Учебное пособие. - Барнаул: Изд-во АлтГТУ, 2013. - 139 с.
Предназначено для студентов всех форм обучения по направлению "Электроэнергетика и электротехника". Охватывает основные темы изучаемой дисциплины: элементы квантовой механики, статистику носителей заряда в полупроводниках; кинетические явления в полупроводниках; контактные явления в полупроводниках; поверхностные явления.
Введение.
Основные физические представления.Основные представлении квантовой механики.
Электронные состояния в твердых телах.
Кристаллическое и аморфное состояния вещества.
Энергия связи в кристаллической решетке.
Физические основы элементной базы полупроводниковой микроэлектроники.Энергетические диаграммы.
Принцип действия
p-n-перехода.
Биполярный транзистор.
Полевой транзистор.
Приборы с зарядовой связью..
Физические основы оптоэлектроники.Квантовые переходы и вероятности излучательных переходов.
Ширина спектральной линии.
Использование вынужденных переходов для усиления электромагнитного поля.
Механизм генерации излучения в полупроводниках.
Прямозонные и непрямо зонные полупроводники.
Внешний квантовый выход и потери излучения.
Излучатели на основе гетероструктур.
Поглощение света в твердых телах.
Излучательная и спектральная характеристики.
Параметры оптического излучения.
Оптоэлектронные приборы.Источники некогерентного излучения.
Приборы когерентного излучения.
Полупроводниковые фотоприемные приборы.
Характеристики и параметры фотоприемников.