978-5-87693-365-2.В настоящей монографии приведены результаты исследований эффекта аномально высоких фотоэлектрических напряжений (АФН) в полупроводниковых пленочных системах. Впервые изложена методика и приведены результаты экспериментальных исследований возможности получения эффективного координатно-чувствительного приемника оптического излучения из полупроводниковых соединений в виде ступенчатообразной АФН-пленки. Исследована возможность использования оптрона открытого канала для волоконно-оптических систем на основе излучателя и АФН-приемника. На базе АФН-пленок разработаны новые оптоэлектронные системы различного назначения. Книга рассчитана на специалистов в области оптики, физики полупроводников, микроэлектроники и специалистов, занимающихся разработкой оптоэлектронных приборов, а также может быть полезна преподавателям и студентам вузов.Список основных сокращений.
Список основных обозначений.
Предисловие.
Физические свойства АФН-пленок.
Фотовольтаический эффект в полупроводниках.
АФН-эффект в полупроводниковых пленках.
О природе возникновения аномального фотонапряжения.
Микроскопический механизм АФ-эффекта.
Экспериментальные методы определения природы возникновения аномального фотонапряжения.
Эффект аномального фотомагнитного напряжения в пленочных элементах.
Выводы по первой главе и постановка задач для создания оптоэлектронных датчиков на основе АФН-эффекта.
Технологические особенности изготовления и некоторые фотоэлектрические свойства АФН-пленок.
Методика изготовления эффективных АФН-пленок.
Технология изготовления пленок CdTe:Ag.
Методика увеличения АФН в пленочных структурах типа CdTe.
Получение отражающих серебряных покрытий методом ионной бомбардировки.
Исследование фотоэлектрических свойств АФН-пленок теллурида кадмия с серебром.
Кинетика АФН-эффекта в пленках типа CdTе.
Обсуждение экспериментальных результатов.
Фоторефрактивный эффект в сегнетоэлектриках.
Голографическая запись в структурах «АФН-пленка – сегнетоэлектрик».
Элементная база, устройство и применение оптронов.
Изготовление АФН-приемника.
Технология изготовления координатно-чувствительного приемника оптического излучения на основе ФН-пленок.
Особенности получения двумерного координатночувствительного приемника оптического излучения.
Разработка оптоэлектронных приборов на основе излучателей и АФН-пленок.
Выбор светоизлучающих диодов для создания оптоэлектронных систем.
Исследование эксплуатационных характеристик светоизлучающих диодов для создания оптрона открытого канала.
Определение полупроводникового лазерного диода.
Основные эксплуатационные характеристики полупроводникового лазерного диода.
Преобразователь изображения на основе матричной АФН-пленки.
Оптроны как трансформаторы напряжения.
Многоволновые устройства контроля оптических параметров веществ на основе СИД и АФН-приемников.
Исследование характеристик полупроводниковых оптронов открытого канала для волоконно-оптических систем.
Разработка оптоэлектронных приборов для контроля.
физико-химических параметров жидких сред на основе АФН-приемника.
Оптоэлектронный концентромер глицерина.
Датчик-зонд для определения влажности.
Генератор фотомагнитного напряжения на основе АФН-пленок.
Малогабаритный фотогенератор на основе АФН-пленок.
Перспективы создания оптоэлектронных приборов для контроля параметров веществ и материалов на основе АФН-приемников.
Заключение.
Библиографический список.
Об авторах.